显示装置以及影像处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置以及影像处理方法，显示装置(30)包括发光轮廓制作电路(32)和影像信号调整电路(33)，发光轮廓制作电路(32)根据第一影像信号(B)，制作第一发光轮廓(p(B))，影像信号调整电路(33)基于第一发光轮廓(p(B))来调整第二影像信号(R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置以及影像处理方法


[0001]本专利技术涉及显示装置以及影像处理方法。

技术介绍

[0002]近年来，开发了各种各样的显示装置，特别是，具备或QLED(Quantum dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)的显示装置从能够实现低功耗化、薄型化及高画质化等方面出发，备受关注。而且，在这些显示装置中，为了实现进一步的高画质化，一般进行影像信号的校正等影像处理。
[0003]关于对平面显示器的影像信号的校正处理，例如，在专利文献1中公开了如下技术：在液晶显示装置中，根据施加于相邻像素的信号计算串扰量，进行影像信号的校正，该串扰量由于绝缘层的厚度与像素的大小的关系而产生。现有技术文献专利文献
[0004]专利文献1：日本国公开专利公报“特开2000
‑
321559公报”(2000年11月24日公开)

技术实现思路

本专利技术所要解决的技术问题
[0005]但是，在专利文献1所公开的技术的情况下，其影像信号的校正的对象限于与共用的源极布线或共用的栅极布线连接或者电耦合的相邻像素，所以存在以下说明那样的问题：无法对于来自非电性关联的像素的杂散光的影响进行影像信号的校正。
[0006]图7是示出作为具有QLED的显示装置的一个例子的显示装置100的概略构成的图。
[0007]显示装置100具备：量子点发光二极管105R，其具有红色R的发光层；量子点发光二极管105G，其具有绿色G的发光层；以及量子点发光二极管105B，其具有蓝色B的发光层。并且，这些量子点发光二极管105R、105G、105B分别在显示装置100中构成一个子像素。这些量子点发光二极管105R、105G、105B分别形成在未图示的基板上，在这些量子点发光二极管105R、105G、105B的各自的光出射面侧具备密封层106。
[0008]量子点发光二极管105R、105G、105B中存在两个发光模式。即，通过电能激发量子点而发光的EL(电致发光)模式、和通过光激发量子点而发光的PL(光致发光)模式。显示装置100通过使用上述EL模式，将与RGB的各波长对应的量子点的材料用于发光层，并且分别通过规定的电能控制，使得从量子点发光二极管105R发出基于EL模式的红色光R(EL)、从量子点发光二极管105G发出基于EL模式的绿色光G(EL)、从量子点发光二极管105B发出基于EL模式的蓝色光B(EL)，从而实现自发光显示装置。
[0009]然而，在来自量子点发光二极管105R、105G、105B的基于EL模式的各颜色光中，包含杂散光。在图7中，仅图示了来自量子点发光二极管105B的基于EL模式的蓝色光B(EL)中所包含的杂散光B(M)，但在来自量子点发光二极管105R的基于EL模式的红色光R(EL)以及
来自量子点发光二极管105G的基于EL模式的绿色光G(EL)中也包含杂散光。
[0010]如图7所图示，由于来自量子点发光二极管105B的基于EL模式的蓝色光B(EL)中所包含的杂散光B(M)的影响，在量子点发光二极管105R
·
105G中，除了原本的EL模式下的发光以外，会产生由于杂散光B(M)引起的在PL模式下的多余的激发光R(PL)
·
G(PL)。因此，由于附近的量子点发光二极管105B的发光，在量子点发光二极管105R
·
105G中，存在其发光强度变得与原本想要的发光强度不同之类的问题。
[0011]另外，量子点发光二极管105R中的、PL模式中的多余的激发光R(PL)也包含来自量子点发光二极管105G的基于EL模式的绿色光G(EL)中所包含的杂散光(未图示)的影响。
[0012]本专利技术的一个方式是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供能够对杂散光的影响进行影像信号的校正的显示装置和影像处理方法。解决问题的方案
[0013]为了解决上述问题，本专利技术的显示装置包括：第一子像素以及第二子像素，所述第一子像素具备以第一颜色发光的第一发光层，所述第二子像素具备以第二颜色发光的第二发光层，所述第二颜色的波长比所述第一颜色的波长长，所述第二发光层包含量子点，所述显示装置包括：发光轮廓制作电路，其根据与所述第一子像素对应的第一影像信号，制作所述第一子像素的第一发光轮廓；以及影像信号调整电路，其基于所述第一发光轮廓来调整与所述第二子像素对应的第二影像信号。
