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一种改进在磁存储器单元（至少２０，８０）的至少一个组成层（至少２１－２５）内〈１１１〉晶体结构生长的方法。所述方法包括下列步骤，以足够高的离子能量水平施用所述至少一个组成层，以使得至少一个组成层的排列达到所述〈１１１〉晶体结构的高的质量等级...
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