一种WCVD半导体设备的气体喷淋头制造技术

本实用新型专利技术涉及气体喷淋头技术领域，具体为一种WCVD半导体设备的气体喷淋头，包括喷头、第一缓冲腔、限流框和导气管，所述喷头内部的顶端设置有第一缓冲腔，且第一缓冲腔的底端设置有第一气孔，所述喷头顶端的中间位置固定连接有限流框，且限流框的一侧固定设置有第一滑槽，并且限流框顶端的一侧固定设置有第二滑槽。本实用新型专利技术通过固定块一侧的电动推杆推动第一滑块，可以使第一滑块在限流框上的第一滑槽内滑动，并带动旋转件在限流框的内部进行旋转，同时旋转件的顶端设置有活动块，通过旋转件旋转，可以使活动块底端的第三滑块在第三滑槽上滑动，并使活动块顶端的第二滑块在第二滑槽上滑动，通过活动块的移动，可以调节输气孔的大小。的大小。的大小。

【技术实现步骤摘要】
一种WCVD半导体设备的气体喷淋头


[0001]本技术涉及气体喷淋头
，具体为一种WCVD半导体设备的气体喷淋头。

技术介绍

[0002]随着半导体晶片尺寸越来越大，并且半导体器件尺寸越来越小，单晶片加工已成为主流，为了注入沉积处理，蚀刻处理和热处理的各种处理期间获得在具有大直径的整个晶片上的工艺均匀性，通常使用喷淋头将处理气体注入处理腔。
[0003]目前使用的WCVD半导体设备的气体喷淋头，气体流速不均匀，降低使用效率，气流量无法调节，无法更具不同情况进行调整。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种WCVD半导体设备的气体喷淋头，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种WCVD半导体设备的气体喷淋头，包括喷头、第一缓冲腔、限流框和导气管，所述喷头内部的顶端设置有第一缓冲腔，且第一缓冲腔的底端设置有第一气孔，所述喷头顶端的中间位置固定连接有限流框，且限流框的一侧固定设置有第一滑槽，并且限流框顶端的一侧固定设置有第二滑槽，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种WCVD半导体设备的气体喷淋头，其特征在于：包括喷头(1)、第一缓冲腔(101)、限流框(2)和导气管(7)，所述喷头(1)内部的顶端设置有第一缓冲腔(101)，且第一缓冲腔(101)的底端设置有第一气孔(102)，所述喷头(1)顶端的中间位置固定连接有限流框(2)，且限流框(2)的一侧固定设置有第一滑槽(201)，并且限流框(2)顶端的一侧固定设置有第二滑槽(202)，所述限流框(2)的内部活动连接有旋转件(3)，且旋转件(3)的一侧固定设置有第一滑块(301)，并且第一滑块(301)的外部滑动连接有第一滑槽(201)，所述旋转件(3)的顶端固定设置有第三滑槽(302)。2.根据权利要求1所述的一种WCVD半导体设备的气体喷淋头，其特征在于：所述喷头(1)内部的底端设置有第二缓冲腔(103)，且第二缓冲腔(103)的底端设置有第二气孔(104)。3.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兆荣，
申请(专利权)人：赛林斯弥无锡电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：