自动光学近似校正规则的产生制造技术

一种产生一组规则的方法，该规则被用于自动地将光学近似校正技术应用到标线设计，该设计包括多个特征，所述方法包括步骤：　　　　产生第一组规则，其用于将散射带辅助特征应用到用于一个给定照明设置的所述多个特征中；　　　　产生第二组规则，其用于将偏置应用到所述多个特征中，该特征用于所述给定的照明设置；以及　　　　形成一个查找表，该表包括所述第一组规则和所述第二组规则。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及光刻技术，尤其涉及一种产生一组规则的方法，该规则用于自动地将光学近似校正(OPC)技术应用到在一个衬底上被成像的掩膜图形上。本专利技术也涉及一种在平板印刷投影装置中的这样一种校准技术的使用，其一般包括-用于提供投影一束辐射光的辐射系统；-用于支持图形形成装置(例如掩膜)的一种支撑结构，该图形形成装置根据所要求的图形来形成投影光束；-用于支持一个衬底的衬底片；以及-用于将组成图形的光束投影到衬底的目标部分的投影系统。
技术介绍
平板印刷装置能够在例如集成电路(IC)的制造中使用。在这种情况下，掩膜可以包括对应于IC的一个单个层的(印刷电路)电路图形，以及这种图形能够在一个衬底(硅晶片)的目标部分(例如，包括一个或者多个印模)上被成像，该衬底被一层辐射敏感材料(抗蚀剂)所覆盖。一般来说，一个单晶片将包括相邻目标部分的整个网络，这些目标部分经由投影系统一次一个的被接连照射。在一种类型的平板印刷投影装置中，通过一次将整个掩膜图形曝光到目标部分上，来照射各个目标部分；这样一种装置通常被称为晶片分档器。在另一种装置中——通常称为分步扫描装置——通过借助投影光束在一给定的参考方向(“扫描”方向)上逐渐扫描掩膜图形来照射各个目标部分，同时以并行或者反并行该方向扫描该衬底片；因为，一般来说，投影系统具有一个放大因子M(通常＜1)，扫描该衬底片的速度V将是扫描该掩膜片速度的因子M倍。有关在这里所述的平板印刷设备的更多的信息能够从例如US6,046,792中搜集到，在此引用作为参考。在利用平板印刷投影装置的一个制造过程中，掩膜图形在一个衬底上被成像，该衬底至少部分的被一层辐射敏感材料(抗蚀剂)所覆盖。在该成像步骤之前，该衬底可能经历了诸如起动(prming)，抗蚀剂涂层和软烘焙这样的不同的过程。在曝光之后，该衬底可能经历诸如曝光后烘焙(PEB)，显影，硬烘焙和成像特征的测量/检查这样的其它的过程。这套过程用作形成例如IC这种设备的一个单个层的基础。然后，这种组成图形的层可能经历诸如蚀刻，离子注入(掺杂)，金属喷镀，氧化，化学机械抛光等不同的过程，所有上述的处理过程都试图来完成一个单个层。如果要求了若干层，那么为了各个新的层，整个过程或者其变化将不得不重复。最后，在该衬底(晶片)上将呈现一排器件。然后这些器件利用诸如切割或者锯切这样的技术被彼此分离，这样，单个器件能被安装到一个载体上，连接到插脚等等。此外，有关这种过程的信息包括在例如“微芯片制作半导体工艺指引”书中(第三版，作者Petervan Zant，McGrawHill出版社1997年出版，书号ISBN0-07-067250-4)，在此引入作为参考。出于简明的目的，下文中投影系统可以被称为“透镜”；然而，该术语应被概括的解释为拥有各种类型的投影系统，包括例如折射光学，反射光学，以及反射折射光系统。辐射系统也可以包括根据这些设计类型任何一种来操作的元件，用于引导，成型或者控制该束投影辐射光，并且这些元件在下面也可能一块儿或者单独的被称为“透镜”。此外，该平板印刷装置可以是具有两个或多个衬底片(以及/或者两个或者多个掩膜片)的一种类型。在这样一种“多级”设备中，附加片可以被平行的使用，或者准备步骤可以在一个或者多个片上执行，同时一个或者多个其它的片被用于曝光。