包含封盖层的有机电致发光器件以及其制备方法技术

本发明专利技术提供了有机电致发光器件相关的制备方法，根据本发明专利技术的一种实施例，有机电致发光器件由基板、上述基板上的制备的第1电极、上述第1电极上制备的空穴注入层、上述空穴注入层上制备的空穴传输层、上述空穴传输层上制备的发光层、上述发光层上制备的电子传输层、上述电子传输层上制备的电子注入层、上述电子注入层上制备的第2电极，以及上述第1电极和/或第2电极上制备的封盖层组成。第2电极上制备的封盖层组成。

【技术实现步骤摘要】
包含封盖层的有机电致发光器件以及其制备方法


[0001]本专利技术属于光电材料
，具体涉及包含封盖层的有机电致发光器件以及其制备方法。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(Organic light emitting diode)是一种基于有机电致发光材料的自发光显示器件，与现有液晶显示器件不同，具有无需背光源、厚度薄的的特点，是适合于柔性器件装置(柔性发光显示装置)的技术。
[0003]有机电致发光材料是在电场作用下能发出光的高分子或小分子有机材料，为了提高有机电致发光器件中有机电致发光材料的稳定性和效率，在阳极和阴极之间制备多层的有机物薄膜。上述有机物薄膜层可分为空穴注入层、空穴传输层、发光层主体、发光层掺杂、电子传输层、电子注入层。
[0004]基于上述发光层中使用的发光材料(蓝、绿、红的三色光材料)制备高色彩饱和度的显示器件。根据最新技术报道，大尺寸显示的白光基于蓝色发光材料和黄色发光材料或者与橙色发光材料的混合实现白色发光，小尺寸显示中使用蓝色发光材料、绿色发光材料以及红色发光材料。
[0005]在有机电致发光器件的阳极和阴极之间施加电场时，从阳极注入空穴、注入的空穴通过空穴传输层移动到发光层，同时从阴极注入电子、注入的电子通过电子传输层移动到发光层。移动到发光层的空穴和电子结合形成激子(exciton)，当激子由激发态(excited state)跃迁到基态(ground state)过程中会有能量以光的形式被释放出来，实现了器件的发光。
[0006]有机电致发光器件的效率一般可以分为内部发光效率和外部发光效率。内部发光效率与第1电极(例如，阳极)和第2电极(例如，阴极)之间的有机物层(例如，空穴传输层、发光层以及电子传输层等)产生激子的光转换效率相关，上述光转换效率的理论值中荧光为25％、磷光为100％。外部发光效率与有机物层产生的光发射到有机电致发光器件外部的光萃取效率相关，一般外部光萃取效率约为内部发光效率的20％。
[0007]光萃取技术对于高效率和高色彩饱和度至关重要，作为提高光萃取效率的方法，为了防止向外部的光因全反射产生的损失，应用了基于折射率大于1.7的多种有机物物制备的封盖层(capping layer)。为了改善有机电致发光器件的性能，提高低折射率半透明电极上的外部发光效率，要求开发具有高折射率、良好薄膜稳定性和耐久性的封盖层材料。

