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本发明提供一种光生伏打装置，设置有晶体系半导体，在所述晶体系半导体的表面上形成、实质上真性的第一非晶质半导体层，以及在所述第一非晶质半导体层的表面上形成的第一导电型的第二非晶质半导体层，在所述第一非晶质半导体层中有氢浓度的峰，由于由此能够增...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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