光器件制造方法技术

本发明专利技术提供一种光器件的制造方法，包括：（ａ）步骤：准备加工物，该加工物具有：第一衬底，其包括多个光元件，该多个光元件分别具有光学部分和形成在所述光学部分外测的电极；光透射性的粘接层，其按照覆盖所述光学部分和邻接的所述光元件的所述光学部分之间那样形成在所述第一衬底上；及多个透明衬底，其分别被配置在所述粘接层上，避开所述电极的上方并位于所述光学部分的上方，（ｂ）步骤：在所述（ａ）步骤之后，除去邻接的所述光元件的所述光学部分之间的所述粘接层部分，（ｃ）步骤：将所述第一衬底切断为各个所述光元件。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
具有受光部等光学部分的光元件最好在光学部分和用于密封光学部分的盖之间设置空间。因此，众所周知的有把光元件单片化后，在光学部分和盖之间设置空间，由盖密封光学部分的。单片化通过晶片等衬底的切断进行，但是此时产生切削屑等废料和毛刺。如果在该废料等附着在光学部分的状态下进行密封，则此后就无法从该空间内除去废料，存在光器件的质量下降这一问题。特别是具有带微型透镜的光学部分的固态摄像设备的情况，因为微型透镜具有凹凸，所以废料容易附着，很难完全取出。因此，当具有带微型透镜的光学部分时，还存在着更容易使光器件(固态摄像设备)的质量下降这一问题。
技术实现思路
鉴于以上所述问题的存在，本专利技术的目的在于提供质量高的。(1)本专利技术的包含(a)在包含多个形成了光学部分的光元件的第一衬底上，通过光透射性的粘结层，粘贴包含透明衬底的第二衬底，密封所述光学部分；(b)把所述第一衬底切断为各个所述光元件。根据本专利技术，因为密封光学部分之后切断第一衬底，所以废料不会进行密封部中，能得到质量高的光器件。(2)在该中，在所述步骤(a)中，可以把固定了相互位置的多个所述透明衬底作为所述第二衬底粘贴在所述第一衬底上。据此，因为第二衬底预先具有多个透明衬底，所以也可以在粘贴到第一衬底上之后不进行切断。另外，因为多个透明衬底相互的位置固定，所以向第一衬底的粘贴变得简单。(3)在该中，所述第二衬底是在薄板上粘贴光透射性的板，通过不切断所述薄板而把所述板切断为多个所述透明衬底而得到的衬底，是由粘贴在所述薄板上的多个所述透明衬底构成的衬底。(4)在该中，至少在所述透明衬底上设置所述粘结层后，把所述第二衬底粘贴在所述第一衬底上。据此，在第一衬底中，在不粘贴透明衬底的区域中可以不设置粘结层。(5)在该中，所述第一衬底的所述光元件在所述光学部分的外侧形成有电极；在所述(a)步骤中，可以避开所述电极，在所述第一衬底的上方设置所述透明衬底。据此，因为第一衬底的电极的上方开放，所以能容易地取得对电极的电连接。(6)在该中，所述(a)步骤可以包含以下所述步骤(a1)在所述第一衬底上粘贴所述第二衬底；(a2)使所述第二衬底与所述光学部分对应，切断为多个所述透明衬底。据此，第二衬底和第一衬底的对位变得容易。另外，可以不进行分散的多个单片的对位。(7)在该中，所述第一衬底的所述光元件在各个所述光学部分的外侧形成有电极；在所述(a2)步骤中，一边除去所述第二衬底的所述电极上方的部分，一边切断所述第二衬底。据此，因为第一衬底的电极上方开放，所以容易取得对电极的电连接。(8)在该中，在所述(a2)步骤中，切断所述第二衬底的刀的宽度比在所述步骤(b)中切断所述第一衬底的刀的宽度大。(9)在该中，所述(a)步骤可以包含(a1)在所述第一衬底上形成所述粘结层；(a2)把多个所述第二衬底分别与各个所述光元件的所述光学部分对应后进行粘结。据此，当第一衬底和第二衬底的热膨胀率等的差异大时，能以良好的位置精度把具有单片化的透明衬底的第二衬底粘结到光学部分上。(10)在该中，在所述第一衬底的所述光元件中，在各个所述光学部分的外侧形成有电极；在所述(a2)步骤中，可以避开所述电极，在所述第一衬底的上方设置所述第二衬底。据此，因为第一衬底的电极的上方开放，所以容易取得对电极的电连接。(11)在该中，在所述(a)步骤中，可以包含以下步骤在多个所述光元件上连续设置所述粘结层。(12)在该中，可以包含以下步骤在所述(a)步骤中，在多个所述光元件上连续设置所述粘结层；在所述(a)步骤后，可以通过除去所述粘结层中至少位于所述电极上的部分，来使所述电极露出。(13)在该中，在所述(a)步骤中，可以避开所述电极，在各个所述光元件上设置所述粘结层。(14)在该中，所述透明衬底至少可以使可见光通过，而不让红外线通过。(15)在该中，所述第一衬底可以是半导体晶片。(16)在该中，各个所述光学部分可以具有图象传感用的排列的多个受光部。(17)在该中，各个所述光学部分可以具有设置在所述受光部上方的滤色镜。(18)在该中，各个所述光学部分可以具有设置在所述第一衬底表面上的微型透镜阵列。(19)在该中，作为所述粘结层的材料，可以使用光的绝对折射率与所述微型透镜阵列不同的材料。(20)本专利技术的光器件通过所述方法来制造。