具有隐埋P型层的III族氮化物高电子迁移率晶体管及其制造方法技术

一种装置，包括基板。该装置还包括该基板上的III族氮化物缓冲层；III族氮化物缓冲层上的III族氮化物阻挡层，III族氮化物阻挡层包括比III族氮化物缓冲层的带隙更高的带隙。该装置还包括电连接至III族氮化物阻挡层的源极；电连接至III族氮化物阻挡层的栅极；电连接至III族氮化物阻挡层的漏极；和以下中的至少一种的p区：在所述III族氮化物阻挡层下方的基板中或基板上。中或基板上。中或基板上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有隐埋P型层的III族氮化物高电子迁移率晶体管及其制造方法
[0001]相关申请的引证
[0002]本申请是2019年1月28日提交的美国专利申请第16/260,095号的部分继续申请，该申请的全部内容通过引证并入本文；其是2017年2月3日提交的美国专利申请第15/424,209号、现为2019年1月29日授权的美国专利第10,192,980号的部分继续申请，该申请的全部内容通过引证并入本文；其是2016年6月24日提交的美国专利申请第15/192,545号的部分继续申请，该申请的全部内容通过引证并入本文。


[0003]本公开涉及微电子器件，并且更具体地涉及具有隐埋P型层的氮化镓高电子迁移率晶体管。本公开还涉及一种制造微电子器件的方法，更具体地涉及一种制造具有隐埋P型层的氮化镓高电子迁移率晶体管的方法。

技术介绍

[0004]基于III族氮化物的高电子迁移率晶体管(HEMT)是高功率射频(RF)应用以及低频高功率切换应用的非常有前景的候选，因为III族氮化物的材料特性，例如GaN及其合金可实现高电压和高电流，以及高射频增益和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：基板；所述基板上的III族氮化物缓冲层；所述III族氮化物缓冲层上的III族氮化物阻挡层，所述III族氮化物阻挡层包括比所述III族氮化物缓冲层的带隙更高的带隙；电连接至所述III族氮化物阻挡层的源极；电连接至所述III族氮化物阻挡层的栅极；电连接至所述III族氮化物阻挡层的漏极；以及以下中的至少一种的p区：在所述III族氮化物阻挡层下方的所述基板中或所述基板上。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述p区是注入的。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述p区在所述III族氮化物阻挡层下方的所述基板中。4.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述基板上的外延层并且所述p区在所述外延层中。5.根据权利要求1所述的装置，还包括场板。6.根据权利要求1所述的装置，还包括场板，其中所述场板电连接至所述p区。7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述场板电连接至所述源极。8.一种装置，包括：基板；所述基板上的III族氮化物缓冲层；所述III族氮化物缓冲层上的III族氮化物阻挡层，所述III族氮化物阻挡层包括比所述III族氮化物缓冲层的带隙更高的带隙；电连接至所述III族氮化物阻挡层的源极；电连接至所述III族氮化物阻挡层的栅极；电连接至所述III族氮化物阻挡层的漏极；以下中的至少一种的p区：在所述III族氮化物阻挡层下方的所述基板中或所述基板上；以及电连接至所述p区的触板。9.根据权利要求8所述的装置，还包括将所述触板电连接至所述p区的连接部。10.根据权利要求8所述的装置，其中，所述触板配置为接收以下中的至少一种：偏压和信号。11.根据权利要求8所述的装置，其中，所述触板配置为接收以下中的至少一种：调节所述装置的特性的偏压和调节所述装置的特性的信号。12.根据权利要求8所述的装置，其中，所述p区在所述III族氮化物阻挡层下方的所述基板上。13.根据权利要求8所述的装置，其中，所述p区是注入的。14.根据权利要求8所述的装置，其中，所述p区在所述III族氮化物阻挡层下方的所述基板中。
15.一种装置，包括：基板；所述基板上的III族氮化物缓冲层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：萨普撒里希，
申请(专利权)人：沃孚半导体公司，
类型：发明
国别省市：