形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置制造方法及图纸

一种形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置，该具有导电凸块的装置包含：一半导体晶片，该晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该表面上的焊垫；及数个各形成于一对应的焊垫的中央部分上的导电凸块，每一导电凸块包括一形成于一对应的焊垫上的凸点及一形成于该对应的凸点上且从该对应的凸点延伸到对应的焊垫的表面上的金属层。本发明专利技术的形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置，具有制造程序简单、符合环保要求、体积小、成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种形成导电凸块的方法，更特别地，是有关于一种形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置。
技术介绍
基于环保的理由，在半导体制造过程中，不含铅的导电材料或含铅量极低的导电材料已逐渐普遍地被使用以代替含铅量极高的导电材料。针对此一课题，本案申请人曾于2002年11月22日提出过名称为”一种于半导体晶片上形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的半导体晶片装置”的第91134055号中国台湾专利技术专利申请案。现在，本申请案揭露与上述专利申请案所揭露的手段不同的其他可行的手段。此外，在BGA封装产品中，于封装基体的与载有晶片的表面相对的表面上形成有数个以矩阵形式排列的锡球。如上所述，含铅量高的锡球是不符合环保要求的。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置，具有制造程序简单、符合环保要求、体积小、成本低等优点。基于上述目的，本专利技术提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成有数个暴露该晶片的对应的焊垫的中央部分的穿孔；(3)以光阻材料于该绝缘层上形成一覆盖层且将该绝缘层的穿孔覆盖，于该覆盖层上借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露对应的焊垫的中央部分的暴露孔，由每一暴露孔所暴露的焊垫中央部分的面积是比由该穿孔所暴露的焊垫中央部分的面积小；(4)在覆盖层的暴露孔形成之后，于该覆盖层的每一个暴露孔内填注凸点形成材料，以使每一个暴露孔内的凸点形成材料形成一对应焊垫上的凸点；及(5)把该覆盖层移去且在每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层，以形成导电凸块，该金属层是从对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。较佳地，在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为塑料。本专利技术还提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成数个暴露该晶片的对应的焊垫中央部分的穿孔；(3)于该绝缘层的每一穿孔内形成一具有与该绝缘层的表面齐平的表面的光阻材料层，该光阻材料层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成数个暴露对应的焊垫中央部分的暴露孔，由每一暴露孔所暴露的焊垫中央部分的面积是比由该穿孔所暴露的焊垫中央部分的面积小；(4)在光阻材料层的暴露孔形成之后，于该光阻材料层的每一个暴露孔内填注凸点形成材料以使每一个暴露孔内的凸点形成材料于对应的焊垫上形成一凸点；及(5)把该光阻材料层移去且在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。较佳地，在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。较佳地，在移去光阻材料层及形成金属层的步骤(5)之后，更包含一个把该绝缘层移去的步骤。较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为塑料。本专利技术还提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露该晶片的对应的焊垫中央部分的穿孔；(3)于该绝缘层的每一个穿孔内填注凸点形成材料以使每一个穿孔内的凸点形成材料于一对应的焊垫上形成一凸点；(4)把该绝缘层移去；(5)在该绝缘层被移去之后，于该晶片的整个焊垫安装表面上以光阻材料形成一保护层以使该凸点被覆盖，借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理，该保护层形成有数个用于暴露该凸点的开孔；及(6)在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。较佳地，在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为塑料。本专利技术还提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露该晶片的对应的焊垫中央部分的穿孔；(3)于该绝缘层的每一个穿孔内填注凸点形成材料以使每一个穿孔内的凸点形成材料于一对应的焊垫上形成一凸点；(4)把该绝缘层移去；及(5)在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。较佳地，在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为塑料。本专利技术还提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面形成一凸点形成层，该凸点形成层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来使得仅该凸点形成层的对应于该焊垫中央部分的部分被留下作为凸点；及(3)在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。较佳地，在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。较佳地，在形成凸点形成层的步骤(2)中，该凸点形成层是由光阻材料或掺杂有如金、银、铜、铁、铝等的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨等的光阻材料形成。较佳地，在形成金属层的步骤(3)中，金属层是根据凸点的材料而定来以如塑胶电镀、无化学电解电镀等的任何适当的电镀方式形成。较佳地在形成金属层的步骤(3)之前，更包含如下的步骤以光阻材料于该半导体晶片的整个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成导电凸块的方法，其特征在于：包含如下的步骤：（１）提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；（２）以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用 光罩的曝光和化学冲洗处理来形成有数个暴露该晶片的对应的焊垫的中央部分的穿孔；（３）以光阻材料于该绝缘层上形成一覆盖层且将该绝缘层的穿孔覆盖，于该覆盖层上借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露对应的焊垫的中央部分的暴露孔，由每一 暴露孔所暴露的焊垫中央部分的面积是比由该穿孔所暴露的焊垫中央部分的面积小；（４）在覆盖层的暴露孔形成之后，于该覆盖层的每一个暴露孔内填注凸点形成材料，以使每一个暴露孔内的凸点形成材料形成一对应焊垫上的凸点；及（５）把该覆盖层 移去且在每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层，以形成导电凸块，该金属层是从对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。

