有源矩阵型显示装置制造方法及图纸

技术编号:3210540 阅读:185 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种显示装置,包括: 多条扫描线; 多条数据线; 驱动电路,所述驱动电路连接到所述多条扫描线或所述多条扫描线;和 显示部,所述显示部包括所述多条扫描线和所述多条数据线的相交点限定和形成的多个像素,所述多个像素中的每一个像素包括: 导通控制电路,所述导通控制电路包括第一晶体管,扫描信号通过所述多条扫描线中相应的一条扫描线提供给所述第一晶体管的栅极,来自所述多条数据线中相应一条数据线的图像信号通过所述第一晶体管提供给所述导通控制电路; 像素电极;和 发光薄膜,所述发光薄膜位于所述像素电极和对置电极之间, 所述对置电极至少覆盖所述显示部,和 导电膜,所述导电膜覆盖所述对置电极。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及这样一种有源矩阵型显示装置,其中由薄膜晶体管(以下称为TFT)对利用驱动电流流过有机半导体膜等发光薄膜而发光的场致发光元件(以下称为EL元件)或发光二极管元件(以下称为LED元件)等薄膜发光元件进行驱动控制。
技术介绍
已提出了使用EL元件或LED元件等的电流控制型发光元件的有源矩阵型显示装置。由于该类型的显示装置中使用的发光元件都是自身发光的,故与液晶显示装置不同,不需要背照光源,并且具有视野角依存性少等的优点。图4是使用了利用这样的电荷注入型的有机半导体薄膜发光的EL元件的有源矩阵型显示装置的框图。在该图中示出的有源矩阵型显示装置1A中,在透明基板10上构成了多条扫描线gate、在与该扫描线gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线sig、与该数据线sig并列的多条共同供电线com和由数据线sig和扫描线gate形成为矩阵状的象素7。相对于数据线sig和扫描线gate,构成了数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4。在各自的象素7中,构成了通过扫描线gate被供给扫描信号的导通控制电路50和基于通过该导通控制电路50从数据线sig被供给的图象信号而发光的薄膜发光元件40。导通控制电路50由通过扫描线gate在栅电极上接受扫描信号的第1TFT20、保持通过该第1TFT20从数据线sig供给的图象信号的保持电容cap和在栅电极上接受由该保持电容cap保持的图象信号的第2TFT30构成。第2TFT30和薄膜发光元件40以串联方式连接在下述的对置电极op与共同供电线com之间。该薄膜发光元件40在第2TFT30成为导通状态时因驱动电流从共同供电线com流入而发光,同时该发光状态由保持电容cap而保持预定的期间。图5是抽出图4中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图,图6(A)、(B)、(C)分别是图5的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。在这样的结构的有源矩阵型显示装置1A中,如图5和图6(A)、(B)中所示,在任一个象素7中都在同一工序中利用岛状的半导体膜形成了第1TFT20和第2TFT30。第1TFT20的栅电极21作为扫描线gate的一部分而构成。数据线sig通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第1TFT20的源·漏区的一方上,漏电极22导电性地连接到其另一方上。漏电极22朝向第2TFT30的形成区域而延伸,第2TFT30的栅电极31通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到该延伸部分上。中继电极35通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第2TFT30的源·漏区的一方上,薄膜发光元件40的象素电极41通过第2层间绝缘膜5 2的接触孔导电性地连接到该中继电极35上。从图5和图6(B)、(C)中可知,在每个象素7中独立地形成了象素电极41。在象素电极41的上层侧,按下述顺序层叠了有机半导体膜43和对置电极op。将对置电极op形成为至少覆盖显示部11。再有,在图5和图6(A)中,共同供电线com通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第2TFT30的源·漏区的另一方上。共同供电线com的延伸部分39相对于第2TFT30的栅电极31的延伸部分36,将第1层间绝缘膜51作为电介质膜夹住而对置,构成了保持电容cap。在这样的有源矩阵型显示装置1A中,由于在透明基板10本身上层叠了对置电极op,故与有源矩阵型液晶显示装置不同,具有没有必要重叠对置基板这样的大的优点。