光接收器件、内置电路型光接收装置及光盘装置制造方法及图纸

一层第一Ｐ型扩散层（１０１）和一层Ｐ型半导体层（１０２）设置在一个硅衬底（１００）上，并且两层Ｎ型扩散层（１０３、１０３）设置在该Ｐ型半导体层（１０２）的正面上，以便形成两个光接收装置。三层透光性膜、一层第一二氧化硅膜（１０５）、一层氮化硅膜（１０６）、以及一层第二二氧化硅膜（１０７）设置在Ｎ型扩散层（１０３、１０３）上以及两扩散层（１０３、１０３）之间的Ｐ型半导体层（１０２）上。在制造工艺期间产生且分散和俘获到三层透光性膜之间的两个界面中的空穴可将Ｐ型半导体层（１０２）表面附近的场强减小到传统水平之下，并减少了导电型的反转，以便因此减小光接收装置之间的漏泄电流。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光接收器件、一种内置电路型光接收装置以及一种光盘装置。
技术介绍
传统上，供光盘装置使用的光学拾取单元如此构造，即从半导体激光器发射出的激光束经由衍射光栅分成多束激光束，多束激光束经由物镜会聚在光盘上的多个位置处，并且被光盘反射和调制过的多束激光束由光接收器件所接收。光接收器件具有形成于一个半导体衬底上的多个光接收部件，它根据由多个光接收部件分别接收的多个反射光束的功率而输出多个信号。根据所述多个信号，生成储存在光盘中的数据信号、用于伺服控制的聚焦信号以及循迹信号(tracking signal)。通常，作为光接收器件，日本未审查专利公开No.平10-84102中公开了一种。该光接收器件如此构造，一层N型外延层形成于一层P型硅衬底的正面上，并且N型外延层被一层延伸到P型硅衬底该表面的P型扩散层分割，以便形成多个N型外延区。在多个N型外延区与P型硅衬底之间形成的多个PN结构成了多个光接收部件。在N型外延区和P型扩散层上，设置一个由两层即二氧化硅和氮化硅组成的防反射结构，以便防止入射到多个光接收部件上的入射光反射，并提高所述光接收器件的灵敏度。当安装到光盘装置上时，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光接收器件，包括设置在一半导体层（１０２、３０２）上的多个光接收部件（１０３、３０３），其中三层以上的透光性膜（１０５、１０６、１０７、３０６、３０７、３０８）设置在所述多个光接收部件（１０３、３０３）上以及设置在所述多个光接收 部件（１０３、３０３）之间的部分上，并且彼此邻接的所述透光性膜的材料彼此不同。

【技术特征摘要】
JP 2001-12-3 368402/2001;JP 2002-1-10 003371/2002;1.一种光接收器件，包括设置在一半导体层(102、302)上的多个光接收部件(103、303)，其中三层以上的透光性膜(105、106、107、306、307、308)设置在所述多个光接收部件(103、303)上以及设置在所述多个光接收部件(103、303)之间的部分上，并且彼此邻接的所述透光性膜的材料彼此不同。2.如权利要求1所述的光接收器件，其中所述透光性膜中的一层(105)是二氧化硅，所述透光性膜中的另一层(106)是氮化硅。3.如权利要求1或2所述的光接收器件，其中所述透光性膜中的一层(307)为钛氧化物。4.如权利要求1至3中的任意一项所述的光接收器件，其中所述透光性膜(105、106、107、306、307、308)中最靠近所述光接收部件(103、303)的透光性膜(105、306)为二氧化硅，所述二氧化硅的厚度不小于10nm。5.一种光接收器件，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：森冈达也，林田茂树，谷善彦，大久保勇，和田秀夫，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]