【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质
[0001]本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质。
技术介绍
[0002]有一种为了同时提高产量和处理品质，而一边使基板进行公转一边供给气体来进行所需的基板处理的装置。例如在专利文献1中记载了这种装置的技术。
[0003]在这种装置中，各基板被在板状的基板载置板上设置的基板载置面支撑。多个基板载置面设置为圆周状。
[0004]在对基板进行处理时，一边使基板载置板旋转一边朝向基板载置板供给气体。所供给的气体被向基板载置面上的基板供给，并在基板上形成膜。
技术实现思路
[0005]专利技术所要解决的课题
[0006]在朝向基板载置板供给气体时，气体不仅供给至基板，而且也供给至其周围的结构。周围的结构是指：例如基板载置板中的基板载置面之间的部分。
[0007]由于气体也供给至周围的结构，因此与基板同样地形成膜。但是，在周围的结构形成的膜被剥离会产生颗粒而附着在基板上。由于颗粒会导致形成于基板的膜的品质降低，因此希望防...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理室，其对基板进行处理；基板载置板，其具备非基板载置面和多个基板载置面；旋转部，其使所述基板载置板旋转；等离子体生成部，其构成为所述非基板载置面上的等离子体密度比所述基板载置面上的等离子体密度高；处理气体供给部，其向所述处理室供给处理气体；清洁气体供给部，其向所述处理室供给清洁气体；以及加热器，其配置于所述基板载置板的下方。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板载置板由使热透过的透过材料构成。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板载置面由使热透过的透过材料构成。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理室具有：中心区域，其为比所述基板载置面靠中心侧的区域；中间区域，其比所述中心区域靠外周侧，且包含所述基板载置面；以及边缘区域，其包含从所述基板载置面起到所述基板载置板的边缘为止的区域，所述等离子体生成部构成为，所述中心区域的等离子体密度比所述中间区域的等离子体密度高，或者所述边缘区域的等离子体密度比所述中间区域的等离子体密度高。5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理室具有：中心区域，其为比所述基板载置面靠中心侧的区域；中间区域，其比所述中心区域靠外周侧，且包含所述基板载置面；以及边缘区域，其包含从所述基板载置面起到所述基板载置板的边缘为止的区域，所述等离子体生成部构成为，所述中心区域的等离子体密度比所述中间区域的等离子体密度高，或者所述边缘区域的等离子体密度比所述中间区域的等离子体密度高。6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，还在所述处理室设置闸阀，所述等离子体生成部构成为与所述闸阀相邻。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理室具有：中心区域，其为比所述基板载置面靠中心侧的区域；中间区域，其比所述中心区域靠外周侧，且包含所述基板载置面；以及边缘区域，其包含从所述基板载置面起到所述基板载置板的边缘为止的区域，所述等离子体生成部构成为，所述中心区域的等离子体密度比所述中间区域的等离子体密度高，或者所述边缘区域的等离子体密度比所述中间区域的等离子体密度高。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述等离子体生成部具有：电介质板；槽口板，其设置在所述电介质板上且具有多个放射孔；以及微波供给部，所述放射孔的单位面积内的开孔面积构成为，在所述中心区域比在所述中间区域大，或者在所述边缘区域比在所述中间区域大。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述等离子体生成部具有：电介质板；槽口板，其设置在所述电介质板上且具有多个放射孔；以及微波供给部，所述基板处理装置还具有：容器，其与所述等离子体生成部相邻；移动板，其能够在所述容器内与所述槽口板上之间移动，且具有第一部位和第二部位，该第一部位在清洁处理时配置于所述中心区域或者所述边缘区域上，封闭所述中心区域或者所述边缘区域的所述放射孔，该第二部位在所述清洁处理时配置于所述中间区域上，使所述中间区域上的放射孔露出；以及控制部，其使所述移动板移动。10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述等离子体生成部具有：电介质板；槽口板，其设置在所述电介质板上且具有多个放射孔；以及微波供给部，在所述槽口板中的所述中间区域设置与所述基板载置面对应的无孔部，在所述槽口板中的所述中心区域及所述边缘区域设置具有放射孔的有孔部。11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理室具有：中心区域，其为比所述基板载置面靠中心侧的区域；中间区域，其比所述中心区域靠外周侧，且包含所述基板载置面；以及边缘区域，其...
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