磁阻设备的制造方法技术

一种改进在磁存储器单元（至少２０，８０）的至少一个组成层（至少２１－２５）内〈１１１〉晶体结构生长的方法。所述方法包括下列步骤，以足够高的离子能量水平施用所述至少一个组成层，以使得至少一个组成层的排列达到所述〈１１１〉晶体结构的高的质量等级。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及磁阻存储设备。尤其是，本专利技术涉及在磁随机存取存储器(MRAM)设备的磁存储器单元内的高质量<111>晶体结构的改进。
技术实现思路
人们已经认识到，改进具有贯穿连接的高质量的<111>晶体结构的磁存储器单元是有利的。本专利技术提供一种改进磁存储器单元的至少一个组成层内的<111>晶体结构生长的方法，所述方法包括以足够高的离子能量水平在存储单元内施用至少一个组成层，所述足够高的离子能量水平能使所述至少一个组成层的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级。从随后结合附图的详细说明中可知，本专利技术附加的特征和优点将是显而易见的，这些附图以举例的方式一起说明了本专利技术的特征。附图说明附图1是示出用于改进上旋阀结构中的所述<111>晶体结构的方法的流程图；附图2是在附图1中描述的上旋阀结构的横截面图；附图3是说明所述离子能量水平是如何对TMR连接的磁滞回线进行影响的图；附图4是图示用于确定所述足够高的以使排列达到所述&本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在磁存储器单元的至少一个组成层内改进〈１１１〉晶体结构的生长的方法，所述方法包括以足够高的离子能量水平向所述存储单元（至少２０，８０）中施用至少一个组成层（至少２１－２５），其中足够高的离子能量水平使得所述至少一个组成层的排列达到所述〈１１１〉晶体结构的高的质量等级。

【技术特征摘要】
US 2003-7-16 10/6211251.一种在磁存储器单元的至少一个组成层内改进<111>晶体结构的生长的方法，所述方法包括以足够高的离子能量水平向所述存储单元(至少20，80)中施用至少一个组成层(至少21-25)，其中足够高的离子能量水平使得所述至少一个组成层的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级。2.如权利要求1所述的方法，其中所述使所述至少一个组成层的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级的足够高的离子能量水平通过下述步骤来确定(a)设定(41)所述离子能量水平为预先确定的最小值；(c)使用所述离子能量水平将至少一个组成层施用(42)到所述存储单元中；(d)测量(44)所述晶体结构的质量等级，其中晶体结构通过使用所述离子能量水平来施用所述至少一个组成层而产生；(e)将所述离子能量水平增加(45)预先确定的数量，使其达到更高的离子能量水平，并且从上面的(b)进行重复直到得出想要的离子能量水平；和(f)将所述离子能量水平设定(47)到大约为所述更高的离子能量水平，以用于在所述磁存储器单元的至少一个组成层内产生所述<111>晶体结构的高的质量等级。3.如权利要求1所述的方法，其中所述磁存储器单元是隧道效应磁阻连接(20，80)。4.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个组成层是合成的铁磁材料(50)，至少由下列组成第一铁磁材料(51)；在第一铁磁材料(51)之上建造的无磁性的隔离层(52)；以及建造在所述无磁性的隔离层之上并且具有与第一铁磁材料(51)相反的磁场方向的第二铁磁材料(53)。5.一种制造上旋阀TMR连接(20)以便在所述TMR连接(20)的组成层内建立<111>晶体结构的高的质量等级的方法，所述方法包括将铁磁性的感应层(22)施用(11)于种子层(21)上；在所述铁磁性的感应层(22)上施用(12)所述隧道效应阻挡层(23)；使用(13)离子能量水平在所述隧道效应阻挡层(23)上施用铁磁性的被钉扎层(24)，其中所述离子能量水平足够的高以促进所述铁磁性的被钉扎层(24)的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级；以及由于所述反铁磁性的钉扎层(25)和所述铁磁性的被钉扎层(24)的接近性，并且由于它们类似的金属特性，在所述铁磁性的被钉扎层(24)上施用(14)反铁磁性的钉扎层(25)，在所述反铁磁性的钉扎层(25)内改进所述<111>晶体结构。6.如权利要求5所述的方法，其中所述足够高的以在所述TMR连接(20)的组成层内建立所述<111>晶体结构的高的质量等级的离子能量水平通过下述步骤来确定(a)设定(41)所述离子能量水平为预先确定的最小值；(b)提供至少所述种子层(21)，所述铁磁性的感应层(22)，和所述隧道效应阻挡层(23)；(c)利用所述离子能量水平在所述隧道效应阻挡层(23)之上施用(...

【专利技术属性】
技术研发人员：M夏马，
申请(专利权)人：惠普开发有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]