压印方法和压印装置及磁记录媒体的制造方法和制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及压印制造方法、其制造装置、磁记录媒体的制造方法及其制造装置。本发明专利技术提供一种能延长模具寿命及／或对被处理体能施以高品质处理的压印方法及装置。提供的压印方法及装置具有以下特征，具有：利用高压气体或超临界流体使由涂抹了抗蚀层的底板构成的被处理体的上述抗蚀层变得柔软的工序；和将形成有规定图案的模具推压到上述被处理体的上述抗蚀层上，以将上述规定图案转印到上述抗蚀层上的工序。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压印(imprint)制造方法、其制造装置、磁记录媒体的制造方法及其制造装置。
技术介绍
半导体制造中的微细图案形成技术的进步非常明显。目前要求的是100nm以下水平(1evel)的线宽加工精度，这正逐渐变成现实。作为在硅片(silicon wafer)上的抗蚀层上形成微细图案的技术有光刻(lithography)、电子束直接蚀刻等。有关光刻，虽然通过使光源的波长变短能够提高分辨率，但是这些装置价格昂贵同时也难以进行100nm以下的转印。另一方面，电子束直接蚀刻虽然分辨率高但无法大量生产。作为克服具有这些微细图案的器件的大量生产的现有问题的技术，提出了纳米压印蚀刻法(Nano imprint lithography；NIL)的方案(例如，参照专利文献1-美国专利5772905号)。该NIL是通过用具有纳米尺度的微细结构的模具对硅片的抗蚀层施加压力，从而在该抗蚀层上设置微细图案。用图9来说明有关NIL的工序。例如，使用在模具3上以电子束直接蚀刻硅的热氧化膜来形成蚀刻图案。首先，如图9(a)所示，在硅片4上利用热塑性树脂PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)等形成作为抗蚀层的薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压印方法，其特征在于，具有：利用加压气体或超临界流体，使由涂抹了抗蚀层的底板组成的作为被处理体的上述抗蚀层变得柔软的工序；和将形成有规定图案的模具推压在上述被处理体的上述抗蚀层上，以将上述规定图案转印到上述抗蚀层的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-1-7 2003-0011711.一种压印方法，其特征在于，具有利用加压气体或超临界流体，使由涂抹了抗蚀层的底板组成的作为被处理体的上述抗蚀层变得柔软的工序；和将形成有规定图案的模具推压在上述被处理体的上述抗蚀层上，以将上述规定图案转印到上述抗蚀层的工序。2.如权利要求1所述的压印方法，其特征在于在上述转印工序之后，还有以超临界气体清洗上述抗蚀层的工序。3.如权利要求2所述的压印方法，其特征在于在上述清洗工序中，上述超临界气体的压力在大于或等于7Mpa至小于或等于10MPa。4.如权利要求1所述的压印方法，其特征在于上述模具由透明的材料构成，还具有使上述被处理体和上述模具位置吻合的对准工序。5.如权利要求1所述的压印方法，其特征在于上述加压气体为加压CO2。6.如权利要求1所述的压印方法，其特征在于上述超临界流体为超临界CO27.一种压印方法，其特征在于，具有使由涂抹了抗蚀层的底板构成的作为被处理体的上述抗蚀层变得柔软的工序；和将形成有规定图案的模具以小于或等于5MPa的加压压力推压到上述被处理体的上述抗蚀层上，以将上述规定图案转印到上述抗蚀层上的工序。8.一种压印方法，其特征在于，具有使加压气体或超临界流体加压渗透的、使由涂抹有抗蚀层的底板构成的作为被处理体的上述抗蚀层变得柔软的工序；将形成有规定图案的模具推压到上述被处理体的上述抗蚀层上、以将上述规定图案转印到上述抗蚀层上的工序；在该转印后，通过使上述加压气体或上述超临界流体减压来固化上述抗蚀层的工序。9.如权利要求8所述的压印方法，其特征在于上述加压气体为加压CO2。10.如权利要求8所述的压印方法，其特征在于上述超临界流体为超临界CO2。11.如权利要求8所述的压印方法，其特征在于上述抗蚀层为聚甲基丙烯酸甲酯。12.如权利要求8所述的压印方法，其特征在于上述抗蚀层的厚度在等于或小于50μm。13.如权利要求8所述的压印方法，其特征在于在使上述抗蚀层变得柔软的工序中，使与上述加压气体或上述超临界流体一起溶解于其中的低分子防水剂加压渗透在上述抗蚀层中。14.如权利要求8所述的压印方法，其特征在于上述防水剂的分子量在100到10000的范围内，并且含有硅油或氟。15.如权利要求8所述的压印方法，其特征在于还具有将上述模具的温度维持在上述抗蚀层的玻璃转变温度以下的恒定温度的工序。16.如权利要求8所述的压印方法，其特征在于在使上述抗蚀层变得柔软的工序中，使上述加压气体或上述超临界气体以等于或大于7MPa并且等于或大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：游佐敦，杉山寿纪，
申请(专利权)人：日立麦克赛尔株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]