半导体装置和该半导体装置的操作方法制造方法及图纸

本申请涉及半导体装置和该半导体装置的操作方法。一种半导体装置包括电压比较电路和校准控制电路。电压比较电路将测试基准电压进行比较并且生成比较结果信号。校准控制电路控制电压比较电路的偏移值。制电压比较电路的偏移值。制电压比较电路的偏移值。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和该半导体装置的操作方法


[0001]各种实施方式总体上涉及半导体装置和该半导体装置的操作方法，并且更具体地，涉及一种能够内建自测(built
‑
in self test)的半导体装置和该半导体装置的操作方法。

技术介绍

[0002]通常，半导体装置在投放市场之前要经历各种测试操作。通过测试操作，半导体装置可以具有保证的更稳定和更准确的操作。现有的测试操作使用自动测试设备(ATE)。然而，随着半导体装置随时间发展以执行更复杂的操作，ATE必须执行的测试数量逐渐变大。如果测试数量很大，则这意味着在其期间使用测试设备的时间增加。如果使用测试设备的时间增加，则这意味着半导体装置的单价增加。
[0003]作为解决这样的问题的方案，对内建自测电路出现兴趣。内建自测电路可以安装在半导体装置内，并且可以代替ATE执行一些测试操作。因此，如果使用内建自测电路，则因为可以减少使用测试设备的时间，所以可以降低半导体装置的单价。
[0004]通常，内建自测电路的配置复杂，并且该电路所占用的面积大。如果电路的配置复杂，则这意味着由于噪声的影响而导致测试结果值可能会出现误差。此外，如果该电路所占据的面积大，则从设计的角度来看，在半导体装置内安装内建自测电路会产生复杂性。

