【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于光生伏打装置，特别是关于在晶体系半导体上形成非晶质半导体层的光生伏打装置。
技术介绍
现有，在通过由第一导电型的晶体系硅基板的表面上形成第二导电型的非晶硅层而形成pn结的光生伏打装置中，通过在第一导电型的晶体系硅基板与第二导电型的非晶硅层之间插入实质上真性的非晶硅层以改善接合特性的技术已人所共知。这一点，例如在特开2001-345463号公报中有说明。在上述特开2001-345463号公报中，公开了在n型的单晶硅基板上，顺次形成实质上真性的非晶硅层及p型非晶硅层，同时在n型单晶硅基板与实质上真性的非晶硅层之间导入硼的光生伏打装置。在该专利文献1中，由于使用等离子体CVD法，在约200℃以下的低温，在n型的单晶硅基板上，形成实质上真性的非搀杂的非晶硅层及p型的非晶硅层，所以，与使用约800℃以上的高温的热扩散法、从n型的单晶硅基板表面扩散p型杂质而形成pn结的情况不同，在能够抑制热损害的同时，还能够抑制p型杂质与n型杂质的相互扩散，其结果是得到良好的接合特性。但是在上述特开2001-345463号公报中所公开的光生伏打装置中，当在单晶硅基板上生成...
【技术保护点】
一种光生伏打装置，其特征在于，设置有：晶体系半导体；在所述晶体系半导体的表面上形成、实质上为真性的第一非晶质半导体层；和在所述第一非晶质半导体层的表面上形成的第一导电型的第二非晶质半导体层，在所述第一非晶质半 导体层中有氢浓度的峰。
【技术特征摘要】
JP 2003-3-20 2003-078115;JP 2004-1-13 2004-0050711.一种光生伏打装置，其特征在于，设置有晶体系半导体；在所述晶体系半导体的表面上形成、实质上为真性的第一非晶质半导体层；和在所述第一非晶质半导体层的表面上形成的第一导电型的第二非晶质半导体层，在所述第一非晶质半导体层中有氢浓度的峰。2.根据权利要求1所述的光生伏打装置，其特征在于所述第一非晶质半导体层具有实质上对发电没有贡献的小的厚度。3.根据权利要求2所述的光生伏打装置，其特征在于所述第一非晶质半导体层具有6nm以上15nm以下的厚度。4.根据权利要求3所述的光生伏打装置，其特征在于所述第一非晶质半导体层具有9nm以上13nm以下的厚度。5.根据权利要求1所述的光生伏打装置，其特征在于所述第一非晶质半导体层与所述第二非晶质半导体层的界面的氢浓度，设置为比所述第一非晶质半导体层中的氢浓度的峰要低的浓度。6.根据权利要求1所述的光生伏打装置，其特征在于所述第一非晶质半导体层中氢浓度的峰值与所述第一非晶质半导体层中氢浓度的最小值的差在9×1020原子/cm3以上。7.根据权利要求1所述的光生伏打装置，其特征在于所述第一非晶质半导体层中氢浓度的峰位于所述第一非晶质半导体层的厚度方向的中央部附近。8.根据权利要求1所述的光生伏打装置，其特征在于所述第一非晶质半导体层中氢浓度的峰位于比所述第一非晶质半导体层的厚度方向的中央部还靠近所述第一非晶质半导体层与所述第二非晶质半导体层的界面的位置。9.根据权利要求8所述的光生伏打装置，其特征在于所述第一非晶质半导体层中氢浓度的峰位于所述第一非晶质半导体层与所述第二非晶质半导体层的界面的附近。10.根据权利要求8所述的光生伏打装置，其特征在于所述第一非晶质半导体层中氢浓度的峰有两个。11.根据权利要求1所述的光生伏打装置，其特征在于，具有在...
【专利技术属性】
技术研发人员：寺川朗，浅海利夫，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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