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光接收器件、内置电路型光接收装置及光盘装置制造方法及图纸
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文档序号:3204549
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一层第一P型扩散层(101)和一层P型半导体层(102)设置在一个硅衬底(100)上,并且两层N型扩散层(103、103)设置在该P型半导体层(102)的正面上,以便形成两个光接收装置。三层透光性膜、一层第一二氧化硅膜(105)、一层氮化硅...
该专利属于夏普株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过夏普株式会社授权不得商用。
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