一种高效单晶炉制造技术

本实用新型专利技术提供了一种高效单晶炉，包括单晶炉本体(1)、管路组(2)、开关组(3)、真空罐组(4)和真空泵组(5)，所述管路组(2)连接所述单晶炉本体(1)，所述真空罐组(4)和所述真空泵组(5)分别连接所述管路组(2)的与所述单晶炉本体(1)连接的另外两另一端，所述开关组(3)设置于所述管路组(2)上。本技术方案采用真空罐，将抽空的动作一部分线内作业转换成了线外作业，提高单晶炉时间利用率。提高单晶炉时间利用率。提高单晶炉时间利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种高效单晶炉


[0001]本技术涉及单晶硅生产领域，具体涉及一种单晶硅炉。

技术介绍

[0002]直拉(CZ)法生长单晶硅是目前太阳能单晶硅片的主流方法，直拉法生长单晶硅的流程为：清炉—装料—合炉—抽空—熔料—二次加料—测电阻—引晶—放肩—等径—收尾—(取晶棒、RCZ)—停炉冷却—拆炉。
[0003]目前的流程是清炉装料结束，合炉后单晶炉内主副室形成一个密封的环境，然后打开主泵和副泵开始对单晶炉主室和副室分别抽至低真空。熔料结束的二次加料、测电阻，以及拉晶中途提渣、取出晶棒等，必须打开副室操作，这样每个动作结束，将副室与主室合上后，必须打开副泵对副室抽空至低压，然后打开副室与主室的隔离阀，继续晶体生长。
[0004]为了降低硅片生产成本，需要增大单小时单晶硅圆棒产出。这样就有必要压缩单晶炉主副室的抽空工时。产出同样产量的单晶硅棒，减少单炉的运行时间，从而提高单小时产量。抽空过程是直拉单晶硅必要但不增值的过程，必须想办法消除或减少过程时间。

技术实现思路

[0005]本技术是为了解决现有技术中为了降低硅片生产成本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高效单晶炉，其特征在于：包括单晶炉本体（1）、管路组（2）、开关组（3）、真空罐组（4）和真空泵组（5），所述单晶炉本体（1）、所述开关组（3）和所述真空罐组（4）通过所述管路组（2）连接，所述开关组（3）设置于所述管路组（2）上；所述单晶炉本体（1）包括单晶炉主室（11）和壳体（13），所述单晶炉主室（11）设置于所述壳体（13）内部；所述管路组（2）包括第一管路（21）、第二管路（22）和第三管路（23），所述第一管路（21）一端连接所述单晶炉主室（11），所述第一管路（21）另一端连接所述第三管路（23）一端和所述第二管路（22）一端；所述真空罐组（4）包括第一真空罐（41），所述第一真空罐（41）连接所述第二管路（22）另一端；所述真空泵组（5）包括第一真空泵（51），所述第一真空泵（51）连接所述第三管路（23）另一端；所述开关组（3）包括第一开关（31）和第二开关（32），所述第一开关（31）设置于所述第一管路（21）上，所述第二开关（32）设置于所述第二管路（22）上。2.根据权利要求1所述的一种高效单晶炉，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海云，罗才军，罗园，吴廷廷，高贻刚，
申请(专利权)人：乌海市京运通新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：