碳化硅晶片的制造方法以及半导体结构技术

本发明专利技术提供一种碳化硅晶片的制造方法以及半导体结构，所述碳化硅晶片的制造方法包括：提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于原料上方的晶种于反应器内；减少反应器中的氮气含量，包括：于反应器中通入氩气，其中于反应器中通入氩气的流量为1000sccm至5000sccm，且于反应器中通入氩气的时间大于2小时至48小时；加热反应器以及原料，以形成碳化硅材料于晶种上；冷却反应器以及原料，以获得碳化硅晶碇；以及切割碳化硅晶碇，以获得多个碳化硅晶片。片。片。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶片的制造方法以及半导体结构


[0001]本专利技术涉及一种碳化硅晶片的制造方法以及半导体结构。

技术介绍

[0002]目前，硅晶片已被广泛的运用于半导体产业中。许多电子装置内部包含了以硅晶片(Silicon wafer)做为材料所生产的硅芯片(Silicon chip)。然而，为了提升芯片的效能。目前许多厂商尝试以碳化硅晶片(Silicon carbide wafer)做为材料以生产碳化硅芯片(Silicon carbide chip)。碳化硅芯片具有耐高温与稳定性高等优点。
[0003]在常见的半导体工艺中，常常需要于晶片的表面设置对准记号(Alignment Mark)，并以光学取像模块(例如CCD摄相机)撷取对准记号的位置，进一步确认晶片的位置。通过对准记号的设置可以减少半导体工艺偏差的问题。然而，常见的碳化硅晶片为茶褐色(dark brown)，且透明度不高。因此，在利用对准记号确认碳化硅晶片的位置时，容易因为碳化硅晶片的透明度过低而使碳化硅晶片的位置出现偏差，进一步导致了半导体工艺的工艺良率不足。<br/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，包括：提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于所述原料上方的晶种于反应器内；减少所述反应器中的氮气含量，包括：于所述反应器中通入氩气，其中于所述反应器中通入氩气的流量为1000sccm至5000sccm，且于所述反应器中通入氩气的时间为2小时至48小时；加热所述反应器以及所述原料，以形成碳化硅材料于所述晶种上；冷却所述反应器以及所述原料，以获得碳化硅晶碇；以及切割所述碳化硅晶碇，以获得多个碳化硅晶片。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，减少所述反应器中的氮气含量的方法更包括：于所述反应器中通入氩气以前，对所述反应器执行第一真空制程，使所述反应器内的气压为0.1torr至100torr。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，所述碳化硅晶碇的电阻率为0.1至10ohm/cm，且所述碳化硅晶片的电阻率为0.1至10ohm/cm。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，所述碳化硅晶片的对于可见光的穿透率大于50％。5.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，所述碳化硅晶碇的厚度为5毫米至80毫米，且所述碳化硅晶片的厚度小于1000微米。6.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，减少所述反...

【专利技术属性】
技术研发人员：林钦山，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：