【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及从至少包括一个半导体器件的晶片制造半导体模块的方法。由于集成电路的不断小型化，出现了以下问题要将原本半导体与电路载体，即印刷电路板之间越来越多的电气连接安排在极其狭小的空间。但是，半导体芯片的结构和连接线越精细，所涉及材料的膨胀差异造成的危害就越大，尤其是以半导体为一方和以由塑料构成的印刷电路板为另一方的材料。中间载体或内插器对半导体芯片触点连接起主要作用，它将一个或多个芯片连接成一个模块或插件，然后在电路载体上进行触点连接。根据中间载体的组成材料，必须对其相对半导体和/或相对印刷电路板的热膨胀进行补偿。为此，已经公知从柔性导体元件到弹性垫片的各种措施。对于所谓的BGA(球栅阵列Ball Grid Array)技术，在一个中间载体的下面有扁平的直立突起，它使在印刷电路板上表面装配成为可能。此时，直立突起一方面用作为电连接，另一方面用作为不同材料之间，即中间载体与印刷电路板之间的膨胀补偿。在中间载体的上面，能固定半导体芯片和例如用焊丝触点连接。有一种倒装芯片装配也为人所知，此时未装外壳的半导体的接线直接在中间载体的上面与印制线连接。为了在这种情况...
【技术保护点】
通过以下步骤从至少包括一个半导体器件的半导体晶片制造半导体模块的方法，其步骤的顺序可以有所不同：ａ）半导体晶片（１）通过它的连接面直接与热塑薄膜（２）的上面连接，该薄膜的热膨胀系数与半导体材料的热膨胀系数几乎一样低；ｂ）在薄 膜（２）的上面形成扁平的金属内部接线（２４），并与晶片（１）的连接元件（１１）连接；ｃ）在薄膜（２）的下面通过热压形成突起（２１），其末端面构成外部接线（２５）；ｄ）在薄膜的下面与上面之间产生通孔（２２）；ｅ）在通孔 （２２）中和在薄膜（２）的下面以及在突起（２１）上，沉积金属...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2000-11-29 10059178.71.通过以下步骤从至少包括一个半导体器件的半导体晶片制造半导体模块的方法，其步骤的顺序可以有所不同a)半导体晶片(1)通过它的连接面直接与热塑薄膜(2)的上面连接，该薄膜的热膨胀系数与半导体材料的热膨胀系数几乎一样低；b)在薄膜(2)的上面形成扁平的金属内部接线(24)，并与晶片(1)的连接元件(11)连接；c)在薄膜(2)的下面通过热压形成突起(21)，其末端面构成外部接线(25)；d)在薄膜的下面与上面之间产生通孔(22)；e)在通孔(22)中和在薄膜(2)的下面以及在突起(21)上，沉积金属层(23)并进行结构化，使它相应形成从外部接线(25)经通孔(22)到内部接线(24)的印制电路，和f)在最后一个步骤中，把用薄膜(2)完成触点连接的晶片(1)分割成单个的半导体模块(10)。2.如权利要求1的方法，其特征在于下面的方法步骤排列a)将晶片(1)与薄膜(2)连接；c)通过对晶片(1)和薄膜(2)的结合进行热压，在薄膜的下面形成突起(21)；d)相应在晶片的连接元件(11)之下的范围生成通孔(22)，使得连接元件(11)在通孔(22)中不受拘束地放置；e)将金属层(23)沉积到薄膜(2)的下面和通孔(22)中，此时在通孔的上末端范围，按照步骤b)生成内部接线(24)，作为不受拘束放置的晶片连接元件(11)的金属层，然后将金属层(23)在薄膜(2)的下面进行结构化；和f)将晶片分割。3.如权利要求2的方法，其特征在于在步骤c)中，通孔(22)整个或部分地通过热压成形。4.如权利要求2或3的方法，其特征在于通过激光打孔生成通孔(22)，或通过激光处理清理热压残余物。5.如权利要求1的方法，其特征在于以下各个步骤流程b)首先在薄膜(2)上通过热压生成突起(21)；a)将压制的薄膜(2)与晶片(1)连接；d)在晶片(1)的连接元件(11)之下生成通孔(22)，使这些连接元件不受拘束地放置在通孔(22)中；e)将金属层(23)沉积到薄膜(2)的下面和通孔(22)中，此时在通孔上末端范围，按照步骤b)生成内部接线(24)，作为不受拘束放置的晶片连接元件(11)的金属层，然后将金属层(23)在薄膜(2)的下面进行结构化；和f)将晶片分割。6.如权利要求5的方法，其特征在于在步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：M希尔曼，J范普姆布罗克，
申请(专利权)人：西门子迪美蒂克股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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