曝光方法技术

提供可降低３θ象差等的影响并高精度地转印所期望的图案的曝光方法。采用将来自光源系统的照明光照射到形成有掩膜图案的曝光掩膜上，经由投影透镜将透过该曝光掩膜的光的像投影到基板上，且上述照明系统是具有遮光区域的照明形状，通过调整上述照明系统和上述投影透镜之间的上述投影透镜的圆周方向的相对角度，可以使上述遮光区域重叠在分布于上述投影透镜的圆周方向的象差的相位偏离量达到最大时的至少一个位置上。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及降低半导体制造的平版印刷工序的象差的影响的技术。
技术介绍
近年来，伴随着电路图案的微细化，曝光装置的投影透镜的象差的影响已成为问题。如果减小投影透镜的象差，则由于需要进行物理光学的处理，故要将光学系统的象差变换成波面象差的形式。作为用瞳坐标的函数表示波面象差的方法，目前广泛使用Zernike多项式。该Zernike多项式的前16项可表示为Z11Z2rcosθZ3rsinθZ42r2-1Z5r2cos2θZ6r2sin2θZ7(3r2-2r)cosθZ8(3r2-2r)sinθZ96r4-6r2+1Z10r3cos3θZ11r3sin3θ Z12(4r4-3r2)cos2θZ13(4r4-3r2)sin2θZ14(10r5-12r3+3r)cosθZ15(10r5-12r3+3r)sinθZ1620r6-30r4+12r2-1这里，Z10以及Z11一般被称为3θ象差，是图案的非对称或DOF(焦点的深度，Depth of Focus)低下的原因。下面参照图12以及图13对它们进行说明。图12是原理地给出Z10的瞳面上的分布的图，以X轴的正方向为基准，在圆周本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光方法，将来自光源系统的照明光照射到形成有掩膜图案的曝光掩膜上，经由投影透镜将透过该曝光掩膜的光的像投影到基板上，其特征在于：上述照明系统是具有遮光区域的照明形状，通过调整上述照明系统和上述投影透镜之间的上述投影透镜的圆周方向 的相对角度，可以使上述遮光区域重叠在分布于上述投影透镜的圆周方向的象差的相位偏离量达到最大时的至少一个位置上。

【技术特征摘要】
JP 2001-6-27 195165/20011.一种曝光方法，将来自光源系统的照明光照射到形成有掩膜图案的曝光掩膜上，经由投影透镜将透过该曝光掩膜的光的像投影到基板上，其特征在于上述照明系统是具有遮光区域的照明形状，...

【专利技术属性】
技术研发人员：小峰信洋，浅沼庆太，东木达彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]