一种NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器及其制备方法技术

本发明专利技术属于蓝光探测器的技术领域，公开了一种NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器及其制备方法。所述探测器包括依次层叠的衬底、缓冲层、多孔GaN层、n

【技术实现步骤摘要】
一种NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器及其制备方法


[0001]本专利技术属于可见光探测器领域，具体涉及一种NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着基于GaN的发光二极管(LED)的快速发展，可见光通信(VLC)引起了人们的广泛关注。对于VLC系统的光接收机，光电探测器的量子效率(QE)和时间响应也很重要，因为它们决定了数据传输的距离和速率。为了将光的发射和探测集成在单一芯片上的自由空间VLC系统的小型化和简化，需要具有与光源发射光谱匹配的高灵敏度和波长选择性的光电探测器。目前，基于硅的光电探测器通过实现蓝滤波技术来检测基于氮化镓的白光LED发出的蓝光。但该技术的缺点是透光率低，成本高，VLC系统复杂。此外，硅基光电探测器的宽频带响应在被测信号和背景信号之间造成了不期望的干扰效应。
[0003]作为第三代半导体材料研究热点之一的InGaN材料拥有良好的物理化学性质。其拥有高电子迁移率，热稳定性、化学稳定性优异。通过调整合金中In的组分，可以实现禁带宽度从3.4eV到0.7eV的连续本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器，其特征在于：包括依次层叠的衬底、缓冲层、多孔GaN层、n
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GaN层、InGaN层，所述n
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GaN层上表面部分被InGaN层覆盖，另一部分为裸露部分；所述InGaN层上设有p
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GaN层，所述p
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GaN层上设有NiO层，p
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GaN层上表面部分被NiO层覆盖，另一部分为裸露部分；所述n
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GaN层上表面的裸露部分和p
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GaN层上表面的裸露部分设有电极层。2.根据权利要求1所述NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器，其特征在于：电极层与NiO层不接触；所述缓冲层为从下到上依次层叠的AlN层、AlGaN层和GaN层，AlN层设置于衬底上；所述多孔GaN层的厚度为2～4μm；多孔GaN层的孔径为50～60nm，孔隙率为90～95％；所述n
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GaN层、InGaN层以及p
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GaN层形成P
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I
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N功能层；P
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I
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N功能层中，n
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GaN层、InGaN层、p
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GaN层的厚度分别为600～900nm、150～200nm、100～150nm；所述NiO层的厚度为30～50nm。3.根据权利要求2所述NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器，其特征在于：缓冲层中，AlN层、AlGaN层和GaN层的厚度分别为300～400nm、300～400nm、3～4μm。4.根据权利要求1所述NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器，其特征在于：所述衬底为Si衬底；n
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GaN层上的金属层电极为Ni/Au金属层，Ni金属层的厚度为100～110nm，Au金属层的厚度为100～110nm；Ni设置在n
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GaN层上；p
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GaN层上的金属层电极为Ni/Au金属层，Ni金属层的厚度为100～110nm，Au金属层的厚度为100～110nm；Ni设置在p
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GaN层上。5.根据权利要求1所述NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器，其特征在于：所述n
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GaN层上表面部分被InGaN层覆盖，另一部分为裸露部分是指InGaN层在n
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GaN层上形成台阶状的水平台面；n
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GaN层上的台面设有电极层；p
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GaN层上表面部分被NiO层覆盖，另一部分为裸露部分是指NiO层在p
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GaN层上形成台阶状的水平台面；p
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GaN层上的台面设有电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，孔德麒，王文樑，陈胜，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：