【技术实现步骤摘要】
基于含氮杂芳环衍生物以及羰基构筑的热激活延迟荧光材料及其应用
[0001]本专利技术属于有机发光材料领域,主要涉及一类含氮杂芳环衍生物以及羰基构筑的热激活延迟荧光材料,其具有窄半峰宽发射,发射波长可随给电子基团强度可调的特征,将其作为客体运用于有机电致发光器件,可得高性能的有机电致发光二极管。
技术介绍
[0002]热激活延迟荧光材料理论上能够实现100%的内量子效率,打破了传统荧光器件外量子效率5%的理论极限,并且可以与贵金属磷光配合物器件相媲美,被认为是继荧光材料和磷光材料之后的第三代有机电致发光二极管材料。但是传统的热激活延迟荧光(TADF)分子是通过减小HOMO与LUMO的重叠,进而减小最低单线态(S1)与最低三线态(T1)间的能级差,从而实现T1到S1间的反系间窜越(RISC),达到充分利用三线态激子的目的。这也导致分子的振子强度较小,分子的发光量子效率相对较低,较大的半峰宽。直到多重共振热激活延迟荧光(MR
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TADF)材料的出现,由于其激发态结构弛豫被刚性骨架所抑制,从而获取极窄的半峰宽,同时 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一类基于含氮杂芳环衍生物以及羰基构筑的热激活延迟荧光材料,其特征在于,所述材料化学结构如式1所示,R1、R2和R3分别独立为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、烷氧基或芳氧基;为2.如权利要求1所述的基于含氮杂芳环衍生物以及羰基构筑的热激活延迟荧光材料,其特征在于,所述材料化学结构如下式所示:3.如权利要求1所述的基于含氮杂芳环衍生物以及羰基构筑的热激活延迟荧光材料的应用,其特征在于:所述氮杂芳环衍生物以及羰基构筑的热激...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱卫国,黄经纬,吴秀刚,王赛,孙静,
申请(专利权)人:常州大学,
类型:发明
国别省市:
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