【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在真空环境中、在作为基片的半导体晶片上、对图形进行曝光的曝光装置。
技术介绍
在半导体集成电路等半导体器件、微型机器、薄膜磁头等形成有微小的图形的器件的制造过程中，通过或不通过作为投影系统的投影透镜(该用语以下作为折射透镜、反射透镜、反射折射透镜系统、电荷粒子透镜等的总称进行使用)，将作为曝光能源的曝光光(该用语以下作为可见光、紫外光、EUV光、X射线、电子射线、电荷粒子射线等的总称进行使用)经由原版--掩模照射在作为被复制体——基片的半导体晶片上，由此在基片上形成所希望的图形。在制造半导体器件时，在相对表面涂敷有保护层的半导体晶片，准备好与所希望的电路图形相对应的掩模的情况下，在经由掩模将曝光光照射在半导体晶片上、有选择地对保护层进行曝光、复制电路图形后，进行蚀刻工序和成膜工序。通过反复进行包含曝光工序的这一系列工序，能在半导体晶片上形成所希望的电路。在不使用掩模，直接在半导体晶片上画电路图形，对保护层进行曝光的场合，用同样的工序也能在半导体晶片上形成所希望的电路。如在日本专利公报特开平09-298142号上公开了将在波长5～15nm(弱X...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在真空环境内对基片进行曝光的曝光装置，其特征是包含以下部件真空室；设置在上述真空室内的曝光结构体；和用于支承上述曝光结构体，具有设置在上述真空室内的金属波纹管的除振机构。2.根据权利要求1的曝光装置，其特征是上述除振机构具有用金属波纹管制成的气体弹簧。3.根据权利要求2的曝光装置，其特征是上述除振机构具有偏移吸收机构，该偏移吸收机构吸收平行于和上述气体弹簧的伸缩方向交叉的面的方向上的偏移。4.根据权利要求3的曝光装置，其特征是上述偏移吸收机构具有万向活塞。5.根据权利要求1的曝光装置，其特征是在用上述金属波纹管制成的空间内，与周围的真空环境隔离地配置有位移传感器、振动传感器、执行元件中的至少一个元件。6.根据权利要求1的曝光装置，其特征是上述曝光结构体包含掩模载置台平台、镜筒平台、基片载置台平台中的至少一个。7.一种器件制造方法，其特征是包含以下工序将感光剂涂敷在基...
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