一种生长有机半导体单晶的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种生长有机半导体单晶的方法及装置，属于有机电子学技术领域。所述方法包括：将装有有机半导体薄膜的有机半导体薄膜空间限域装置加压后固定，然后进行加热，冷却后得到大尺寸有机半导体单晶；所述有机半导体薄膜空间限域装置用于限制有机半导体单晶的生长方向。本发明专利技术同时提供了该方法所用的装置。本发明专利技术通过一种可以施加不同大小的压力且能够被加热的装置，再通过温度与空间限制的作用控制有机半导体薄膜的二次再结晶，进而获得生长条件可控、生长时间快速以及尺寸较大的有机半导体单晶材料。机半导体单晶材料。机半导体单晶材料。

【技术实现步骤摘要】
一种生长有机半导体单晶的方法及装置


[0001]本专利技术涉及有机电子学
，特别涉及一种生长有机半导体单晶的方法及装置。

技术介绍

[0002]有机半导体单晶由于其分子排列高度有序，晶体内部几乎不存在晶界，相较于多晶半导体来说内部缺陷少，因此其在电荷传输的过程中几乎不会受到晶界缺陷的影响，所以有机半导体单晶往往被用作高性能光电器件的制备以及材料的本征电荷传输机制的研究。此外，与有机半导体薄膜材料相比，有机半导体单晶表现出更好的电荷转移能力和聚集态结构的稳定性。所以能够高效地生长出高质量、大尺寸的有机半导体单晶是研究有机半导体材料本征光电性能和制备有机电子器件的最关键的技术问题。
[0003]有机半导体单晶属于分子晶体，是通过分子间作用力在空间上周期排列而形成的固体。目前常用的有机半导体单晶的生长方法有（1）气相法：通过控制有机分子在其饱和蒸汽中进行缓慢生长进而得到有机半导体单晶；（2）物理气相传输法（PVT）：通过控制有机材料的升华和结晶同时进行从而得到有机半导体单晶。（3）溶液法：通过改变材料在溶剂中的溶解度使其析出结晶进而得到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种生长有机半导体单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：将装有有机半导体薄膜的有机半导体薄膜空间限域装置（12）加压后固定，然后进行加热，冷却后得到有机半导体单晶；所述有机半导体薄膜空间限域装置（12）用于限制有机半导体单晶的生长方向。2.根据权利要求1所述的生长有机半导体单晶的方法，其特征在于，所述有机半导体薄膜的材料包括二萘并噻吩并噻吩、2,6
‑
二苯基蒽、并五苯或红荧烯；所述有机半导体薄膜的厚度为5~1000 nm。3.根据权利要求1所述的生长有机半导体单晶的方法，其特征在于，所述加压的压力≥10MPa，时间≥20s；所述加热的温度为300~600℃，时间为3~5min。4.一种有机半导体单晶，根据权利要求1~3任一项所述生长有机半导体单晶的方法制得。5.一种生长有机半导体单晶的装置，用于制备权利要求4所述有机半导体单晶，其特征在于，包括：有机半导体薄膜空间限域装置（12），用于压缩所述有机半导体薄膜空间限域装置（12）的加压装置，用于加热所述有机半导体薄膜空间限域装置（12）的加热装置。6.根据权利要求5所述的生长有机半导体单晶的装置，其特征在于，所述有机半导体薄膜空间限域装置（12）包括：下衬底（12
‑
1），位于所述下衬底（12
‑
1）上方的下载片（12
‑
3），位于所述下载片（12
‑
3）上方的上载片（12
‑
4）和位于所述上载片（12
‑
4）上方的上衬底（12
‑
2）...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小松，付瑶，孙首港，王颜鹏，李立强，胡文平，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：