技术实现思路

[0008]要解决的问题
[0009]为了解决上述问题，本专利技术的目的是提供一种有机电致发光器件的制备方法，通过应用具有高折射率和良好耐热性的封盖层，确保有机电致发光器件的高效率和高色彩饱和度。
[0010]上述有机电致发光器件由基板、上述基板上的制备的第1电极、上述第1电极上制备的空穴注入层、上述空穴注入层上制备的空穴传输层、上述空穴传输层上制备的发光层、上述发光层上制备的电子传输层、上述电子传输层上制备的电子注入层、上述电子注入层上制备的第2电极，以及上述第1电极和/或第2电极上制备的封盖层组成。
[0011]本专利技术要解决的问题不限定于以上所述内容，根据以下的内容，相关
的技术人员可以理解未提及的内容或其他要解决问题。
具体实施方式
[0012]根据本专利技术的一种实施例，有机电致发光器件由基板、上述基板上的制备的第1电极、上述第1电极上制备的空穴注入层、上述空穴注入层上制备的空穴传输层、上述空穴传输层上制备的发光层、上述发光层上制备的电子传输层、上述电子传输层上制备的电子注入层、上述电子注入层上制备的第2电极，以及上述第1电极和/或第2电极上制备的封盖层组成。
[0013]根据本专利技术的一种实施例，封盖层基于氮为中心原子的同原子或双原子芳香族化合物制备。
[0014]根据本专利技术的一种实施例，封盖层在380nm至730nm波长下折射率为1.7至2.4，封盖层由下列结构式1的化合物进行制备。
[0015][0016]结构式1中，Ar1和Ar1’
为相同基团或不同基团取代或未取代的C6至C30的同原子多环芳烃化合物；Ar2为取代或未取代的C5至C15的双原子多环芳烃化合物，包含N1至N4、S1至S3、O1至O3或以上组合。
[0017]根据本专利技术的一种实施例，上述封盖层由如下结构式2至结构式43的化合物或者以上结构式化合物组合进行制备。
[0018][0019][0020]根据本专利技术的一种实施例，封盖层的厚度为10nm在150nm。
[0021]根据本专利技术的一种实施例，第1电极由铜、锌、金、银、钒、钼、钼钛合金、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、氧化砷或以上材料组合制备。
[0022]根据本专利技术的一种实施例，第2电极由镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、氟化锂、铝、银、锡、铅和以上材料组合制备。
[0023]根据本专利技术的一种实施例，第1电极由钼、钼钛合金或以上材料组合制备；第2电极由氧化铟锌、银、镁、钇或以上材料组合制备的透明电极；在第2电极上面制备封盖层。
[0024]根据本专利技术的一种实施例，空穴注入层包含最低未占分子轨道(LUMO)能级小于
‑
4.8eV的p
‑
掺杂剂的取代体。
[0025]根据本专利技术的一种实施例，p
‑
掺杂剂取代体的母体为取代或未取代的苯、萘、菲、蒽、轴烯、二苯并呋喃以及二苯并噻吩等或者其组合。上述p
‑
掺杂剂的取代体为下列结构式44至结构式61化合物或者以上结构式组合。
[0026][0027]根据本专利技术的一种实施例，空穴注入层由m
‑
MTDATA[4,4',4
”‑
三(N
‑3‑
甲基苯基
‑
N
‑
苯基氨基)三苯胺]、DNTPD(N,N'
‑
二[4
‑
[二(3
‑
甲基苯基)氨基]苯基]‑
N,N'
‑
二苯基
‑
联苯
‑
4,4'
‑
二胺)、NPB(Ν,Ν'
‑
二(1
‑
萘基)
‑
Ν,Ν'
‑
二苯基联苯胺(N,N'
‑
二(l
‑
萘基)
‑
N,N'
‑
二苯基联苯胺))、TDATA和2T
‑
NATA或以上材料组合制备。
[0028]根据本专利技术的一种实施例，上述空穴注入层、空穴传输层可包含最高占据分子轨道(HOMO)能级为
‑
4.8eV至
‑
5.8eV的三芳胺。
[0029]根据本专利技术的一种实施例，上述空穴传输层基于Spiro
‑
BPA(2,2'
‑
双(二苯基氨基)
‑
9,9'
‑
螺二芴)、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，包含基板，其特征在于其还包括：在上述基板上的制备的第1电极；在上述第1电极上制备的空穴注入层；在上述空穴注入层上制备的空穴传输层；在上述空穴传输层上制备的发光层；在上述发光层上制备的电子传输层；在上述电子传输层上制备的电子注入层；在上述电子注入层上制备的第2电极，以及在上述第1电极和/或第2电极上制备的封盖层。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的封盖层，基于氮为中心原子的同原子或双原子芳香族化合物制备。3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的封盖层，基于下列结构式1的化合物制备，在380nm至730nm波长下其折射率为1.7至2.4；结构式1中，Ar1和Ar1
’
为被相同基团或不同基团取代或未取代的C6至C30的同原子多环芳烃化合物；Ar2为取代或未取代的C5至C15的双原子多环芳烃化合物，包含N1至N4、S1至S3、O1至O3或以上组合。4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的封盖层，基于下列结构式2至结构式43的化合物中的一种或以上几种的组合制备。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的封盖层，其厚度为10nm至150nm。6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的第1电极，基于铜、锌、金、银、钒、钼、钼钛合金、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、氧化砷中的一种或以上材料几种的组合制备。7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的第2电极，基于镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、氟化锂、铝、银、锡、铅中的一种或以上材料几种的组合制备。8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的第1电
极由钼、钼钛合金或以上材料几种的组合制备；第2电极为氧化铟锌、银、镁、钇或以上材料几种的组合制备的透明电极；封盖层基于第2电极上面制备。9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的空穴注入层，包含最低未占分子轨道(LUMO)能级小于
‑
4.8eV的p
‑
掺杂剂的取代体。10.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的p
‑
掺杂剂取代体的母体为取代或未取代的苯、萘、菲、蒽、轴烯、二苯并呋喃以及二苯并噻吩中的一种或者几种的组合，上述p
‑
掺杂剂的取代体为下列结构式44至结构式61化合物中的一种或者几种的结构式组合。11.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的空穴注入层，基于m
‑
MTDATA[4,4',4
”‑
三(N
‑3‑
甲基苯基
‑
N
‑
苯基氨基)三苯胺]、DNTPD(N,N'
‑
二[4
‑
[二(3
‑
甲基苯基)氨基]苯基]
‑
N,N'
‑
二苯基
‑
联苯
‑
4,4'
‑
二胺)、NPB(N,N'

【专利技术属性】
技术研发人员：宾钟官，
申请(专利权)人：海宁奕诺炜特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：