清洗方法和腐蚀方法技术

本发明专利技术提供通过清洗除去难以除去的油脂成分和微细的硅片的清洗方法和腐蚀方法，用于半导体晶片、半导体器件的制造中使用的各种装置和载体等。被除去物与在真空气氛中升华而生成的ＸｅＦ＃－［２］气接触，从而分解气化油脂成分并通过腐蚀除去硅片。如果在清洗前在真空气氛中残留微量的残留水分，Ｈ＃－［２］Ｏ与ＸｅＦ＃－［２］反应生成ＨＦ。因此，例如，可以除去硅片上形成的自然氧化膜ＳｉＯ＃－［２］，并且ＸｅＦ＃－［２］可以直接作用于硅，从而可以进行腐蚀。清洗和腐蚀速度极其快速。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用XeF2气，清洗除去由作业者产生的油脂或从设置在净室中的各制造装置的泵漏出的油分等造成的油膜的清洗方法，以及例如清洗除去扎入载体中的极其微细的硅片(silicon pieces)等，可以除去聚合物、油脂、金属、自然氧化膜SiO2的干式。但是，在制造半导体晶片和半导体器件时，使用称为晶片载体的容纳装置来运送晶片和在装置间转移晶片。使用这样的载体，通过在晶片载体的内表面设置大量沟可以将多枚半导体晶片保持成直线。每当半导体器件的集成程度增加时，都需要减少半导体晶片上的附着物量，因而需要各种工艺装置中的清洁度增加。因此，由作业者产生的油脂或从设置在净室中的各制造装置的泵漏出的油分等造成的油膜等是难以除去的最令人讨厌的污染物。用含有表面活性剂等的清洗液清洗一连串已经安装的装置时，需要另一种清洗方式，因而污染以连锁方式发生，所以一般在清洗液中不含表面活性剂，因而上述的油膜等极其难以除去。另外，通过重复使用致使内外表面被污染的载体因这种污染将造成半导体晶片的污染而被清洗。迄今晶片载体的清洗是通过使用高压射流、超声清洗机等进行自动清洗，或使用有机溶剂用手刷清洗。但是，扎入载体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洗方法，包括在含有微量水分的真空气氛中使ＸｅＦ↓［２］气接触并作用于被清洗物。

【技术特征摘要】
1.一种清洗方法，包括在含有微量水分的真空气氛中使XeF2气接触并作用于被清洗物。2.一种清洗方法，包括在含有微量水分的真空气氛中使XeF2气接触并作用于被清洗物，然后在不含水分的真空气氛中使XeF2气接触并作用于被清洗物。3.权利要求1或2的清洗方法，其中被清洗物是半导体晶片或器件制造装置的各种室的内部或气体通路。4.权利要求1的清洗...

【专利技术属性】
技术研发人员：金山登纪子，河野广明，
申请(专利权)人：住友精密工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]