制备低介电膜的方法技术

本发明专利技术通过使用含Ｏ↓［２］气体等离子体、具有至少一个乙烯基或乙炔基的有机硅或有机硅酸酯化合物，或饱和有机硅或有机硅酸酯化合物和不饱和烃的混合物进行化学气相沉积制备了低介电常数的氢化硅－碳氧化物（ＳｉＣＯ：Ｈ）膜。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种改进的等离子体化学气相沉积(CVD)方法，其用于制备低介电常数的氢化硅-碳氧化物(SiCO:H)膜。
技术介绍
随着ULSI(超大规模集成)电路中使用的电子器件的尺寸不断减小，出现了层内和/或层间电容增大的问题，从而引起信号延迟。因此，需要开发一种低介电常数(k)的材料，其k值低于常规的二氧化硅(SiO2)或氟氧化硅(SiOF)。US专利No.6,147,009公开了通过使含有Si、C、O和H原子的前体蒸气在平行板等离子体增强化学气相沉积室中发生反应而制得的一种低介电常数的材料。所述前体是具有环状结构的分子例如1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷(TMCTS，C4H16O4Si4)、四乙基环四硅氧烷(C8H24O4Si4)或十甲基环五硅氧烷(C10H30O5Si5)，其中有或没有氧加入。然而，该专利公开的膜的介电常数仍然较高(为3.3至4.0)。为了进一步减小该专利中所述的材料的介电常数，US专利No.6,312,793建议了一种包括两相或多相的低k材料。然而，这种多相材料的K值仍然大于3.2。因此，本专利技术人努力开发了一种介电常数比常规材料低的新型材料。专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备低介电常数的氢化硅－碳氧化物（ＳｉＣＯ∶Ｈ）膜的方法，其包括使用含Ｏ↓［２］气体等离子体、具有至少一个乙烯基或乙炔基的有机硅或有机硅酸酯化合物，或饱和有机硅或有机硅酸酯化合物和不饱和烃的混合物来进行化学气相沉积。

【技术特征摘要】
KR 2001-6-29 38050/20011.一种用于制备低介电常数的氢化硅-碳氧化物(SiCO:H)膜的方法，其包括使用含O2气体等离子体、具有至少一个乙烯基或乙炔基的有机硅或有机硅酸酯化合物，或饱和有机硅或有机硅酸酯化合物和不饱和烃的混合物来进行化学气相沉积。2.权利要求1的方法，其中所述饱和有机硅或有机硅酸酯化合物与不饱和烃混合物的混合比为1∶0.1至1∶10。3.权利要求1的方法，其中所述含有至少一个乙烯基或乙炔基的有机硅或有机硅酸酯化合物选自乙烯基三甲基硅烷、乙烯基三乙基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、1，3，5-三乙烯基-1，3，5-三甲基环三硅氧烷、1，3，5，7-四乙烯基-1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷、1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷、六乙烯基二硅氧烷、烯丙基二甲基硅烷、烯丙基二甲氧基硅烷、乙炔基三甲基硅烷、乙炔基三乙基硅烷以及它们的混合物。4.权利要求3的方法，其中所述含有至少一个乙烯基或乙炔基的有机硅或有机硅酸酯化合物选自乙烯基三甲基硅烷、1，3，5，7-四乙烯基-1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷、烯丙基二甲基硅烷、1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷、乙烯基三甲氧基硅烷和乙炔基三甲基硅烷。5.权利要求1的方法，其中所述饱和有机硅或有机硅酸酯化合物选自三甲基硅烷、三乙基硅烷、三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、四甲基硅烷、四乙基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、六甲基环三硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、四乙基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氧烷、双三甲基硅烷基甲烷、乙烯基三甲基硅烷、乙烯基三乙基硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：李时雨，郭相基，
申请(专利权)人：学校法人浦项工科大学校，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]