【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于光刻装置的水平传感器。
技术介绍
光刻投射装置在现有技术中是公知的,通常包括用于提供辐射投射光束的辐射系统;用于支撑构图部件的支撑结构,所述构图部件用于根据所需的图案对投射光束进行构图;用于保持基底的基底台;用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统。这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的部件,其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致;本文中也使用术语“光阀”。一般地,所述图案与在靶部中形成的器件的特殊功能层相应,如集成电路或者其它器件(如下文)。这种构图部件的示例包括■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型,以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下,支撑结构一般是一个掩模台,它能够保证掩模被保持在入射光束中的所需位置,并且如果需要该台会相对光束移动。■程控反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和 ...
【技术保护点】
一种用于光刻投射装置的水平传感器,该水平传感器包括一个光源、一个第一反射器、一个第二反射器以及一个检测器,该第一反射器定位成使来自光源的光导向晶片表面,该第二反射器定位成将从晶片表面反射的光导向检测器,其中对该第一和第二反射器进行选择,从而产生最小的工艺相关视在表面凹陷。
【技术特征摘要】
EP 2003-1-14 03075118.41.一种用于光刻投射装置的水平传感器,该水平传感器包括一个光源、一个第一反射器、一个第二反射器以及一个检测器,该第一反射器定位成使来自光源的光导向晶片表面,该第二反射器定位成将从晶片表面反射的光导向检测器,其中对该第一和第二反射器进行选择,从而产生最小的工艺相关视在表面凹陷。2.多个光刻投射装置,包括用于提供辐射投射光束的辐射系统;用于支撑构图部件的支撑结构,所述构图部件用于根据所需的图案对投射光束进行构图;用于保持基底的基底台;用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统,其中每个光刻装置还包括一个水平传感器,该水平传感器包括一个光源、一个第一反射器、一个第二反射器以及一个检测器,该第一反射器定位成使来自光源的光导向晶片表面,该第二反射器定位成将从晶片表面反射的光导向检测器,其中每个水平传感器的第一和第二反射器基本上相同,因此基本上消除了每个光刻装置之间的工艺相关视在表面凹陷的相对变化。3.根据权利要求1或2的装置,其中该第一和第二反射器为反射镜。4.根据权利要求3的装置,其中该反射镜是金属的,并且涂敷有一种透明材料。5.根据权利要求4的装置,其中该材料是Al2O3、MgF2或SiO2中的一种。6.根据权利要求3或4的装置,其中在每个反射镜上的涂层是厚度为275+/-40nm的Al2O3,或者是具有等效光学厚度的另一种材...
【专利技术属性】
技术研发人员:PAA特尼森,PJM布鲁德巴克,RMGJ奎恩斯,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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