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本实用新型涉及气体喷淋头技术领域，具体为一种WCVD半导体设备的气体喷淋头，包括喷头、第一缓冲腔、限流框和导气管，所述喷头内部的顶端设置有第一缓冲腔，且第一缓冲腔的底端设置有第一气孔，所述喷头顶端的中间位置固定连接有限流框，且限流框的一侧固...
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