技术实现思路

[0005]各种实施方式涉及一种能够通过最小化的或减小的配置来控制电压比较电路的偏移值的半导体装置。
[0006]此外，各种实施方式涉及一种可通过在测试操作时执行的校准操作和设置操作来设置和重置内部电压的半导体装置和该半导体装置的操作方法。
[0007]本公开的目的不限于上述目的，并且根据以下描述，本公开所属领域的技术人员可以清楚地理解以上未描述的其它目的。
[0008]在一个实施方式中，一种半导体装置可以包括电压比较电路，该电压比较电路适于通过将分别通过第一输入级和第二输入级接收到的测试基准电压进行比较来生成比较结果信号。该半导体装置还可以包括校准控制电路，该校准控制电路适于在校准操作时生成用于控制电压比较电路的偏移值的校准代码，并且将校准代码提供给电压比较电路。
[0009]在一个实施方式中，一种包括适于通过测试操作设置内部电压的电压比较电路在内的半导体装置的操作方法可以包括以下步骤：将测试基准电压输入到电压比较电路，接收测试基准电压并且对电压比较电路执行校准操作，并且通过将输入到电压比较电路的测试基准电压和测试内部电压进行比较来执行设置操作。
附图说明
[0010]图1是示出根据实施方式的半导体装置的配置的框图。
[0011]图2是示出图1的电压比较电路的配置的电路图。
[0012]图3是示出图1的输入控制电路的配置的电路图。
[0013]图4是示出图1的设置配置电路的配置的框图。
[0014]图5是示出图1的半导体装置的内部操作的定时图。
[0015]图6是示出根据实施方式的半导体装置的配置的框图。
[0016]图7是示出根据实施方式的图1和图6的半导体装置的操作方法的流程图。
具体实施方式
[0017]本公开包括用于结构和/或功能描述的实施方式。本公开的权利范围不应被解释为限于所描述的实施方式。即，本公开的权利范围应被理解为包括可以实现技术精神的等同物，因为实施方式可以以各种方式进行修改并且可以具有各种形式。此外，在本公开中提出的目的或效果并不意指特定实施方式应当包括所有目的或效果或者仅包括这样的效果。因此，本公开的权利范围不应当被理解为受其限制。
[0018]在本申请中描述的术语的含义应当理解如下。
[0019]诸如“第一”和“第二”之类的术语用于将一个元件与另一元件区分开，并且本公开的范围不应受到这些术语的限制。例如，第一元件可以被命名为第二元件。同样，第二元件可以被命名为第一元件。
[0020]除非在上下文中另外明确表示，否则单数的表达应当被理解为包括复数表达。诸如“包括”或“具有”之类的术语应当被理解为表示存在设定的特性、数量、步骤、操作、元件、部件或其组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特性、数量、步骤、操作、元件、部件或其组合的可能性。
[0021]在所呈现的每个步骤中，为了便于描述而使用符号(例如，a、b和c)，并且这些符号不描述步骤的顺序。除非在上下文中清楚地描述了特定顺序，否则可以按照与上下文中描述的顺序不同的顺序来执行步骤。即，这些步骤可以根据所描述的顺序来执行，可以与所描述的顺序基本同时执行，或者可以以所描述的顺序的相反顺序来执行。
[0022]除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)具有与本领域技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在申请中明确定义，否则常用字典中定义的术语应当被解释为具有与相关技术的上下文中的含义相同的含义，并且不应当被解释为具有理想的或者过于正式的含义。
[0023]图1是示出根据实施方式的半导体装置的配置的框图。
[0024]参照图1，半导体装置可以包括电压比较电路100和校准控制电路200。
[0025]首先，电压比较电路100可以是用于通过将分别通过第一输入级IN1和第二输入级IN2接收到的测试基准电压V_TR进行比较来生成比较结果信号R_CM的元件。如稍后将描述的，可以在电压比较电路100的第一输入级IN1和第二输入级IN2的前面提供输入控制电路300。此外，输入控制电路300可以基于操作模式信号MD控制发送到第一输入级IN1和第二输入级IN2的信号的输入路径。因此，电压比较电路100可以在校准操作时分别通过第一输入级IN1和第二输入级IN2接收测试基准电压V_TR。
[0026]图2是示出图1的电压比较电路100的配置的电路图。
[0027]参照图2，电压比较电路100可以包括输入电路110、调整电路120和输出电路130。
[0028]首先，输入电路110可以是用于通过第一输入级IN1和第二输入级IN2接收输入信号的元件。更具体地，输入电路110可以包括第一差分输入电路111、第二差分输入电路112和电流驱动电路113。
[0029]第一差分输入电路111可以是用于通过第一输入级IN1和第二输入级IN2差分地接收输入信号并产生拉电流(sourcing current)的元件。第一差分输入电路111可以包括第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一电流源I1。第一NMOS晶体管N1可以具有联接在第一节点ND1和第一电流源I1之间的漏极和源极，并且可以具有联接至稍后将描述的第一滤波电路114的输出的栅极。此外，第二NMOS晶体管N2可以具有联接在第二节点ND2和第一电流源I1之间的漏极和源极，并且可以具有联接至稍后将描述的第二滤波电路115的输出的栅极。
[0030]第二差分输入电路112可以是用于通过第一输入级IN1和第二输入级IN2差分地接收输入信号并产生灌电流(sinking current)的元件。第二差分输入电路1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：电压比较电路，该电压比较电路被配置为通过将分别通过第一输入级和第二输入级接收到的测试基准电压进行比较来生成比较结果信号；以及校准控制电路，该校准控制电路被配置为在校准操作时生成用于控制所述电压比较电路的偏移值的校准代码，并且将所述校准代码提供给所述电压比较电路。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电压比较电路包括：输入电路，该输入电路被配置为通过所述第一输入级和所述第二输入级接收输入信号；调整电路，该调整电路被配置为基于所述校准代码来调整所述输入电路的驱动电流；以及输出电路，该输出电路被配置为将其中并入有所述驱动电流的所述输入电路的输出信号进行比较并且输出所述比较结果信号。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述输入电路包括：第一差分输入电路和第二差分输入电路，该第一差分输入电路和该第二差分输入电路被配置为差分地接收所述输入信号并且分别生成拉电流和灌电流；以及电流驱动电路，该电流驱动电路被配置为基于所述拉电流和所述灌电流来操作。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述调整电路包括多个加载电路，所述多个加载电路分别基于所述校准代码而被启用，并且被配置为输出与不同的加载值对应的电流。5.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：第一滤波电路，该第一滤波电路联接至所述第一输入级并且被配置为对输入信号进行滤波；以及第二滤波电路，该第二滤波电路联接至所述第二输入级并且被配置为对输入信号进行滤波。6.根据权利要求2所述的半导体装置，该半导体装置还包括滤波电路，该滤波电路联接至所述输出电路的输入级并且被配置为对输入到所述输出电路的信号进行滤波。7.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括输入控制电路，该输入控制电路被配置为在所述校准操作时控制输入到所述第一输...

【专利技术属性】
技术研发人员：文荣振，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：