新晶体结构氯化酞菁镓纳米带及其制备方法技术

本发明专利技术属于纳米氯化酞菁镓制备技术领域，具体公开一种新晶体结构氯化酞菁镓纳米带及其制备方法，所述氯化酞菁镓纳米带的X

【技术实现步骤摘要】
新晶体结构氯化酞菁镓纳米带及其制备方法


[0001]本专利技术属于纳米氯化酞菁镓制备
，具体涉及一种新晶体结构氯化酞菁镓纳米带及其制备方法。

技术介绍

[0002]氯化酞菁镓(GaClPc)是一种深蓝色晶体，能溶于硫酸，但难溶于水。它是一种性能优良的有机功能材料，广泛地应用于染料、染料电池的光催化剂、液晶彩色显示等领域中，并在光探测器，气敏器件，光波导，光电子和光子纳米器件材料等方面有潜在应用。
[0003]纳米材料的特性与尺度有关，一维纳米材料不仅能揭示材料的本征传输性质，同时也是制造高性能光电器件的理想材料之一。制备新颖的具有良好形态、大小的一维纳米有机单晶，在纳米科学和
仍然是一个重要的课题。

技术实现思路

[0004]一种氯化酞菁镓纳米带，具有氯化酞菁镓结构，所述氯化酞菁镓纳米带的X
‑
射线衍射谱在下列的2θ处具有一个或多个特征峰7.248、9.003、13.285、16.591、20.221、25.259、25.811、26.886、27.465、28.072、28.804；而相应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氯化酞菁镓纳米带，具有酞菁结构，其特征在于，所述氯化酞菁镓纳米带的X
‑
射线衍射谱在下列的2θ处具有一个或多个特征峰7.248、9.003、13.285、16.591、20.221、25.259、25.811、26.886、27.465、28.072、28.804；而相应的半峰宽分别为：0.143、0.595、0.189、0.157、0.174、0.241、0.338、0.209、0.562、0.160、0.230；峰高分别为：256、350、174、166、383、113、120、3413、233、150、211；衍射强度分别为：7.5％、10.3％、4.6％、4.9％、9.3％、3.8％、3.5％、100％、18.3％、3.4％、6.8％；所述X
‑
射线衍射谱的测试条件为：Cu
Kα1
，0.02
°
/step/1s；所述的氯化酞菁镓纳米带平均直径在100nm以下。2.一种制备如权利要求1所述的氯化酞菁镓纳米带的方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)放入氯化酞菁镓源料至水平管式炉中的加热区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋玉敏，党嫒嫒，郭婷婷，聂陟枫，王海，姜雯，李成晗，王亚君，王晨，
申请(专利权)人：昆明学院，
类型：发明
国别省市：