处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种不会污染被处理物，并可通过产生高效率的活性种来改善处理速度的处理装置。为达到上述目的，本发明专利技术的处理装置，是采用催化剂来分解含有Ｈ原子或Ｏ原子的分子气体，并利用该催化剂所分解产生的气体对被处理物进行处理的处理装置，其特征为：具备对该催化剂照射光的机构，而该光的波数超过以该催化剂所具有的波数来表示的功函数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用催化剂来分解气体、处理被处理物的处理装置。进一步详细地说，涉及以在利用催化剂来分解气体、处理被处理物的过程中存在光能为特征的处理装置。
技术介绍
有关半导体制造工序及液晶面板洗净工序等中去除有机物的技术，近来开发出利用高融点催化剂灰化·去除抗蚀剂(resist)的方法。举例来说，上述的技术譬如日本专利特开2002-289586号公报等。根据该公报所揭示的内容，是利用钨等的高融点金属作为加热后的高融点催化剂，并利用该催化剂与含氢原子的气体接触所产生的分解反应来形成原子状态的氢，再使该原子状态的氢与抗蚀剂接触以剥离抗蚀剂。第8图是显示利用传统催化剂的处理装置。处理装置80具有由外壁所包覆的反应室82，在该反应室82内配置有钨等高融点金属所形成的催化剂100，而该催化剂100连接着用来通电加热的电源85。此外，该反应室82内配置有试料台88，并置有被处理物89。而构成该反应室82的外壁设有用来导入含氢原子气体等反应性气体的导入口86a、及用来排出反应后气体的排出口86b。举例来说，当从导入口86a导入氢时，所导入的氢将冲击设于反应室82内由钨所形成的前述催化剂。此时，氢被附着于钨的表面。在该装置中，是利用习知的吸附—解离(adsorption-dissociation)反应分解氢分子(H2)，而使该钨的表面产生氢原子(H)与钨原子(W)所结合而成的W-H。接着，通过对作为催化剂的钨通电加热而使其形成1700℃左右的过热程度，再使利用热能切断W-H的结合键所形成的活性氢从钨的表面脱离。经脱离氢原子的钨表面将再度形成洁净的面。通过使氢分子再度冲击该洁净的钨表面可反复进行上述的反应。藉此，可于上述的反应室82内产生高浓度的活性氢，再使该活性氢接触被处理物进而对被处理物进行处理。在上述日本专利公报中，是通过使原子状态的氢接触抗蚀剂的方式来进行剥离处理。此外，根据日本第50届应用物理学关系联合演讲会的演讲预备集NO2、P844(2003年3月)，其中揭示一种使用加热后的钨作为高融点催化剂，使氨接触前述加热后的钨而产生氨的分解种，再将该氨的分解种作用于抗蚀剂而加以去除的方法。除此之外，在Japanese Journal of Applied Physics.Vol.41(2002年)的pp4639-4641中，也记载使H2接触作为高融点催化剂的加热后的钨以产生H，再使H作用于Si进行蚀刻的方法。如上所述地，采用钨等的金属作为高融点催化剂的方法已广为提倡。根据上述方法的活性种的产生装置则考虑以下的方式。当譬如氢分子等的反应性气体冲击金属表面时，该氢分子于该金属表面进行解离—吸附。在这个时间点，该金属作为催化剂而产生作用，进而在该金属的表面产生氢原子与该金属(譬如为钨)的结合种。其次，通过将上述钨的表面温度加热到譬如1700℃以上，而使该氢原子因为热能而从上述钨的表面脱离。藉此可产生反应性高的氢原子。此外，当上述钨表面热脱离该氢原子时，该钨的表面恢复为干净的钨金属表面，并可通过氢分子的再次撞击而重复解离—吸附(解離吸着)，促使催化剂反应持续进行。但是，由于在上述方法中必须通过对成为高融点催化剂的金属加热才能形成热脱离，因此无法避免该金属本身的蒸发。而该蒸发后的金属将衍生出污染被处理物的问题。专利文献1日本专利特开2002-289586号公报非专利文献1日本第50届应用物理学关系联合演讲会的演讲预备集NO2、P844(2003年3月)非专利文献2Japanese Journal of Applied Physics.Vol.41(2002年)的pp4639-4641
技术实现思路
