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本发明提供一种碳化硅晶片的制造方法以及半导体结构，所述碳化硅晶片的制造方法包括：提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于原料上方的晶种于反应器内；减少反应器中的氮气含量，包括：于反应器中通入氩气，其中于反应器中通入氩气的流量为1000sccm...
该专利属于环球晶圆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆股份有限公司授权不得商用。

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