【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池。
技术介绍
众所周知，使用包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的化合物半导体薄膜(具有黄铜矿结构的半导体薄膜)作为光吸收层的薄膜太阳能电池表现出高的能量转换效率，并具有不会因光辐照等使它们转换效率降低的优点。具体地，人们知道太阳能电池(CIS基太阳能电池)，其使用例如CuInSe2(以下也简化称为“CIS”)和其中在CIS中Ga形成固溶体的Cu(In，Ga)Se2(以下也简化称为“CIGS”)之类的化合物半导体(以下也称为“CIS基半导体”)作为光吸收层。通常，这些CIS基太阳能电池包括从光入射侧依次布置的透明导电层(透明电极层)、窗口层、光吸收层(CIS基半导体层)和背面电极层。通过来自作为光入射侧的透明导电层的光入射来产生光电功率。通常，由n型半导体或几乎为绝缘体的高电阻率材料形成CIS基太阳能电池的窗口层。用作CIS基太阳能电池的窗口层的典型实例包括CdS膜、ZnO膜和ZnO基Zn(O，OH，S)膜。人们已经认为由窗口层和作为p型半导体层的CIS基半导体层形成结。但是，看来是由透明导电层和CIS基半导体层形成实际的结，原...
【技术保护点】
一种太阳能电池，包括：具有半透明性和导电性的第一层；和靠近所述第一层设置的ｐ型半导体层，通过所述第一层和所述ｐ型半导体层形成结，其中所述ｐ型半导体层包括具有含Ⅰｂ族元素、Ⅲｂ族元素和Ⅵｂ族元素的黄铜矿结构的半导体，所述第一层 具有１０↑［１９］／ｃｍ↑［３］或更大的载流子密度，所述第一层的带隙Ｅｇ↓［１］（ｅＶ）和所述ｐ型半导体层的带隙Ｅｇ↓［２］（ｅＶ）满足由公式：Ｅｇ↓［１］＞Ｅｇ↓［２］表示的关系，并且所述第一层的电子亲合势Ｘ↓［１］（ｅＶ ）和所述ｐ型半导体层的电子亲合势Ｘ↓［２］（ｅＶ）满足由公式：０≤（...
【技术特征摘要】
JP 2003-6-26 183284/20031.一种太阳能电池，包括具有半透明性和导电性的第一层；和靠近所述第一层设置的p型半导体层，通过所述第一层和所述p型半导体层形成结，其中所述p型半导体层包括具有含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的黄铜矿结构的半导体，所述第一层具有1019/cm3或更大的载流子密度，所述第一层的带隙Eg1(eV)和所述p型半导体层的带隙Eg2(eV)满足由公式Eg1＞Eg2表示的关系，并且所述第一层的电子亲合势X1(eV)和所述p型半导体层的电子亲合势X2(eV)满足由公式0≤(X2-X1)＜0.5表示的关系。2.根据权利要求1的太阳能电池，其中，所述第一层包括含两个或多个不同IIIb族元素的氧化物。3.根据权利要求1的太阳能电池，其中，所述第一层包括含IVb族元素和两个或多个不同IIIb族元素的氧化物。4.根据权利要求3的太阳能电池，其中，所述氧化物包括In、Ga、Sn和O。5.一种太阳能电池，包括具有半透明性和导电性的第一层；靠近所述第一层设置的n型半导体层；和p型半导体层，其设置方式使得所述n型半导体层夹在所述p型半导体层和所述第一层之间，通过所述第一层、所述n型半导体层和所述p型半导体层形成结，其中所述p型半导体层包括具有含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的黄铜矿结构的半导体，所述第一层具有1019/cm3或更大的载流子密度，所述第一层的带隙Eg1(eV)和所述n型半导体层的带隙Eg3(eV)满足由公式Eg1＞Eg3表示的关系，所述第一层的电子亲合势X1(eV)和所述n型半导体层的电子亲合势X3(eV)满足由公式0≤(X3-X1)＜0.5表示的关系，所述p型半导体层的带隙Eg2(eV)基本上等于Eg3，并且所述p型半导体层的电子亲合势X2(eV)基本上等于X3。6.根据权利要求5的太阳能电池，其中，所述第一层包括含两个或多个不同IIIb族元素的氧化物。7.根据权利要求5的太阳能电池，其中，所述第一层包括含IVb族元素和两个或多个不...
【专利技术属性】
技术研发人员：根上卓之，桥本泰宏，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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