【技术实现步骤摘要】
一种校准片外晶振的方法与系统
[0001]本专利技术涉及集成电路领域,特别涉及一种校准片外晶振频率的方法与系统。
技术介绍
[0002]芯片内部使用时钟的来源通常分为内部RC(电容电阻)振荡器和片外晶振。内部RC(电容电阻)振荡器的振荡周期随电压、温度、湿度等因素的变化比较大,因此产生的误差较大;而片外晶振随电压、温度湿度等因素的变化比较小,且片外晶振产生的时钟精度通常比芯片内部振荡器产生的时钟精度更高,故芯片内部使用的高精度时钟通常来源于片外晶振。片外晶振产生的频率在芯片内部通过分频或倍频产生芯片各个模块需要的时钟,保证计时、运算、无线通信等功能对时间和频率的高精度要求。但是由于制造工艺以及环境温度的偏差,片外晶振的默认频率仍然存在一定误差。这个误差会传递至芯片各个模块,进而影响计时的精度,并造成无线通信的频率偏移,故需对片外晶振进行校准,使得片外晶振的频率误差降低,满足高精度应用的需求。
[0003]对片外晶振进行校准的工作通常在板级生产流水线上进行,大量贴好芯片以及晶振等元件的电路板需要快速准确的批量完成校准。 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种校准片外晶振的方法,其特征在于,包括以下步骤:信号源产生精确脉冲宽度的脉宽调制信号,并将脉宽调制信号输出至待校准芯片;待校准芯片内的计数器接收脉宽调制信号,并将其作为门控信号,以晶振输入的时钟作为时钟信号开始计数;待校准芯片内的程序按照采样间隔对计数器的计数值进行采样,根据采样值的变化判断脉宽调制信号为高电平还是低电平;将一个低电平
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高电平
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低电平变化作为一个完整脉冲宽度;计算一个完整脉冲宽度的脉宽调制信号计数的计数值与理论值之间的偏差,根据偏差调整晶振电容参数;经过一个完整脉冲宽度后判断校准次数是否达到最大值或者计数值与理论值之间的偏差是否小于设定阈值,若是则完成校准,否则将计数器复位。2.根据权利要求1所述的一种校准片外晶振的方法,其特征在于,一个完整脉冲宽度的脉宽调制信号计数的理论值为信号源产生的精确脉冲宽度除以晶振的目标时钟周期。3.根据权利要求1所述的一种校准片外晶振的方法,其特征在于,若接收的信号不能构成高电平或者低电平,或者高电平和低电平不能形成低电平
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高电平
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低电平结构的连续变化,则将该段信号滤除。4.根据权利要求1所述的一种校准片外晶振的方法,其特征在于,待校准芯片内的计数器对输入的脉宽调制信号滤除毛刺后再作为门控信号使用。5.根据权利要求1或3所述的一种校准片外晶振的方法,其特征在于,待校准芯片内的程序依据以下标准判断脉宽调制信号的状态:连续两次采样值相等,脉宽调制信号处于低电平;连续三次采样值不相等,脉宽调制信号处于高电平。6.根据权利要求1所述的一种校准片外晶振的方法,其特征在于,计数器采用高电平门控方式,当门控信号为高电平时向上计数,门控信号为低电平时保持不变;在一个完整脉冲宽度的第二个低电平期间记录计数器的计数值,并根据计数值计算计数值与理论值之间的偏差,若该偏差小于设定阈值,则完成校准,否则将计数器进行复位。7.根据权利要求1所述的一种校准片外晶振的方法,其特征在于,计算一个完整脉冲宽度的脉宽调制信号计数的计数值与理论值之间的偏差,根据偏差调整晶振电容参数,包括以下步骤:步骤A:在进行采样前,将比特数为N的晶振电容参数最高比特设置为1,其他比特位设置为0;步骤B:将最高位比特位到最低位比特位从N至1进行编号,并设置迭代次数i,i=1;步骤C:开始采样,当完成一个完整脉冲宽度后获取计数器的计数值;步骤D:若该计数值大于理论值,则将电容参数比特位N
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【专利技术属性】
技术研发人员:魏鹏,陈桂,常学贵,熊振华,
申请(专利权)人:思澈科技上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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