有源矩阵基片、显示装置及制造有源矩阵基片的方法制造方法及图纸

所公开的是一种有源矩阵基片，通过把栅绝缘膜和ＩＴＯ膜沉积在导线上使该基片能防止引出线腐蚀等问题，而又不增加图案形成过程的次数，提高制造过程的生产量及可靠性。本发明专利技术包括源极和漏极，它们沉积在绝缘基片上并彼此分开一个预先确定的间隙；沉积在源极和漏极上的ａ－Ｓｉ层；沉积在ａ－Ｓｉ层上的栅绝缘膜；沉积在栅绝缘膜上的栅极；以及具有第１和第２部分的ＩＴＯ膜，这第１部分覆盖在栅极上，其图案与栅极图案基本相同，这第２部分沉积在或者是源极或者是漏极上并构成像素电极；以及与漏极相连的数据线，它由栅绝缘膜覆盖，从而使ａ－Ｓｉ膜介入这二者之间。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。本专利技术特别涉及一种在其制造方法中省去了图案形成(patterning)步骤的有源矩阵基片以及含有这种有源矩阵基片的显示装置。
技术介绍
在使用有源矩阵基片的有源矩阵型液晶显示装置中，液晶被密封在与一TFT阵列基片相对的基片和该TFT阵列基片之间，该TFT基片中以矩阵形式安排栅极(Y电极)和数据电极(X电极)，并在栅极和数据电极的交叉点上安排薄膜晶体管(TFT)，而供给液晶的电压则由薄膜晶体管控制，从而使液晶显示器能利用液晶的电致发光效应来显示图像。对于在其中形成薄膜晶体管的有源矩阵基片，已知的结构有顶栅型(正交错型)结构和底栅型(逆交错型)结构。在顶栅型有源矩阵基片中，首先在一绝缘基片(如玻璃基片)上形成一个遮光膜，并在该遮光膜上形成一个由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)之类形成的绝缘膜。在绝源膜上形成源极和漏极(它们是金属电极)，在电极和绝缘膜之间有通道间隙(channel gap)，并形成由氧化铟锡(以下称作ITO)构成的像素电极，像素电极或者与漏极相连，或者与源极相连。再有，作为半导体膜复盖在源极和漏极上的非晶体硅膜(以下称作a-Si膜)、由SiOx本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造有源矩阵基片的方法，在该有源矩阵基片中的源极、漏极、半导体层、栅绝缘膜和栅极直接或间接地顺序沉积在绝缘基片上，该方法包括如下步骤：使用抗蚀剂掩膜对所述栅绝缘膜上沉积的栅金属形成图案；使用所述形成图案的栅金属作为掩膜对 所述栅绝缘膜和所述半导体层形成图案；形成ＩＴＯ膜并使用抗蚀剂掩膜对该ＩＴＯ膜形成图案；以及使用所述形成图案的ＩＴＯ膜作为掩膜对所述栅极形成图案。

【技术特征摘要】
JP 2000-7-10 208593/001.一种制造有源矩阵基片的方法，在该有源矩阵基片中的源极、漏极、半导体层、栅绝缘膜和栅极直接或间接地顺序沉积在绝缘基片上，该方法包括如下步骤使用抗蚀剂掩膜对所述栅绝缘膜上沉积的栅金属形成图案；使用所述形成图案的栅金属作为掩膜对所述栅绝缘膜和所述半导体层形成图案；形成ITO膜并使用抗蚀剂掩膜对该ITO膜形成图案；以及使用所述形成图案的ITO膜作为掩膜对所述栅极形成图案。2.根据权利要求1的方法，这里对所述ITO膜形成图案的步骤包括在考虑所述栅极图案的情况下对所述ITO膜形成图案以及形成像素图案的步骤。3.根据权利要求2的方法，这里对所述ITO膜形成图案的步骤包括在考虑与所述栅极相连的栅连...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻村隆俊，德弘修，三和宏一，师冈光雄，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]