背面研磨带制造技术

一种背面研磨带，其具有片状的基材、和在基材的一面形成的粘着剂层，粘着剂层由粘着剂组合物的固化物形成，厚度为50～500μm，粘着剂组合物包含聚氨酯(A)、(甲基)丙烯酸酯单体(B)、链转移剂(C)、光聚合引发剂(D)、和0.4～6质量％的离子液体(E)，聚氨酯(A)包含聚氨酯(a1)，上述聚氨酯(a1)具有包含来源于聚氧亚烷基多元醇的结构和来源于多异氰酸酯的结构的骨架，且在多个末端具有(甲基)丙烯酰基。且在多个末端具有(甲基)丙烯酰基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背面研磨带


[0001]本专利技术涉及适合用于半导体晶片加工用的背面研磨带。
[0002]本申请基于2019年9月5日在日本申请的特愿2019
‑
162092号来主张优先权，将其内容援用到本文中。

技术介绍

[0003]随着半导体器件的薄型化的要求，在半导体器件的制造工序中进行了半导体晶片的背面研磨工序。在半导体晶片的背面研磨工序中，将半导体晶片的表面(正面)用背面研磨带进行了保护后，将半导体晶片的背面进行磨削，将半导体晶片薄型化。
[0004]以往提出了各种为了保护半导体晶片的表面而使用的背面研磨带。近年来，对于在表面形成有由焊料等形成的凸块(电极)的半导体晶片等表面具有凹凸部分的半导体晶片，也要求具有充分的凹凸吸收性的背面研磨带。
[0005]此外，以往，在将背面研磨带从半导体晶片剥离时，有时被称为剥离起电的静电产生，半导体晶片的电路被破坏，或半导体晶片附着异物。因此，要求背面研磨带具有充分的抗静电性。
[0006]作为兼具凹凸吸收性和抗静电性两性能的背面研磨带，例如，在专利文献1中公开了依次具备基材层、凹凸吸收性树脂层、抗静电层、和粘着性树脂层的半导体晶片加工用粘着性膜。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2018
‑
6540号公报

