一种离子布植制程的监控方法技术

一种离子布植制程的监控方法，是用于监控低能量杂质的布植，其中在一测试芯片上用低能量杂质离子布植制程形成一离子布植层，此方法包含下列步骤：　　　　使用低温制程在该离子布植层上覆盖一层遮蔽层；　　　　高温快速回火处理；及　　　　测量组件参数。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于，更有关于一种监控低能量杂质的布植，以实时改善组件制程，增加良品率的监控方法。
技术介绍
随着半导体组件技术的进步，组件制作要求也越来越精密，因此对于杂质原子在深度及分布上的要求也越来越精密。传统上是用热扩散方式将杂质原子或是离子由表面扩散到组件内部的制程，因为横向扩散的问题而无法适用于深次微米组件制程。而离子布植法是将杂质原子以带电离子的型式加速直接进入芯片内，离子植入的深度可以用能量大小控制，杂质剂量可以用布植时间及离子束电流控制，至于植入杂质原子种类可以用布植机的分析磁场做精确选择。离子布植由于是以加速方式进入芯片内部，会造成晶格毁损或是脱序，进而严重影响半导体组件参数；同时为了使植入的离子到置换位置，在布植后需要进行回火(annealing)步骤。目前在业界广泛使用的回火方式为使用快速升温回火(RTA)，仅需100秒左右即可完成回火，而使用炉管则需数分钟到数小时。如需更进一步降低回火时间，可以用激光束或是电子束进行回火。参见图1，为一习知离子布植机29的剖视图，为了对制程参数做校正，在机台23除了组件芯片20外，还设置有测试芯片22。在生产前，可以旋转机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子布植制程的监控方法，是用于监控低能量杂质的布植，其中在一测试芯片上用低能量杂质离子布植制程形成一离子布植层，此方法包含下列步骤使用低温制程在该离子布植层上覆盖一层遮蔽层；高温快速回火处理；及测量组件参数。2.如权利要求1所述的离子布植制程的监控方法，其特征是，所述的低温制程是在低于400℃的温度下进行。3.如权利要求2所述的离子布植制程的监控方法，其特征是，所述的低温制程为一电浆增强-四乙氧基硅烷(PETEOS)。4.如权利要求3所述的离子布植制程的监控方法，其特征是，所述的遮蔽层为一氧化物层。5.如权利要求4所述的离子布植制程的监控方法，其特征是，所述的氧化物层的厚度为350-1000_。6.如权利要求1所述的离子布植制程的监控方法，其特征是，所述的测试芯片为一硅芯片。7.如权利要求6所述的离子布植制程的监控方法，其特征是，所述的杂质离子为N型杂质。8.如权利要求7所述的离子布植制程的监控方法，其特征是，所述的N型杂质可以为磷(P)、砷(As)或是锑(Sb)。9.如权利要求6所述的离子布植制程的监控方法，其特征是，所述的杂质离子为P型杂质。10.如权利要求9所述的离子布植制程的监控方法，其特征是，所述的P型杂质可以为硼(B)。11.如权利要求1所述的离子布植制程的监控方法，其特征是，所述的低能量杂质为布植能量小于10KeV的杂质。12.如权利要求1所述的离子布植制程的监控方法，其特征是，所述的测量组件参数步骤可以测量组件的面电阻。13.如权利要求12所述的离子布植制程的监控方...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴金刚，王粒子，黄晋德，肖胜强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：