硅基OLED阳极像素光刻内切结构制造技术

本实用新型专利技术涉及OLED金属阳极像素制作领域，尤其涉及一种硅基OLED阳极像素光刻内切结构制作方法，采用底部正性光刻胶与顶部正性光刻胶组合和不同线宽掩模版方式分步进行曝光，最终显影完成一次光刻，该方法制作的金属阳极能够精确控制内切结构的尺寸和深度，正性光刻胶B

【技术实现步骤摘要】
硅基OLED阳极像素光刻内切结构


[0001]本技术涉及OLED金属阳极像素制作领域，尤其涉及一种硅基OLED阳极像素光刻内切结构制作方法。

技术介绍

[0002]硅基OLED光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将掩模版上的图形转移到所在硅片上。传统光刻工艺通常在硅片底部先涂上剥离胶，剥离胶不感光、可溶于显影液；再涂上一层光刻胶；然后通过一组特定图案掩模版进行曝光，在光子的作用下，光敏化合物分解，激发光化学反应，曝光之后进行显影，被曝光部分的光刻胶会随显影液进行反应而被除去，未曝光部分留在硅片上；光刻胶通过控制显影时间来溶解部分剥离胶，通过控制剥离胶显影时间与溶解曝光后的光刻胶来制备理想型内切结构。该方法底层采用剥离胶，主要由显影时间来控制像素光刻内切结构，传统方法容易受温度等因素影响，内切结构稳定性差、精度低，显影后容易出现底部外延及阳极金属粘连的情况。

技术实现思路

[0003]针对传统工艺制作硅基OLED阳极像素光刻内切结构精度差的问题，本技术提出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.硅基OLED阳极像素光刻内切结构，其特征在于该内切结构包括硅片、正性光刻胶B
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PR、正性光刻胶T
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PR和金属阳极组成：硅片上依次向上设置正性光刻胶B
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PR和正性光刻胶T
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PR，所述正性光刻胶T
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PR表面完全覆盖正性光刻胶B
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PR表面。2.如权利要求1所述的硅基OLED阳极像素光刻内切结构，其特征在于正性光刻胶T
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨炜平，保加兵，杨丽丽，杜浩楠，刘佰红，梁翔，石春明，殷艳娥，杨晓雪，马跃霞，
申请(专利权)人：云南北方奥雷德光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：