(21)本专利技术的光模块具有光器件和安装所述光器件的支撑构件。(22)本专利技术的电路板安装有所述光模块。(23)本专利技术的电子仪器具有所述光模块。附图说明下面简要说明附图。图1A～图1B是说明本专利技术实施例1的的图。图2是说明本专利技术实施例1的的图。图3A和图3B是说明本专利技术实施例1的的图。图4A和图4B是说明本专利技术实施例1的的图。图5A和图5B是说明本专利技术实施例1的的图。图6A～图6C是说明本专利技术实施例2的图。图7A～图7B是说明本专利技术实施例3的的图。图8是说明本专利技术实施例4的光模块和电路板的图。图9是表示本专利技术实施例的光模块的图。图10是表示本专利技术实施例的光模块的图。图11是表示本专利技术实施例的电子仪器的图。图12是表示本专利技术实施例的电子仪器的图。图13A～图13B是表示本专利技术实施例的电子仪器的图。具体实施例方式下面，参照附图就本专利技术实施例加以说明。(实施例1)图1A～图5B是说明本专利技术实施例1的的图。在本实施例中，如图1A和图1B所示，在第一衬底10上安装第二衬底30。为了提高后面描述的切断步骤中的作业性，也可以在第一衬底10上粘贴薄板12。图2是放大表示第一衬底10的一部分的图。第一衬底10具有包含光学部分14的多个光元件50。光元件50包含光学部分14和电极26。光学部分14是光入射或出射的部分。另外，光学部分14变换光能和其他能量(例如电)。即一个光学部分14具有多个能量变换部(受光部、发光部)16。在本实施例中，各光学部分14具有多个能量变换部(受光部或图象信号感受部)16。如图2所示，多个能量变换部16二维地排列，能纪行图象信号的感受。即本实施例中制造的光器件或光模块是摄像传感器(例如CCD、CMOS传感器)等固态摄像设备。能量变换部16由钝化膜18覆盖。钝化膜18具有光透射性。第一衬底10如果包含半导体衬底(例如半导体晶片)，就可以用SiO2、SiN形成钝化膜18。光学部分14可以具有滤色镜20。滤色镜20形成在钝化膜18上。另外，在滤色镜20上设置了平坦化层，在其上可以设置微型透镜阵列24。在第一衬底10上形成了多个电极26。图2所示的电极26具有形成在垫上的凸出，但是也可以只是垫。如图2所示，电极26最好在各光元件50中，形成在光学部分14的外侧。例如，在相邻的光学部分14之间形成了电极26。一个光学部分14与一组的电极26(多个)对应。例如，如图5B所示，可以沿着光学部分14的多条边(例如相对的两边)配置电极。第二衬底30包含透明衬底32。透明衬底32具有光透射性。虽然并未特别限定透明衬底32的形状，但是例如是四边形。另外，第二衬底30的外形可以与第一衬底10的外形几乎相同。另外，透明衬底32配置在光学部分14的上方。透明衬底32如果是光能透射的，损失大小无所谓，可以只使特定的波长的光透射。透明衬底32可以使可见光通过，但是不让红外线区域的光通过。透明衬底32可以对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光器件的制造方法，其特征在于，包括：（ａ）步骤：准备加工物，该加工物具有：第一衬底，其包括多个光元件，该多个光元件分别具有光学部分和形成在所述光学部分外测的电极；光透射性的粘接层，其按照覆盖所述光学部分和邻接的所 述光元件的所述光学部分之间那样形成在所述第一衬底上；及多个透明衬底，其分别被配置在所述粘接层上，避开所述电极的上方并位于所述光学部分的上方，（ｂ）步骤：在所述（ａ）步骤之后，除去邻接的所述光元件的所述光学部分之间的所述粘接层 部分，（ｃ）步骤：将所述第一衬底切断为各个所述光元件。

【技术特征摘要】
JP 2001-12-27 2001-3970531.一种光器件的制造方法，其特征在于，包括(a)步骤准备加工物，该加工物具有第一衬底，其包括多个光元件，该多个光元件分别具有光学部分和形成在所述光学部分外测的电极；光透射性的粘接层，其按照覆盖所述光学部分和邻接的所述光元件的所述光学部分之间那样形成在所述第一衬底上；及多个透明衬底，其分别被配置在所述粘接层上，避开所述电极的上方并位于所述光学部分的上方，(b)步骤在所述(a)步骤之后，除去邻接的所述光元件的所述光学部分之间的所述粘接层部分，(c)步骤将所述第一衬底切断为各个所述光元件。2.根据权利要求1所述的光器件的制造方法，其特征在于，所述(a)步骤包括(a1)步骤将包含所述多个透明衬底的部分的第二衬底通过所述粘接层粘贴在所述第一衬底上，(a2)步骤通过除去所述电极上方的所述第二衬底部分，将所述第2基板切断为所述多个透明衬底，3.据权利要求2所述的光器件的制造方法，其特征在于，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥元伸晃，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]