但是,由于薄膜发光元件40只被薄的对置电极op覆盖,故水分及氧扩散并透过对置电极op侵入到有机半导体膜43中,存在发生薄膜发光元件40的发光效率的下降、其驱动电压的上升(阈值电压向高电压一侧偏移)、可靠性下降等的担心。为了防止上述水分及氧的侵入,在现有的有源矩阵型显示装置1A中,采用了用对置基板至少覆盖显示部11并对该对置基板的外周进行密封的方法。但是,使用该方法就丧失了与上述的液晶显示装置相比的优点。因此,本专利技术的课题在于提供能用简单的结构来保护薄膜发光元件使其不受水分等影响的有源矩阵型显示装置。专利技术的公开本专利技术的有源矩阵型显示装置具有以下的结构。在基板上具有多条扫描线、与该扫描线交叉的多条数据线以及由被该数据线和上述扫描线形成为矩阵状的多个象素构成的显示部,该象素的每一个具备薄膜发光元件,该薄膜发光元件具备包含通过上述扫描线在栅电极上接受扫描信号的薄膜晶体管的导通控制电路、在每个象素中形成的象素电极、在该象素电极的上层侧层叠的发光薄膜和在该发光薄膜的上层侧至少在上述显示部的整个面上形成的对置电极,上述薄膜发光元件基于通过上述导通控制电路从上述数据线被供给的图象信号而发光,该有源矩阵型显示装置的特征在于在上述对置电极的上层侧形成了至少覆盖该对置电极的形成区域的保护膜。按照本结构,由于在薄膜发光元件的对置电极的上层侧形成了保护膜,故能保护薄膜发光元件使其不受扩散、透过对置电极的水分等的影响。因而,在薄膜发光元件中没有发生其发光效率的下降、驱动电压的上升(阈值电压向高电压一侧偏移)、可靠性下降等的担心。此外,由于可利用半导体工艺容易地形成这样的保护膜,故不会提高有源矩阵型显示装置的制造成本。因此,可按原样保留作为使用了薄膜发光元件的有源矩阵型显示装置的优点的没有必要覆盖对置基板这样的优点,可提高有源矩阵型显示装置的可靠性。再有,由于用保护膜来保护薄膜发光元件,故也具有下述优点作为对置电极中使用的材料,从薄膜发光元件的发光效率及驱动电压等方面考虑来选择该材料即可,不限定于选择保护薄膜发光元件的性能高的材料。在本专利技术中,最好由在上述对置电极的下层侧比上述有机半导体膜形成得厚的绝缘膜来划分上述发光薄膜。在使用了薄膜发光元件的有源矩阵型显示装置中,由于对置电极至少在显示部的整个面上形成,处于与数据线对置的状态,故在原有状态下大的电容寄生于数据线上。而在本专利技术中,由于使厚的绝缘膜介入到数据线与对置电极之间,故可防止电容寄生于数据线上。其结果,由于可降低数据侧驱动电路的负载,故可谋求低功耗化或显示工作的高速化。此外,如果形成这样的绝缘膜,则在利用喷射法在被该绝缘膜划分的区域内形成发光薄膜时可将上述绝缘膜作为防止喷出液溢出的堤层来利用。在本专利技术中,上述对置电极最好由含有碱金属的铝膜来构成。在用这样的膜构成了对置电极的情况下,因为水分等扩散、透过的可能性高,故形成保护膜的效果是显著的。在本专利技术中,可以用氮化硅膜等的绝缘膜来构成上述保护膜,但也可由高熔点金属或其合金等的导电膜来构成。此外,也可由纯铝膜、含有硅的铝膜、含有铜的铝膜等的导电膜来构成上述保护膜。再有,也可将上述保护膜作成导电膜和绝缘膜的2层结构。在用导电膜形成层叠在对置电极上的保护膜的情况下,可得到与使对置电极的电阻下降同样的效果。此外,在形成了划分上述的有机半导体膜的形成区域的厚的绝缘膜的情况下,存在因该绝缘膜形成的大的台阶查而在其上层侧形成的对置电极中发生断裂的担心,但在用导电膜形成层叠在对置电极上的保护膜的情况下,由于利用这样的导电膜形成冗余布线结构,故可防止对置电极的断裂。因此,在有源矩阵型显示装置中,由于即使在有机半导体膜的周边形成厚的绝缘膜从而抑制了寄生电容等,在绝缘膜的上层形成的对置电极中也不发生断裂,故可提高有源矩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置,包括多条扫描线;多条数据线;驱动电路,所述驱动电路连接到所述多条扫描线或所述多条扫描线;和显示部,所述显示部包括所述多条扫描线和所述多条数据线的相交点限定和形成的多个像素,所述多个像素中的每一个像素包括导通控制电路,所述导通控制电路包括第一晶体管,扫描信号通过所述多条扫描线中相应的一条扫描线提供给所述第一晶体管的栅极,来自所述多条数据线中相应一条数据线的图像信号通过所述第一晶体管提供给所述导通控制电路;像素电极;和发光薄膜,所述发光薄膜位于所述像素电极和对置电极之间,所述对置电极至少覆盖所述显示部,和导电膜,所述导电膜覆盖所述对置电极。2.如权利要求1中所述的型显示装置,其特征在于由在所述对置电极的下层侧比所述发光薄膜形成得厚的绝缘膜来划分所述发光薄膜。3.如权利要求1或2中所述的型显示装置,其特征在于所述对置电极由含...

【专利技术属性】
技术研发人员:汤田坂一夫
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社
类型:发明
国别省市:

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