[0014]为了解决上述问题，本专利技术的影像处理方法为显示装置中的影像处理方法，所述显示装置包括第一子像素以及第二子像素，所述第一子像素具备以第一颜色发光的第一发光层，所述第二子像素具备以比所述第一颜色的波长长的波长来发光的第二发光层，所述第二发光层包含量子点，所述影像处理方法包括：发光轮廓制作步骤，根据与所述第一子像素对应的第一影像信号，制作所述第一子像素的第一发光轮廓；以及影像信号调整步骤，基于所述第一发光轮廓来调整与所述第二子像素对应的第二影像信号。专利技术效果
[0015]根据本专利技术的一个方式，能够提供对杂散光的影响进行影像信号的校正的显示装置和影像处理方法。
附图说明
[0016]图1的(a)是示出第一实施方式的显示装置所具备的显示面板的构成的示意性俯视图，图1的(b)是示出第一实施方式所具备的显示装置所具备的显示面板的构成的剖视图。
图2是示出第一实施方式的显示装置的电路的构成例的图。图3的(a)是用于说明第一实施方式的显示装置所具备的、在发光轮廓制作电路以及影像信号调整电路中进行的影像处理的图，图3的(b)是示出在发光轮廓制作电路中使用的点扩散函数(psf)的一个例子的图，图3的(c)是示出在影像信号调整电路中进行的PL光校正的一个例子的图。图4的(a)是示出点扩散函数(psf)的一个例子的二维高斯分布的图，图4的(b)是示出在发光轮廓制作电路中进行的卷积运算中使用的γ变换后的第一影像信号的数据值的一个例子的图，图4的(c)是示出在发光轮廓制作电路中进行的卷积运算中使用的图4的(a)所示的点扩散函数(psf)的数据值的图。图5是示出第二实施方式的显示装置的电路的构成例的图。图6是示出第三实施方式的显示装置的电路的构成例的图。图7是示出具有QLED的显示装置的一个例子的图。
具体实施方式
[0017]若基于图1至图6说明本专利技术的实施方式，则如下所述。以下，为了便于说明，有时对与在特定的实施方式中说明的构成具有同一功能的构成，标注相同的附图标记，并省略其说明。
[0018]〔第一实施方式〕图1的(a)是示出第一实施方式的显示装置30所具备的显示面板1的构成的示意性俯视图，图1的(b)是示出第一实施方式的显示装置30所具备的显示面板1的构成的剖视图。
[0019]如图1的(a)所示，显示面板1包括显示区域DA和包围显示区域DA的边框区域NDA。在显示区域DA中具备有多个子像素(Sub pixel)SP。
[0020]如图1的(b)所示，在显示面板1的显示区域DA中，基板1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，其包括：第一子像素以及第二子像素，所述第一子像素具备以第一颜色发光的第一发光层，所述第二子像素具备以第二颜色发光的第二发光层，所述第二颜色的波长比所述第一颜色的波长长，所述第二发光层包含量子点，所述显示装置的特征在于，包括：发光轮廓制作电路，其根据与所述第一子像素对应的第一影像信号，制作所述第一子像素的第一发光轮廓；以及影像信号调整电路，其基于所述第一发光轮廓来调整与所述第二子像素对应的第二影像信号。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述发光轮廓制作电路基于所述第一影像信号和第一函数进行运算，并制作所述第一发光轮廓。3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一函数是表示所述第一子像素被点亮时的以所述第一子像素为中心的亮度分布的点扩散函数。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的显示装置，其特征在于，所述影像信号调整电路基于所述第一发光轮廓，对所述第二影像信号进行减法处理。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置，其特征在于，还包含第三子像素，所述第三子像素具备以第三颜色进行发光且包含量子点的第三发光层，所述第三颜色的波长比所述第二颜色的波长长。6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述影像信号调整电路基于所述第一发光轮廓来调整与所述第三子像素对应的第三影像信号。7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述发光轮廓制作电路根据所述第二影像信号，制作所述第二子像素的第二发光轮廓，所述影像信号调整电路基于所述第二发光轮廓来调整所述第三影像信号。8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述影像信号调整电路基于所述第二发光轮廓，对所述第三影像信号进行减法处理。9.根据权利要求7或8所述的显示装置，其特征在于，所述发光轮廓制作电路基于所述第二影像信号和第二函数进行运算，并制作所述第二发光轮廓。10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述第二函数是表示所述第二子像素被点亮时的以所述第二子像素为中心的亮度分布的点扩散函数。11.根据权利要求6至...

【专利技术属性】
技术研发人员：古川浩之，上野雅史，井上尚人，鸟殿智惠，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：