【技术特征摘要】
1.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成有数个暴露该晶片的对应的焊垫的中央部分的穿孔；(3)以光阻材料于该绝缘层上形成一覆盖层且将该绝缘层的穿孔覆盖，于该覆盖层上借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露对应的焊垫的中央部分的暴露孔，由每一暴露孔所暴露的焊垫中央部分的面积是比由该穿孔所暴露的焊垫中央部分的面积小；(4)在覆盖层的暴露孔形成之后，于该覆盖层的每一个暴露孔内填注凸点形成材料，以使每一个暴露孔内的凸点形成材料形成一对应焊垫上的凸点；及(5)把该覆盖层移去且在每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层，以形成导电凸块，该金属层是从对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。2.如权利要求1所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。3.如权利要求1所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。4.如权利要求1所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。5.如权利要求1所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为塑料。6.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成数个暴露该晶片的对应的焊垫中央部分的穿孔；(3)于该绝缘层的每一穿孔内形成一具有与该绝缘层的表面齐平的表面的光阻材料层，该光阻材料层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成数个暴露对应的焊垫中央部分的暴露孔，由每一暴露孔所暴露的焊垫中央部分的面积是比由该穿孔所暴露的焊垫中央部分的面积小；(4)在光阻材料层的暴露孔形成之后，于该光阻材料层的每一个暴露孔内填注凸点形成材料以使每一个暴露孔内的凸点形成材料于对应的焊垫上形成一凸点；及(5)把该光阻材料层移去且在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。7.如权利要求6所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。8.如权利要求6所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在移去光阻材料层及形成金属层的步骤(5)之后，更包含一个把该绝缘层移去的步骤。9.如权利要求6所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。10.如权利要求6所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。11.如权利要求6所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为塑料。12.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露该晶片的对应的焊垫中央部分的穿孔；(3)于该绝缘层的每一个穿孔内填注凸点形成材料以使每一个穿孔内的凸点形成材料于一对应的焊垫上形成一凸点；(4)把该绝缘层移去；(5)在该绝缘层被移去之后，于该晶片的整个焊垫安装表面上以光阻材料形成一保护层以使该凸点被覆盖，借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理，该保护层形成有数个用于暴露该凸点的开孔；及(6)在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。13.如权利要求12所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。14.如权利要求12所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。15.如权利要求12所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。16.如权利要求12所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为塑料。17.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露该晶片的对应的焊垫中央部分的穿孔；(3)于该绝缘层的每一个穿孔内填注凸点形成材料以使每一个穿孔内的凸点形成材料于一对应的焊垫上形成一凸点；(4)把该绝缘层移去；及(5)在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。18.如权利要求17所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。19.如权利要求17所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。20.如权利要求17所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。21.如权利要求17所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为塑料。22.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面形成一凸点形成层，该凸点形成层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来使得仅该凸点形成层的对应于该焊垫中央部分的部分被留下作为凸点；及(3)在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。23.如权利要求22所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。24.如权利要求23所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在形成凸点形成层的步骤(2)中，该凸点形成层是由光阻材料或掺杂有如金、银、铜、铁、铝等的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨等的光阻材料形成。25.如权利要求23所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在形成金属层的步骤(3)中，金属层是根据凸点的材料而定来以如塑胶电镀、无化学电解电镀等的任何适当的电镀方式形成。26.如权利要求23所述的形成导...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈育浓，
申请(专利权)人：沈育浓，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]