本专利技术是有鉴于上述问题而研发的专利技术，本专利技术团队不断研究的结果，是根据对利用催化剂进行解离—吸附的元素进行光照射，而可藉由该催化剂脱离反应性高的氢等的活性种的新发现。本专利技术所欲解决的课题，是提供一种不会污染被处理物，并可通过产生高效率的活性种来改善处理速度的处理装置。本专利技术的处理装置，是为了分解含有氢原子或氧原子的分子气体而采用催化剂，并利用由该催化剂所分解生成的气体对被处理物进行处理的处理装置，其特征为具备对该催化剂照射光的机构，而该光的波数超过以该催化剂所具有的波数来表示的功函数(workfunction)。在本专利技术中，所谓的功函数，是指以电位差来表示为了将被物质所牵引的电子提升至超过能带隙(bandgap)时所需的能量，通常是以电子伏特(eV)来标示。此外，由物质所放射的光，一般来说是以波长(nm)来标示，当表示该光所具有的电磁能时则以波长的反数，也就是波数凯塞(wavenumber kayser、cm-1)来标示。其关系成为能量(E)＝普朗克常数(Plank’s constant)(h)×光速(c)/波长(λ)。此外，以电子伏特(eV)标示的能量可转换成凯塞(cm-1)，其关系为1(eV)＝0.8066×104cm-1。因此在本专利技术中，为了说明照射光(光所具有的能量超过一定功函数的能量)的构成，统一使用能量单位凯塞(cm-1)来标示。其次，本专利技术的处理装置，其特征为在上述的构成中具备对被处理物照射光的机构，而该光的波数超过以该催化剂的波数来表示的功函数。此外，本专利技术的特征为波数超过以该催化剂波数来表示的功函数的光，是超过5.08×104cm-1的光。不仅如此，本专利技术的特征为波数超过以该催化剂波数来表示的功函数的光，是采用在7.934×104cm-1时具有最大值的Ar2准分子光。此外，本专利技术的特征为产生Ar2准分子光的机构，是采用以Ar作为放电用气体的介电质放电(dielectric barrier discharge，DBD)，并在该放电用气体中混入了含有氢原子或氧原子的分子气体。或者，本专利技术的特征为波数超过以该催化剂波数来表示的功函数的光的照射机构，是在波数5.81×104cm-1时具有最大值的Xe2激分子灯，或在波数6.85×104cm-1时具有最大值的Kr2激分子灯。此外，本专利技术的特征为在上述的各构成中，该催化剂为Pt、Rh、Pd、Ir、Ru、Re或Au。而本专利技术的另一个特征为对被处理物喷射该分解生成气体。本专利技术的处理装置，是为了分解含有氢原子的分子气体而使用催化剂，并通过由该催化剂所分解生成的气体对被处理物进行处理的处理装置，其特征为具备对该催化剂照射波数超过以该催化剂所具有的波数来表示的功函数的光并也对被照射物照射该波数的光的机构，该波数的光采用波数6.67×104cm-1以上的光，对SiO2进行蚀刻。此外，本专利技术的特征为在上述的构成的基础上，上述波数的光，是采用产生在波数6.85×104cm-1时具有最大值的Kr2准分子光、或在波数7.934×104cm-1时具有最大值的Ar2准分子光的介质放电灯，对SiO2进行蚀刻。专利技术的效果根据本专利技术技术方案第1项所记载的处理装置，是对用来分解含有氢原子或氧原子的分子气体的催化剂照射光，而该光的波数是超过以该催化剂的波数表示的功函数。藉此，可促使利用附着于催化剂而进行吸附—解离的分解生成物的脱离。举例来说，倘若采用氨(NH3)作为含氢原子的分子气体，该NH3可通过冲撞作为催化剂的钨(W)而形成吸附。此时将如习知的吸附—解离现象一般，NH3将因为与W产生反应而分解NH本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理装置，是为了分解含有氢原子或氧原子的分子气体而采用催化剂，并利用由该催化剂所分解生成的气体对被处理物进行处理的处理装置，其特征为：具备对该催化剂照射光的机构，而该光的波数超过以该催化剂所具有的波数来表示的功函数。

【技术特征摘要】
JP 2004-2-19 043391/20041.一种处理装置，是为了分解含有氢原子或氧原子的分子气体而采用催化剂，并利用由该催化剂所分解生成的气体对被处理物进行处理的处理装置，其特征为具备对该催化剂照射光的机构，而该光的波数超过以该催化剂所具有的波数来表示的功函数。2.如权利要求1所述的处理装置，其特征为具备对被处理物照射光的机构，而该光的波数超过以该催化剂的波数来表示的功函数。3.如权利要求1所述的处理装置，其特征为波数超过以该催化剂的波数来表示的功函数的光，是超过5.08×104cm-1的光。4.如权利要求1所述的处理装置，其特征为波数超过以该催化剂波数来表示的功函数的光，是采用在7.934×104cm-1时具有最大值的Ar2准分子光。5.如权利要求1所述的处理装置，其特征为产生Ar2准分子光的机构，采用以Ar作为放电用气体的介电质放电，并在该放电用气体中混入了含有氢原子或氧原子的分子气体。6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：松野博光，住友卓，菱沼宣是，
申请(专利权)人：优志旺电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]