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本申请公开了一种T形栅极的制造方法、高电子迁移率晶体管，方法包括：在基板的表面沉积氧化物层并涂布i线光刻胶；进行i线光刻机曝光，并对氧化物层进行刻蚀直至露出基板，以形成第一宽度的氧化物层开口；在所述开口的两侧对部分厚度的氧化物层进行第二次刻...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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