【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在制造半导体器件的过程中用于对半导体器件例如ULSI器件等进行平面抛光等的抛光机用的抛光盘、一种抛光机和采用上述的抛光机和抛光方法制造半导体器件的方法。
技术介绍
由于半导体集成电路变得更加精细且更高度集成化，故半导体制造过程中包含的各种程序日益增多且更加复杂。因此，半导体器件的表面并不总是平整的。半导体器件表面上的凹凸平度会导致线路逐步破损和局部电阻增大等，从而引起线路中断和电容减小，而且，绝缘薄膜中的这种凹凸不平也会导致耐压性能降低而发生漏电。同时，由于半导体集成电路日益变得精细并更加高度集成化，故用于照相平板印刷术的半导体曝光装置中的光源的波长变得更短，且用于这种半导体曝光装置中的凸透镜的数值孔径(或称为NA)越来越大，因此，用于上述半导体曝光装置中的凸透镜的焦深已变得浅得多，为了满足上述越来越浅的焦深，便要求半导体器件表面具有比迄今能达到的更大的平整性。具体地说，诸如图1所示的整平技术在半导体制造过程中变得更加重要。图1简单示出半导体制造过程中所用的整平技术，并示出半导体器件的剖视图。在图1中，标号11代表硅晶片，12代表SiO2组成...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于抛光机的抛光盘，在上述抛光机中，抛光工件在抛光盘与抛光工件之间置入抛光剂的状态下通过使上述抛光盘与抛光工件之间产生相对运动而受到抛光，上述抛光盘的特征在于，在该抛光盘的表面上周期性地或非周期性地形成两种或多种不同类型的凹凸形结构。2.根据权利要求1的抛光盘，其特征还在于，在形成同种类型的凹凸形结构的区域内形成两个或多个上述凹凸形结构的凹部和两个或多个上述凹凸形结构的凸部。3.根据权利要求2的抛光盘，其特征还在于，上述的凹凸形结构由两种类型的凹凸形结构也就是第一凹凸形结构和第二凹凸形结构组成；上述第一凹凸形结构的凹部和上述第二凹凸形结构的凹部是槽；和上述第一凹凸形结构的凸部的宽度是上述第二凹凸形结构的凸部宽度的两倍或更多倍。4.根据权利要求1～3中任一项的抛光盘，其特征还在于，该抛光盘的平面形状是圆形的，形成上述相同类型的凹凸形结构的区域按同心圆的形式分布。5.根据权利要求1～3中任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：石川彰，千贺达也，丸口士郎，新井孝史，中平法生，松川英二，宫地章，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：
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