半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的制备方法及半导体器件。采用本发明专利技术制备方法形成的栅极结构，其侧壁平整，且没有变形，大大提高了半导体器件的可靠性，进而提高了最终器件的良率和性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及采用该方法制备的半导体结构。

技术介绍

[0002]随着半导体器件集成度的不断提高，通常制造具有千兆存储容量的动态随机存取存储器(DRAM)。为了减小器件栅极中的阻容(RC)延迟，采用了具有堆叠结构的金属/多晶硅栅极。在纳米栅极刻蚀过程中，对栅极和关键尺寸等关键参数的控制成为了纳米栅极刻蚀控制的难点。例如，在金属/多晶硅栅极的制程中，在干法刻蚀形成栅极结构后，在金属/多晶硅栅极表面形成保护层之前，金属/多晶硅栅极会暴露出来，金属/多晶硅栅极会被氧化，而金属/多晶硅栅极暴露的时间越长，其氧化的情况越严重，而在随后对金属/多晶硅栅极用稀释的HF进行湿法清洗时，金属侧壁的氧化层不会被去除，容易形成凸起，而多晶硅侧壁的氧化层能够被去除，容易形成凹陷，这会导致栅极结构侧壁凹凸不平，栅极结构变形，最终影响器件电性能，导致半导体器件的可靠性差，进而导致最终器件的良率和性能的损失。
[0003]因此，如何避免上述情况发生，成为目前亟需解决的问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体衬底上依次形成第一导电层、第二导电层及钝化层；图形化所述钝化层及第二导电层，形成初级栅极图案，所述第一导电层未被所述初级栅极图案遮挡的区域暴露；对所述初级栅极图案进行等离子体处理，以在所述第二导电层的侧壁形成第一保护层；在所述初级栅极图案侧壁及第一保护层侧面形成介质层；去除暴露的第一导电层，保留被所述初级栅极图案覆盖的第一导电层；在所述第一导电层暴露的侧壁形成第二保护层，所述第二保护层及所述介质层作为所述栅极结构的隔离层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，图形化所述钝化层及第二导电层，形成初级栅极图案的步骤进一步包括：在所述钝化层上形成掩膜层及光阻层；图形化所述光阻层，需要形成所述初级栅极图案的区域的光阻层被保留；将所述光阻层的图案转移到所述掩膜层，形成图形化的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，去除所述钝化层及第二导电层；去除所述掩膜层及所述光阻层，形成所述初级栅极图案。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述初级栅极图案进行等离子体处理的步骤为：对所述初级栅极图案的侧壁进行氮气及氧气混合等离子体处理。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述初级栅极图案进行等离子体处理的步骤为原位等离子体处理。5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述初级栅极图案侧壁及第一保护层侧面形成介质层的步骤进一步包括：在所述初级栅极图案表面及暴露的第一导电层表面形成初始介质层；去除部分所述初始介质层，所述初级栅极图案侧壁的初始介质层被保留，作为所述介质层。6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除暴露的第一导电层，保留位于所述初级栅极图案下方的第一导电层的步骤进一步包括：去除暴露的第一导电层，暴露出半导体衬底，所述第一导电层的侧壁被暴露，所述初级栅极图案覆盖的第一导电层及所述初级栅极图案侧壁的介质层下方的第一导电层被保留；自所述第一导电层的侧壁去除所述初级栅极图案侧壁的介质层下方的第一导电层，所述初级栅极图案覆盖的第一导电层被保留...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴公一，于有权，陆勇，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：