技术实现思路

[0010]专利技术所要解决的课题
[0011]然而，专利文献1所记载的半导体晶片加工用粘着性膜由于需要在将各层分别片化后贴合而制造，因此制造步骤复杂。
[0012]此外，要求背面研磨带具有可以将半导体晶片等被粘物以充分的强度固定于背面研磨带的粘着力。然而，有时如果将粘着力高的背面研磨带粘贴于被粘物后对被粘物进行加工，然后将背面研磨带剥离，则背面研磨带的粘着剂层被转印于被粘物的残胶发生。
[0013]本专利技术是鉴于上述情况而提出的，其目的是提供具有充分的凹凸吸收性、抗静电性、粘着力，并且将背面研磨带剥离后不易发生残胶，而且能够以少的制造工序制造的背面研磨带。
[0014]用于解决课题的方法
[0015]本专利技术的第一方案为以下背面研磨带。
[0016][1]一种背面研磨带，其特征在于，是具有片状的基材、和在上述基材的一面形成的粘着剂层的背面研磨带，
[0017]上述粘着剂层由粘着剂组合物的固化物形成，厚度为50～500μm，
[0018]上述粘着剂组合物包含聚氨酯(A)、(甲基)丙烯酸酯单体(B)、链转移剂(C)、光聚合引发剂(D)、和离子液体(E)，
[0019]上述聚氨酯(A)包含聚氨酯(a1)，
[0020]上述聚氨酯(a1)具有包含来源于聚氧亚烷基多元醇的结构和来源于多异氰酸酯的结构的骨架，且在多个末端具有(甲基)丙烯酰基，
[0021]上述粘着剂组合物含有离子液体(E)0.4～6.0质量％。
[0022]本专利技术的第一方案的上述背面研磨带如以下所述那样，可以优选包含以下特征。以下特征优选可以将2个以上组合。
[0023][2]根据[1]所述的背面研磨带，上述粘着剂层为单层结构。
[0024][3]根据[1]或[2]所述的背面研磨带，上述(甲基)丙烯酸酯单体(B)含有单官能(甲基)丙烯酸酯和多官能(甲基)丙烯酸酯。
[0025][4]根据[1]～[3]中任一项所述的背面研磨带，上述离子液体(E)为包含选自季铵离子、亚胺离子、和锍离子中的有机阳离子的化合物。
[0026][5]根据[1]～[4]中任一项所述的背面研磨带，上述离子液体(E)为包含含氟有机阴离子的化合物。
[0027][6]根据[1]～[5]中任一项所述的背面研磨带，上述离子液体(E)为包含1
‑
乙基
‑3‑
甲基咪唑阳离子和/或4
‑
甲基
‑1‑
辛基吡啶阳离子、和双(氟磺酰)酰亚胺阴离子((FSO2)2N
‑
)的化合物。
[0028][7]根据[1]～[6]中任一项所述的背面研磨带，上述链转移剂(C)为多官能硫醇。
[0029][8]根据[1]～[7]中任一项所述的背面研磨带，上述粘着剂层的凝胶分率为50～65质量％。
[0030][9]根据[1]～[8]中任一项所述的背面研磨带，上述粘着剂层的表面电阻率小于1
×
10
11
Ω/
□
。
[0031][10]根据[3]～[9]中任一项所述的背面研磨带，在将上述(甲基)丙烯酸酯单体(B)的合计设为100摩尔％时，含有上述单官能(甲基)丙烯酸酯85～99摩尔％、上述多官能(甲基)丙烯酸酯1～15摩尔％。
[0032][11]根据[1]～[10]中任一项所述的背面研磨带，上述粘着剂组合物包含：
[0033]上述聚氨酯(A)20～50质量％，
[0034]上述(甲基)丙烯酸酯单体(B)35～79质量％，
[0035]上述链转移剂(C)0.5～8.0质量％，
[0036]上述光聚合引发剂(D)0.01～5.0质量％，
[0037]上述离子液体(E)0.4～6.0质量％。
[0038][12]根据[1]～[11]中任一项所述的背面研磨带，上述粘着剂组合物进一步含有脂肪酸酯(F)。
[0039]专利技术的效果
[0040]根据本专利技术，可以提供具有充分的凹凸吸收性、抗静电性、粘着力，并且在将背面研磨带剥离后不易发生残胶的背面研磨带。
[0041]而且，本专利技术的背面研磨带的粘着剂层为粘着剂组合物的固化物，具有充分的凹
凸吸收性、抗静电性、粘着力。因此，可以不分别设置具有凹凸吸收性的层、具有抗静电性的层和具有粘着力的层，上述带能够以少的制造工序制造。
[0042]因此，本专利技术的背面研磨带在进行在表面形成有凸块的半导体晶片等表面具有凹凸部分的被粘物的背面研磨工序时，作为为了保护表面而使用的背面研磨带是适合的。
具体实施方式
[0043]以下，对作为本专利技术的优选的例子的实施方式进行详细说明。然而，本专利技术不仅仅限定于以下所示的实施方式。在本专利技术的范围内，根据需要，也能够对种类、量、组成、比率、形状、和尺寸等进行省略、变更、和/或追加。
[0044]＜背面研磨带＞
[0045]本实施方式中的背面研磨带(以下，也称为“BG带”。)具有片状的基材、和在基材的一面形成的粘着剂层。粘着剂层由后述粘着剂组合物的固化物形成，优选为单层结构。另外，这里所谓的“带”的形状不限于带状的形状，可以为任意的形状，也包含矩形、圆板状的片。
[0046](基材)
[0047]基材的材质可以适当选择，可举出例如，树脂材料等。作为树脂材料，可举出聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等聚烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸乙本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种背面研磨带，其特征在于，是具有片状的基材、和在所述基材的一面形成的粘着剂层的背面研磨带，所述粘着剂层由粘着剂组合物的固化物形成，厚度为50～500μm，所述粘着剂组合物包含聚氨酯(A)、(甲基)丙烯酸酯单体(B)、链转移剂(C)、光聚合引发剂(D)和离子液体(E)，所述聚氨酯(A)包含聚氨酯(a1)，所述聚氨酯(a1)具有包含来源于聚氧亚烷基多元醇的结构和来源于多异氰酸酯的结构的骨架，且在多个末端具有(甲基)丙烯酰基，所述粘着剂组合物含有离子液体(E)0.4～6质量％。2.根据权利要求1所述的背面研磨带，所述粘着剂层为单层结构。3.根据权利要求1或2所述的背面研磨带，所述(甲基)丙烯酸酯单体(B)含有单官能(甲基)丙烯酸酯和多官能(甲基)丙烯酸酯。4.根据权利要求1～3中任一项所述的背面研磨带，所述离子液体(E)为包含选自季铵离子、亚胺离子和锍离子中的有机阳离子的化合物。5.根据权利要求1～4中任一项所述的背面研磨带，所述离子液体(E)为包含含氟有机阴离子的化合物。6.根据权利要求1～5中任一项所述的背面研磨带，所述离子液体(E)为包含1
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乙基
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甲基咪唑阳离子和/或4
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甲基
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辛基吡啶阳离子、和双(氟磺酰)酰亚胺阴离子即(FSO2)2N
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的化合物。7.根据权利要求1～6中任一项所述的背面研磨带，所述链转移剂(C)为多官能硫醇。8.根据权利要求1～7中任一项所述的背面研磨带，所述粘着剂层的凝胶分率为50～65质量...

【专利技术属性】
技术研发人员：池谷达宏，中西健一，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：