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本发明通过使用含Ｏ↓［２］气体等离子体、具有至少一个乙烯基或乙炔基的有机硅或有机硅酸酯化合物，或饱和有机硅或有机硅酸酯化合物和不饱和烃的混合物进行化学气相沉积制备了低介电常数的氢化硅－碳氧化物（ＳｉＣＯ：Ｈ）膜。...
该专利属于学校法人浦项工科大学校所有，仅供学习研究参考，未经过学校法人浦项工科大学校授权不得商用。

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