【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及液晶显示(LCD)器件，特别涉及可以提高孔径比和图像质量可靠性的面内切换模式(in-plane switching mode)LCD器件及其制造方法。
技术介绍
主要用做高图像质量和低功耗的平板显示装置中的扭转向列模式的LCD器件具有窄视角。造成窄视角的原因是，液晶分子的折射各向异性以及当把电压施加到扭转向列模式LCD器件时，液晶分子相对于基板在垂直方向取向。相反，由于在把电压施加到面内切换模式LCD器件时，液晶分子在平行于基板的方向取向，因此面内切换模式LCD具有宽视角。图1是示出了现有技术的面内切换模式LCD的像素的平面图，图1B为图1A中沿着线I-I’的剖面图。如图1A所示，选通线(gate line)1和数据线3排列在透明第一基板10上的纵向和横向方向中以限定出像素。在包括具有多个像素的显示板的LCD器件中，n个选通线1和m个数据线3交叉以构成n×m个像素。在像素中，薄膜晶体管9形成在一个选通线1和一个数据线3的交叉点处。薄膜晶体管9包括栅电极1a、源电极2a和漏电极2b，栅电极1a、源电极2a和漏电极2b分别连接到选通线1、数据线3和像...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种面内切换模式液晶显示器件，包括第一基板和第二基板；在第一基板上以矩阵形式排列的多个选通线和数据线，用以限定出像素；在选通线和数据线的交叉部分上的薄膜晶体管；在选通线、数据线以及薄膜晶体管之上的黑底；在像素中的滤色器层；在滤色器层之上的至少一对公共电极和像素电极；以及在第一和第二基板之间的液晶层。2.根据权利要求1的器件，其中薄膜晶体管进一步包括栅电极；在栅电极上的栅绝缘层；在栅绝缘层上的半导体层；以及在半导体层上的源电极和漏电极。3.根据权利要求1的器件，进一步包括与选通线之一重叠的存储电极，该存储电极位于栅绝缘层上并连接到像素电极。4.根据权利要求1的器件，进一步包括在滤色器层上的外附层。5.根据权利要求1的器件，进一步包括与选通线平行的公共线。6.根据权利要求5的器件，进一步包括与公共线重叠的存储电极。7.根据权利要求1的器件，其中公共电极的第一部分与数据线重叠。8.根据权利要求7的器件，其中公共电极的第二部分与选通线中的一个选通线和薄膜晶体管重叠。9.根据权利要求8的器件，其中公共电极的第三部分与选通线中的另一个选通线重叠。10.根据权利要求1的器件，其中像素电极位于公共电极之间，并且每个公共电极与每个像素电极之间具有预定间隙。11.根据权利要求1的器件，进一步包括第一基板上的选通焊盘和数据焊盘。12.根据权利要求11的器件，其中选通...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪泂基，郑镇烈，
申请(专利权)人：LG飞利浦LCD有限公司，
类型：发明
国别省市：
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