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本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及一种具有在体衬底中的嵌入的隔离层的晶体管。该结构包括：体衬底；隔离层，其被嵌入在体衬底内并且位于体衬底的顶表面之下；深沟槽隔离结构，其延伸穿过体衬底并接触嵌入的隔离层；以及栅极结构，其位于体衬底的顶表面之...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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