一种生长碳化硅晶体的坩埚装置制造方法及图纸

一种生长碳化硅晶体的坩埚装置，涉及半导体技术领域，该生长碳化硅晶体的坩埚装置包括坩埚及叶轮，坩埚包括坩埚锅体及坩埚盖，坩埚锅体用于放置碳化硅粉末，坩埚盖位于坩埚锅体内部的一侧用于放置仔晶，叶轮设置于坩埚锅体内，叶轮包括叶轮本体和设置在叶轮本体上的多个叶片，叶轮本体与坩埚内侧壁具有用于供气氛传输的气氛传输通道，气氛传输通道包括气氛通道入口与气氛通道出口，叶轮用于当坩埚被加热且伴随坩埚进行自旋时，挤压所述坩埚内的空气，以加快碳化硅晶体的生长气氛的传输。以加快碳化硅晶体的生长气氛的传输。以加快碳化硅晶体的生长气氛的传输。

【技术实现步骤摘要】
一种生长碳化硅晶体的坩埚装置


[0001]本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种生长碳化硅晶体的坩埚装置。

技术介绍

[0002]SiC晶体不会出现在大自然中，只能通过合成的方法来获得SiC晶体。目前碳化硅单晶的方法主要有物理气相传输法、高温化学气相沉积法、液相外延法等。其中物理气相传输法是发展最成熟的，在物理气相传输法中，生长气氛在垂直方向上主要以平流为主，轴向温梯主导气氛的传输速率，浓度梯度主导气体的流动方向；如果要提高晶体产能，即增加晶体的有效厚度，不可避免要加快生长气氛的传输速率。
[0003]而目前加快其生长气氛的传输速率大多采用调节坩埚与线圈的相对位置来加大坩埚整体的轴向温梯，然而调节坩埚与线圈的相对位置会导致原料高温区也跟着变化，容易导致原料上层碳化严重，下层无法得到有效利用，影响原料利用率。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种生长碳化硅晶体的坩埚装置，其包括坩埚与叶轮，且叶轮包括叶轮本体和设置在叶轮本体上的多个叶片，叶轮本体与坩埚内侧壁具有用于供气氛传输的通道，气氛传输通道包括气氛通道入口与气氛通道出口，当坩埚被加热时伴随坩埚进行自旋，挤压坩埚内的空气，以加快碳化硅晶体的生长气氛的传输，避免了坩埚整体上轴向温度的提高使得原料碳化严重的情况，从而也避免了原料利用率低下的情况。
[0005]本技术的实施例是这样实现的：
[0006]本技术实施例的有益效果是：本技术提供的生长碳化硅晶体的坩埚装置，其包括坩埚及叶轮，坩埚包括坩埚锅体及坩埚盖，坩埚锅体用于放置碳化硅粉末，坩埚盖位于坩埚锅体内部的一侧用于放置仔晶，叶轮设置于坩埚锅体内，叶轮包括叶轮本体和设置在叶轮本体上的多个叶片，叶轮本体与坩埚内侧壁具有用于供气氛传输的气氛传输通道，气氛传输通道包括气氛通道入口与气氛通道出口，当坩埚被加热时伴随坩埚进行自旋，叶轮和叶片会挤压坩埚内的空气，以加快碳化硅晶体的生长气氛的传输，避免了坩埚整体上轴向温度的提高使得原料碳化严重的情况，从而也避免了原料利用率低下的情况。
附图说明
[0007]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0008]图1为本技术实施例提供的生长碳化硅晶体的坩埚装置结构示意图；
[0009]图2为本技术实施例提供的生长碳化硅晶体的坩埚装置的剖视图；
[0010]图3为本技术实施例提供的叶轮的结构示意图。
[0011]图标:1000
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生长碳化硅晶体的坩埚装置；100
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坩埚；110
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坩埚锅体；120
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坩埚盖；121
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第一盖体；122
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第二盖体；200
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叶轮；210
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第一端部；211
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气氛通道出口；220
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第二端部；221
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气氛通道入口；230
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叶轮盖体；240
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叶片；243
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第三端部；244
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第四端部；250
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连接结构；260
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叶轮本体；300
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聚气件。
具体实施方式
[0012]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0013]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0014]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0015]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0016]此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0017]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0018]下面结合附图详细介绍本技术实施例提供的一种生长碳化硅晶体的坩埚装置的具体构造及取得的技术效果。
[0019]请参考图1
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2，本实施例提供的一种生长碳化硅晶体的坩埚装置1000包括坩埚100及叶轮200，坩埚100包括坩埚锅体110及坩埚盖120，坩埚锅体110用于放置碳化硅粉末，坩埚盖120位于所述坩埚锅体110内部的一侧用于放置籽晶，坩埚盖120与坩埚锅体110可拆卸连接。在本实施例中，上述坩埚盖120与坩埚锅体110盖合连接，当然在其它实施例中，坩埚盖120与坩埚锅体110可以采用其它方式进行可拆卸连接，例如螺纹连接，在此对其连接方式不作具体限定，只要能够实现坩埚盖120与坩埚锅体110能够顺利可拆卸装配即可。
[0020]其中，叶轮200设置于坩埚锅体110内，叶轮200包括叶轮本体260和设置于叶轮本体上的多个叶片240，并且叶轮200设置于坩埚锅体110内，叶轮本体与坩埚100侧壁具有用于供气氛传输的通道，所述气氛传输通道包括气氛通道入口与气氛通道出口。该叶轮200用于当坩埚100被加热且伴随坩埚100进行自旋时，挤压坩埚100内的空气，进而来加快碳化硅晶体的生长气氛的在气氛传输通道中的传输。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种生长碳化硅晶体的坩埚装置，其特征在于，包括：坩埚，所述坩埚包括坩埚锅体及坩埚盖，所述坩埚锅体用于放置碳化硅粉末，所述坩埚盖位于所述坩埚锅体内部的一侧用于放置籽晶；叶轮，所述叶轮设置于所述坩埚锅体内，所述叶轮包括叶轮本体和设置在叶轮本体上的多个叶片，所述叶轮本体与所述坩埚内侧壁具有用于供气氛传输的气氛传输通道，所述气氛传输通道包括气氛通道入口与气氛通道出口。2.根据权利要求1所述的生长碳化硅晶体的坩埚装置，其特征在于：所述叶轮本体具有靠近坩埚盖的第一端部与靠近坩埚锅体底部的第二端部，所述第一端部与所述坩埚的内侧壁之间形成所述气氛通道出口，所述第二端部与所述坩埚内侧壁之间形成所述气氛通道入口，所述气氛通道入口的面积大于所述气氛通道出口的面积。3.根据权利要求2所述的生长碳化硅晶体的坩埚装置，其特征在于：所述气氛通道入口的面积S1与所述气氛通道出口的面积S2之比为S1/S2，其中，1.2≤S1/S2≤1.8。4.根据权利要求3所述的生长碳化硅晶体的坩埚装置，其特征在于：所述气氛传输通道从所述气氛通道入口至所述气氛通道出口的用于气氛传输的横截面积呈均匀递减趋势。5.根据权利要求4所述的生长碳化硅晶体的坩埚装置，其特征在于：多个所述叶片间隔设置于所述叶轮，所述叶片在垂直于所述叶轮转轴的平面上的正投影...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泽斌，张洁，廖弘基，陈华荣，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：