【技术实现步骤摘要】
具有在体衬底中的嵌入的隔离层的晶体管
[0001]本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及具有在体衬底中的嵌入的隔离层的晶体管以及制造方法。
技术介绍
[0002]横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)是表现出高输出功率的平面双扩散金属
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氧化物
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半导体场效应晶体管。LDMOS可以用在许多不同的应用中，主要是在RF和微波应用中。例如，基于硅的RF LDMOS器件被用作移动网络中的RF功率放大器。
[0003]然而，LDMOS可能表现出差的衬底隔离，这减少了衬底辅助耗尽。这进而导致击穿电压的降低。为了解决这个问题，可以使用绝缘体上硅(SOI)技术来制造LDMOS。在SOI中，在半导体(器件为LDMOS)的有源区域下方的隔离通过位于有源硅层之下的绝缘体层(例如，掩埋氧化物)来实现。这种方法的缺点是，与体(bulk)晶片实现方式相比，SOI晶片非常昂贵。
技术实现思路
[0004]在本公开的方面，一种结构包括：体衬底；隔离层，其被嵌入在体衬底内并且位于体衬底的顶表面之下；深...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：体衬底；隔离层，其被嵌入在所述体衬底内并且位于所述体衬底的顶表面之下；深沟槽隔离结构，其延伸穿过所述体衬底并接触所述嵌入的隔离层；以及栅极结构，其位于所述体衬底的所述顶表面之上并且与所述嵌入的隔离层竖直地间隔开，所述深沟槽隔离结构和所述嵌入的隔离层限定所述栅极结构的在所述体衬底中的有源区域。2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述嵌入的隔离层包括夹在所述体衬底的半导体材料之间的多晶硅。3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述嵌入的隔离层包括夹在所述体衬底的半导体材料之间的非晶半导体材料，并且所述体衬底的所述半导体材料是单晶半导体材料。4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述嵌入的隔离层包括夹在所述体衬底的半导体材料之间的受损半导体材料，并且所述体衬底的所述半导体材料包括Si材料。5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述嵌入的隔离层包括高电阻率多晶硅，并且所述体衬底包括高电阻率Si。6.根据权利要求5所述的结构，还包括：位于所述体衬底中与所述栅极结构相邻的浅沟槽隔离结构，其中，所述浅沟槽隔离结构通过所述体衬底的单晶半导体材料与所述嵌入的隔离层分离。7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述浅沟槽隔离结构被设置在所述体衬底的第一阱中并且从所述栅极结构延伸到位于所述栅极结构的一侧上的所述深沟槽隔离结构以限定漂移区域。8.根据权利要求6所述的结构，其中，所述嵌入的隔离层被构造为提供高电阻路径。9.根据权利要求6所述的结构，其中，所述深沟槽隔离结构和所述嵌入的隔离层被构造为当所述栅极结构的漏极在0至Vdd之间振荡时在所述栅极结构与其他器件之间提供隔离。10.根据权利要求6所述的结构，其中，所述嵌入的隔离层被构造为防止闩锁。11.根据权利要求1所述的结构，其中，所述嵌入的隔离层在所述深沟槽隔离结构之下具有第一厚度以及在所述栅极结构的所述有源区域之下具有第二厚度。12.根据权利要求11所述的结构，其中，所述第一厚度大于所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：U，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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