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本发明公开了一种生长有机半导体单晶的方法及装置，属于有机电子学技术领域。所述方法包括：将装有有机半导体薄膜的有机半导体薄膜空间限域装置加压后固定，然后进行加热，冷却后得到大尺寸有机半导体单晶；所述有机半导体薄膜空间限域装置用于限制有机半导体...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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