本申请公开了一种芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：接收待测芯片的尺寸参数；基于尺寸参数及预设的第一步数，确定单次测量步距及第二步数；基于预设的第一目标测量点，确定待测芯片的内矩形；从第一目标测量点开始，按照预设方向依次对所述内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量，其中，相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距，多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定；基于测量结果，确定待测芯片的平面度是否达标。通过采用上述芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质，解决了在测量芯片平面度的过程中，测量结果随机性大、精度低的问题。度低的问题。度低的问题。
【技术实现步骤摘要】
一种芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质
[0001]本申请涉及半导体
，尤其是涉及一种芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
[0002]随着数码技术、半导体制造技术的发展，图像传感器已经广泛应用于各种领域，并且每种应用领域都有其独特的客户要求。例如，一些天文望远镜、全画幅数码相机、医学成像等专业成像应用领域就需要用到大尺寸的图像传感器。这些大尺寸的图像传感器由于受到光刻机像场的限制，需要在制造过程中使用拼接技术。拼接技术就是在芯片的制造过程中，把涉及的图形分区，依次曝光，最终拼接成一个大尺寸的图形传感器，并在拼接后的芯片上涂抹一层胶水以辅助连接芯片和基板，然而，由于胶水的涂抹是通过人工操作完成的，不可避免的会出现涂抹胶水后的芯片表面平面度达不到要求的情况，此时就需要对其表面的平面度进行检测，如果发现平面度不达标则需要对芯片进行除胶操作，并重新进行涂抹。
[0003]现有技术中，芯片表面平面度的测量方式主要是以手工测量和CCD图像测量为主。
[0004]然而，采用上述测量方式时，目标测量点的选取位置随机性大、测量精度低，尤其在使用CCD(Charge coupled device电荷耦合元件)图像测量芯片平面度时，会受到光照强度和镜头景深的影响，难以确保测量精度。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，本申请提供一种芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质，其目的是通过使用高精度的激光测距传感器，按照预设方向依次对待测芯片上的多个目标测量点的平面高度进行等距测量，解决了在测量芯片平面度的过程中，目标测量点选取位置的随机性大、精准度低的问题。
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种芯片平面度测量方法，包括：
[0007]接收待测芯片的尺寸参数，待测芯片为矩形形状；
[0008]基于尺寸参数及预设的第一步数，确定单次测量步距及第二步数；
[0009]基于预设的第一目标测量点，确定待测芯片的内矩形，第一目标测量点位于待测芯片内且靠近待测芯片的矩形顶点；
[0010]从第一目标测量点开始，按照预设方向依次对内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量，其中，相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距，多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定；
[0011]基于测量结果，确定待测芯片的平面度是否达标。
[0012]可选地，尺寸参数可包括待测芯片的长度及宽度；基于尺寸参数及预设的第一步数，确定单次测量步距及第二步数，可包括：将待测芯片的长度除以第一步数得到的结果，确定为单次测量步距；将待测芯片的宽度除以单次测量步距得到的结果，确定为第二步数。
[0013]可选地，基于预设的第一目标测量点，确定待测芯片的内矩形，可包括：将第一步
数减一所得数值与单次测量步距的乘积，确定为目标长度；将第二步数减一所得数值与单次测量步距的乘积，确定为目标宽度；在待测芯片内部，以第一目标测量点为内矩形的顶点，以目标长度为内矩形的长度，以目标宽度为内矩形的宽度，内矩形的四条边分别与待测芯片四条边平行，确定待测芯片的内矩形。
[0014]可选地，从第一目标测量点开始，按照预设方向将内矩形的四条边依次确定为第一内矩形边、第二内矩形边、第三内矩形边和第四内矩形边；从第一目标测量点开始，按照预设方向依次对待测芯片内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量，可包括：从第一目标测量点开始，按照预设方向依次对待测芯片内矩形的第一内矩形边、第二内矩形边、第三内矩形边和第四内矩形边上的多个目标测量点的平面高度进行测量。
[0015]可选地，内矩形四条边中两条长边上目标测量点的数量由第一步数决定，内矩形四条边中两条短边上目标测量点的数量由第二步数决定。
[0016]可选地，测量结果可包括每个目标测量点的平面高度值；基于测量结果，确定待测芯片的平面度是否达标，可包括：基于每个目标测量点的平面高度值，确定全部目标测量点对应的最小平面高度值及最大平面高度值；计算最大平面高度值与最小平面高度值的差值的绝对值；基于绝对值，确定待测芯片的平面度是否达标。
