发光器件以及调制发光器件发射峰的方法技术

本发明专利技术属于显示器件技术领域，尤其涉及一种发光器件，包括：相对设置的第一电极和第二电极，以及设置在第一电极和第二电极之间的功能层，所述功能层包括发光层；至少所述第一电极包括金属层和第一透明导电层，所述第一透明导电层设置在靠近所述功能层的一侧，在所述金属层和所述第一透明导电层之间还设置有调制层，所述调制层的折射率随外场电压的变化而变化。本发明专利技术提供的发光器件，直接在电极中引入一层调制层，使调制层参与到器件微腔效应中，使发光器件的实际发射峰波长可趋近并达到预设的发射峰波长，提高器件的出光效率。提高器件的出光效率。提高器件的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光器件以及调制发光器件发射峰的方法


[0001]本专利技术属于显示器件
，尤其涉及一种发光器件，一种调制发光器件发射峰的方法。

技术介绍

[0002]量子点器件作为一种高性能的新型显示器件，具有高效率、窄发射峰、较大的斯塔克斯位移等特性。但在通常的量子点器件中，当器件制作完成后，发射峰的波长也就固定下来了。在发光器件中，尤其是顶发射量子点器件中，由于应用到F-P谐振微腔的存在，当材料的本征波长与出射峰波长接近时，器件性能最佳。即使是材料、结构等均相同的器件，也会因旋涂、蒸镀等工艺和设备能力，致使每次制片均会有一定差异，从而使制得的器件发射峰波长有变化，若有更换材料或结构等，则会导致发射峰波长变化更大。因此，在器件结构的优化过程中，当需要将器件的发射峰调制到预设最佳发射峰时，需要通过制备工艺多次调整功能层的厚度才能贴近发射峰，纯靠经验来设定工艺参数不够精准，且重复性差，不利于产业化大规模生产和应用。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种发光器件，旨在一定程度上解决现有发光器件对设计的发射峰波长调整难度高，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：相对设置的第一电极和第二电极，以及设置在第一电极和第二电极之间的功能层，所述功能层包括发光层；至少所述第一电极包括金属层和第一透明导电层，所述第一透明导电层设置在靠近所述功能层的一侧，在所述金属层和所述第一透明导电层之间还设置有调制层，所述调制层的折射率随外场电压的变化而变化。2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述调制层选自：液晶调制层或Sr
x
Ba
1-x
Nb2O6晶体调制层，其中，0＜x＜1。3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于所述液晶调制层的折射率变化区间为8％～15％；和/或，所述Sr
x
Ba
1-x
Nb2O6晶体调制层的折射率变化区间为2％～5％。4.如权利要求2或3所述的发光器件，其特征在于，所述Sr
x
Ba
1-x
Nb2O6晶体调制层的晶格中掺杂有5％～10％的过渡金属离子。5.如权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述液晶调制层的厚度为10纳米～100纳米；或者，所述Sr
x
Ba
1-x
Nb2O6晶体调制层的厚度为2纳米～10纳米；和/或，所述过渡金属离子选自：铬离子、铑离子、铈离子中的至少一种。6.如权利要求1～3或5任一所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极还包括设置所述金属层远离所述第一透明导电层一侧表面的第二透明导电层；和/或，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述金属层包括：Al、Ag、Au、Cu、Mo中的至少一种金属；和/或，所述第一透明导电层和第二透明导电层分别独立...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帆，严怡然，敖资通，赖学森，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：