光刻胶灵敏度的评价方法和光刻胶的制造方法技术

提供高精度的光刻胶灵敏度的评价方法。包括：在检查对象光刻胶膜上借助于曝光装置用检查曝光量使曝光量监控标记曝光的步骤，根据已复制到检查对象光刻胶膜上的曝光量监控标记的检查复制像测定要变动的检查特征量的步骤，根据检查特征量用灵敏度校正数据计算检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度的步骤。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体器件的制造的光刻工序中使用的。
技术介绍
在半导体集成电路等的半导体器件的制造中的光刻工序中，用曝光装置使已形成了电路图形的掩模曝光，把电路图形复制到已涂敷到半导体衬底上边的光刻胶膜上。随着半导体器件的高性能化和高集成化，对于把已描画到光掩模上的电路图形复制到半导体衬底上边的图形形成，要求可以复制的电路图形的微细化。缩小投影曝光装置的成像性能，可以用由瑞利公式描述的光学成像理论进行评价。曝光装置的分辨率R，正比例于曝光光的波长λ，反比例于数值孔径NA。此外，聚焦深度DOF，正比例于曝光光的波长λ，反比例于数值孔径NA的二次方。因此，迄今为止，对于半导体器件的微细化的要求，一直都在不断进行曝光波长的短波长化、投影透镜的高NA化和与之同时进行的工艺改善。但是，对于近些年来的半导体器件的进一步的微细化要求，曝光量宽余度和聚焦深度DOF的工艺宽余量的确保已变得极其困难起来。为此，归因于半导体器件的微细化而招致了制造成品率的大的降低。为了用少的工艺宽余量进行光刻工序，消耗工艺宽余量的误差的精密的分析和误差分配(误差预算)就变得重要起来。例如，即便是打算用同一设定曝光量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于包括：在检查对象光刻胶膜上借助于曝光装置用检查曝光量使曝光量监控标记曝光的步骤，根据已复制到上述检查对象光刻胶膜上的上述曝光量监控标记的检查复制像测定由于曝光量而变动的检查特征量的步骤， 根据上述检查特征量用灵敏度校正数据计算上述检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度的步骤。

【技术特征摘要】
JP 2003-5-30 155262/20031.一种光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于包括在检查对象光刻胶膜上借助于曝光装置用检查曝光量使曝光量监控标记曝光的步骤，根据已复制到上述检查对象光刻胶膜上的上述曝光量监控标记的检查复制像测定由于曝光量而变动的检查特征量的步骤，根据上述检查特征量用灵敏度校正数据计算上述检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度的步骤。2.根据权利要求1所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于还包括借助于上述曝光装置用设定曝光量把上述曝光量监控标记曝光到标准光刻胶膜上的步骤，根据已复制到上述标准光刻胶膜上的上述曝光量监控标记的校正复制像，测定归因于曝光量而变动的校正特征量的步骤，把上述设定曝光量与上述校正特征量之间的关系取作上述灵敏度校正数据的步骤。3.根据权利要求1或2所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于上述检查复制像和校正复制像，用衍射光栅形成。4.根据权利要求1或2所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于上述检查复制像和校正复制像，用在上述曝光量监控标记的面内使开口率台阶式地倾斜分布的图形形成。5.根据权利要求3所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于上述衍射光栅由线条和间隙图形构成，上述线条和间隙图形的周期，比由上述曝光装置的光源的波长、上述曝光装置的投影光学系统的透镜数值孔径和上述曝光装置的照明光学系统的相干因子决定的宽度小。6.根据权利要求5所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于上述宽度，是用上述相干因子与1之和以及上述数值孔径除上述波长的值。7.根据权利要求1或2所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于上述检查复制像和校正复制像，通过在上述曝光量监控标记的面内使上述曝光装置的曝光光台阶式地倾斜分布而形成。8.根据权利要求7所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于上述检查特征量和校正特征量，是开口率分别不同的多个上述线条和间隙图形的间隙宽度或线条宽度。9.根据权利要求1或2所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于上述检查复制像和校正复制像，通过在上述曝光量监控标记的面内使上述曝光装置的曝光光在一个方向上台阶式地倾斜分布而形成。10.根据权利要求9所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于上述检查特征量和校正特征量，是上述检查复制像和校正复制像的上述一个方向的宽度。11.根据权利要求10所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于上述检查特征量和校正特征量，是在借助于上述曝光量监控标记复制的位置检测光刻胶开口部分，和上述检查复制像和校正复制像之间的上述一个方向上的相对位置偏差量。12.根据权利要求1或2所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于上述检查特征量和校正特征量，用显影后的上述检查复制像和校正复制像进行测定。13.根据权利要求1或2所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于上述检查特征量和校正特征量，用曝光后或曝光后烘焙(PEB)后的上述检查复制像和校正复制像进行测定。14.一种光刻胶的制造方法，其特征在于包括借助于曝光装置用设定曝光量使曝光量监控标记曝光到标准光刻胶膜上的工序，根据已复制到上述标准光刻胶膜上的上述曝光量监控标记的校正复制像，测定归因于曝光量而变动的校正特征量的工序，作为灵...

【专利技术属性】
技术研发人员：盐原英志，早崎圭，藤泽忠仁，伊藤信一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]