[0017]可选地，基于绝对值，确定待测芯片的平面度是否达标，可包括：判断绝对值是否小于预设阈值；如果小于预设阈值，则确定待测芯片的平面度达标；如果不小于预设阈值，则确定待测芯片的平面度不达标。
[0018]第二方面，本申请实施例提供了一种芯片平面度测量装置，包括：
[0019]采样模块，用于接收待测芯片的尺寸参数，待测芯片为矩形形状；
[0020]计算模块，用于基于尺寸参数及预设的第一步数，确定单次测量步距及第二步数；
[0021]确定模块，用于基于预设的第一目标测量点，确定待测芯片的内矩形，第一目标测量点位于待测芯片内且靠近待测芯片的矩形顶点；
[0022]测量模块，用于从第一目标测量点开始，按照预设方向依次对内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量，其中，相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距，多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定；
[0023]评价模块，用于基于测量结果，确定待测芯片的平面度是否达标。
[0024]第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过总线通信，所述机器可读指令被所述处理器执行时执行如上述的芯片平面度测量方法的步骤。
[0025]第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器运行时执行上述的芯片平面度测量方法的步骤。
[0026]本申请实施例带来了以下有益效果：
[0027]本申请实施例提供了一种芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质，包括：接收待测芯片的尺寸参数，待测芯片为矩形形状；基于尺寸参数及预设的第一步数，确定单次测量步距及第二步数；基于预设的第一目标测量点，确定待测芯片的内矩形，第一目标测量点位于待测芯片内且靠近待测芯片的矩形顶点；从第一目标测量点开始，按照预设
方向依次对内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量，其中，相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距，多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定；基于测量结果，确定待测芯片的平面度是否达标。本申请通过使用高精度的激光测距传感器，按照预设方向依次对待测芯片上的多个目标测量点的平面高度进行等距测量，解决了在测量芯片平面度的过程中，目标测量点选取位置的随机性大、精准度低的问题。
[0028]为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，以下附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片平面度测量方法，其特征在于，所述方法包括：接收待测芯片的尺寸参数，所述待测芯片为矩形形状；基于所述尺寸参数及预设的第一步数，确定单次测量步距及第二步数；基于预设的第一目标测量点，确定所述待测芯片的内矩形，所述第一目标测量点位于所述待测芯片内且靠近所述待测芯片的矩形顶点；从所述第一目标测量点开始，按照预设方向依次对所述内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量，其中，相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距，所述多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定；基于测量结果，确定所述待测芯片的平面度是否达标。2.如权利要求1所述的芯片平面度测量方法，其特征在于，所述尺寸参数包括所述待测芯片的长度及宽度；所述基于所述尺寸参数及预设的第一步数，确定单次测量步距及第二步数，包括：将所述待测芯片的长度除以所述第一步数得到的结果，确定为单次测量步距；将所述待测芯片的宽度除以所述单次测量步距得到的结果，确定为第二步数。3.如权利要求2所述的芯片平面度测量方法，其特征在于，所述基于预设的第一目标测量点，确定所述待测芯片的内矩形，包括：将所述第一步数减一所得数值与所述单次测量步距的乘积，确定为目标长度；将所述第二步数减一所得数值与所述单次测量步距的乘积，确定为目标宽度；在所述待测芯片内部，以所述第一目标测量点为内矩形的顶点，以目标长度为内矩形的长度，以目标宽度为内矩形的宽度，内矩形的四条边分别与所述待测芯片四条边平行，确定所述待测芯片的内矩形。4.如权利要求1所述的芯片平面度测量方法，其特征在于，从所述第一目标测量点开始，按照预设方向将所述内矩形的四条边依次确定为第一内矩形边、第二内矩形边、第三内矩形边和第四内矩形边；所述从所述第一目标测量点开始，按照预设方向依次对所述待测芯片内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量，包括：从所述第一目标测量点开始，按照预设方向依次对所述待测芯片内矩形的第一内矩形边、第二内矩形边、第三内矩形边和第四内矩形边上的多个目标测量点的平面高度进行测量。5.如权利要求1所述的芯片平面度测量方法，其特征在于，所述内矩形四条边中两条长边上目...
【专利技术属性】
技术研发人员：高慧莹，左宁，周哲，
申请(专利权)人：北京半导体专用设备研究所中国电子科技集团公司第四十五研究所，
类型：发明
国别省市：
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