两级的平板印刷装置在例如US5969441和WO98/40791中被描述，在此引入作为参考。上文中涉及到的照相平板印刷掩模包括几何图形，该图形对应于将被集成到硅晶片上的电路元件。被用于创建这种掩膜的图形利用CAD(计算机辅助设计)程序来产生，这个过程通常被称为EDA(电子设计自动化)。为了创建函数性的掩膜，大多数CAD程序遵循一组预先确定的设计规则。这些规则通过处理和设计限度来设置。例如，设计规则详细说明了电路器件(诸如门电路，电容器等)之间或者互连线路之间的空间容差，为的是确保电路器件或者线路不会以不希望的方式相互影响。该设计规则限度典型的被称为“临界尺寸”(CD)。一个电路的临界尺寸能被定义为线路的最小宽度或者两个线路之间的最小空间。因此，CD确定了所设计电路的整体尺寸和密度。当然，集成电路制造的目的之一是在晶片(经由掩膜)上精确再现原始电路设计。另一个目的是尽可能多的使用半导体晶片实体(real estate)。然而，当集成电路的尺寸被减小而密度增加时，其对应掩膜图形的CD接近光学曝光工具的分辨率限制。用于曝光工具的分辨率被定义为最小特征，该特征是曝光工具能够重复在晶片上曝光。当前曝光设备的分辨率值通常抑制了用于多种先进的IC电路设计的CD。当电路设计的临界尺寸变小并且接近曝光工具的分辨率值时，掩膜图形和在光致抗蚀剂层上显影的实际电路图形之间的一致性被大大的减小了。在掩膜和实际电路图形中的差别的等级和数量取决于电路特征彼此之间的近似程度。因此，图形转移的问题被称为“邻近效应(proximity effect)”。为了帮助克服邻近效应这个严重的问题，多种技术用于将平板印刷引深特征加入到掩膜图形中。平板印刷引深特征具有小于曝光工具的分辨率的尺寸，从而不会转移到光致抗蚀剂层。相反，平板印刷引深特征与原始的掩膜图形相互作用并且补偿邻近效应，从而改善最终的被转移的电路图形。这种平板印刷引深特征的实例是散射带和抗散射带，诸如在美国专利US5,821,014(在此引入作为参考)中公开的那样，其被加到掩膜图形中以减少由邻近效应引起的在掩膜图形中的特征之间的差别。尤其是，引深的分辨率辅助特征，或者散射带，已经被用作一种方式去校正光邻近效应，以及已经被示出对于增加整体的处理窗口(即，具有一个具体CD的一贯的印刷特征而不管该特征是否已经被分离或者相对于邻近特征被紧密压缩的性能)是有效的。正如在‘014专利中所述，一般来说，通过改善对于绝缘特征的低密度聚焦的深度，通过将散射带放置到这些特征附近来进行光近似校正。执行散射带函数以改变更密集的有效的图形密度(被绝缘的或者较低的密集特征)，从而拒绝了不希望的与被绝缘的或者较低密集特征的印刷相关联的邻近效应。然而，散射带自身不在晶片上被印刷是重要的。为了定位中间的节距(pitch)特征，其中没有空间来插入SB，一种典型的光学近似校正(OPC)方法是调整特征边缘(或者应用偏差)以便该印刷特征宽度接近于想要的宽度。为了使用引深的分辨率特征和/或者特征偏置对于减少光学邻近效应是有效的，要求一个真正具有有关掩膜设计和印刷处理的足够知识的，以及具有足够经验的操作员，来修正掩膜设计以包括次分辨率特征和/或者特征边缘(偏置)的调整，如果要达到所希望目标的话。的确，甚至当有经验的操作员执行这个任务时，通常必须进行“反复实验”的过程以便正确定位引深的分辨率特征，来获得所希望的校正。这部分的是由于OPC规则不是通用的这样一个事实，因为最佳分辨率是随着成像系统的照明设置，该种类型的抗蚀剂，以及其它的处理因素而变化的。同样，反复实验的过程，其需要重复的掩膜修订接着重复的仿真，可能带来时间的消耗和代价很高的处理过程。因此，存在一种需要即自动产生一组将OPC技术应用到一给定掩膜设计的规则的方法，该给定的掩膜设计消除了时间消耗和高成本的反复实验的要求，这种反复实验通常当修改一个掩膜设计以包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种产生一组规则的方法，该规则被用于自动地将光学近似校正技术应用到标线设计，该设计包括多个特征，所述方法包括步骤；产生第一组规则，其用于将散射带辅助特征应用到用于一个给定照明设置的所述多个特征中；产生第二组规则，其用于将偏置应用到所述多个特征中，该特征用于所述给定的照明设置；以及形成一个查找表，该表包括所述第一组规则和所述第二组规则。2.根据权利要求1的产生一组规则的方法，该组规则用于自动地将光学近似校正技术应用到标线设计中，该设计包括多个特征，其中所述产生第一组规则的步骤包括步骤；定义一组将被用于成像所述标线的照明设置；基于所述的照明设置组执行具有不同节距的多个线路的光学仿真；确定所述散射带相对于所述多个线路的最佳位置，以便为了所述照明设置，优化所述多个线路的成像；以及记录所述散射带的最佳位置。3.根据权利要求1的产生一组规则的方法，该规则用于自动地将光学近似校正技术应用到标线设计中，该设计包括多个特征，其中所述产生第二组规则的步骤包括步骤产生一个测试标线，其包括一组被选择的测试结构和一种抗蚀剂；利用所述的照明设置和将被用于成像所述标线的成像系统，在一个衬底上成像所述测试标线；测量在所述衬底上成像的该组所选测试结构的临界尺寸；基于该组被选测试结构和被选测试结构的成像组之间的差别，来产生表示所述成像系统和所述抗蚀剂的打印性能的模型；以及利用所述模型来定义用于将偏置应用于所述多个特征的所述第二组规则。4.根据权利要求3的产生一组规则的方法，该规则用于自动地将光学近似校正技术应用到标线设计中，该设计包括多个特征，其中偏置需求被定义为基于所述模型的多个不同特征节距间隔之一。5.根据权利要求2的产生一组规则的方法，该规则用于自动地将光学近似校正技术应用到标线设计中，该设计包括多个特征，其中散射带需求被定义为多个不同特征节距间隔之一。6.根据权利要求4的产生一组规则的方法，该规则用于自动地将光学近似校正技术应用到标线设计，该设计包括多个特征，其中当定义该给定节距间隔的偏置需求时，在一个给定节距间隔内的散射带布局被考虑。7.根据权利要求1的产生一组规则的方法，该规则用于自动地将光学近似校正技术应用到标线设计，该设计包括多个特征，进一步包括产生第三组规则，该规则用于将线端校正应用到所述的多个特征。8.一种自动地将光学近似校正技术应用到包括多个特征的标线设计的方法，所述方法包括步骤产生第一组规则，其用于将散射带辅助特征应用到所述的多个特征中；产生第二组规则，其用于将偏置应用到所述多个特征中；形成一个查找表，该表包括所述第一组规则和所述第二组规则；以及利用包含在所述查找表中的所述第一组规则和所述第二组规则来分析各个特征，以确定所述第一组规则或者所述第二组规则对一个给定的特征是否适合；其中，如果所述第一组规则或所述第二组规则适合于所述给定的特征，那么根据该应用规则来修改所述给定的特征。9.根据权利要求8自动地将光学近似校正技术应用到标线设计中的方法，该设计包括多个特征，其中所述产生第一组规则的步骤包括步骤定义一组将被用于成像所述标线的照明设置；基于所述的照明设置组执行具有不同节距的多个线路的光学仿真；确定所述散射带相对于所述多个线路的最佳位置，以便为了所述照明设置，优化所述多个线路的成像；以及记录所述散射带的最佳位置。10.根据权利要求8的自动地将光学近似校正技术应用到标线设计中的方法，该设计包括多个特征，其中所述产生第二组规则的步骤包括步骤产生一个测试标线，其包括一组被选择的测试结构和一种抗蚀剂；利用所述的照明设置和将被用于成像所述标线的成像系统，在一个衬底上成像所述测试标线；测量在所述衬底上成像的该组所选测试结构的临界尺寸...

【专利技术属性】
技术研发人员：X·施，J·F·陈，
申请(专利权)人：ASML蒙片工具有限公司，
类型：发明
国别省市：